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RX3G07BBGC16

Description: ROHM - RX3G07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 929 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	8.29 EUR
47+	5.01 EUR
100+	4.13 EUR
500+	3.47 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3G07BBGC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R

auf Bestellung 993 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	4.3 EUR
50+	4.07 EUR
100+	3.86 EUR
250+	3.65 EUR
500+	3.5 EUR

Mindestbestellmenge: 41 Stücke

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RX3G07BBGC16

ROHM Semiconductor

MOSFETs RX3G07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power small mold package, suitable for switching.

auf Bestellung 679 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.63 EUR
10+	7.98 EUR
25+	4.8 EUR
100+	4.36 EUR
500+	3.61 EUR
1000+	3.45 EUR

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RX3G07BBGC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R

auf Bestellung 989 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	8.48 EUR
24+	7.16 EUR
50+	4.84 EUR
100+	4.31 EUR
500+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3G07CGNC16

ROHM Semiconductor

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

auf Bestellung 789 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.97 EUR
10+	3.88 EUR
100+	2.84 EUR
500+	2.39 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3G07CGNC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 444 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	3.84 EUR
85+	2.03 EUR
100+	1.68 EUR
200+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3G07CGNC16

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220AB

auf Bestellung 877 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.46 EUR
10+	4.93 EUR
100+	3.96 EUR
500+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3G07CGNC16

Description: ROHM - RX3G07CGNC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 855 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

57+	4.43 EUR
69+	3.42 EUR
77+	2.81 EUR
100+	2.44 EUR
500+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 57 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3G07CGNC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 586 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

56+	3.28 EUR
100+	2.64 EUR
250+	2.51 EUR
500+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 56 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3G18BBGC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R

auf Bestellung 197 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	15.33 EUR
14+	12.95 EUR
50+	9.56 EUR
100+	8.59 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3G18BBGC16

Rohm Semiconductor

Description: NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.47mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 20 V

auf Bestellung 937 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.97 EUR
50+	10.72 EUR
100+	10.27 EUR
500+	9.12 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3G18BBGC16

Description: ROHM - RX3G18BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 270 A, 1470 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 192W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	17.84 EUR
20+	11.67 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3G18BBGC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	10.73 EUR
25+	9.59 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3G18BBGC16

ROHM Semiconductor

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)

auf Bestellung 1309 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.03 EUR
10+	11.75 EUR
100+	9.81 EUR
500+	8.65 EUR
1000+	7.77 EUR

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RX3G18BGNC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 969 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	5.57 EUR

Mindestbestellmenge: 32 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3G18BGNC16

ROHM Semiconductor

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)

auf Bestellung 854 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.4 EUR
10+	5.55 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3G18BGNC16

Rohm Semiconductor

Description: NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.64mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V

auf Bestellung 2896 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.48 EUR
50+	5.36 EUR
100+	5.16 EUR
500+	3.97 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3G18BGNC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 197 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	6.96 EUR
28+	6.18 EUR
50+	3.96 EUR
100+	3.55 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3G18BGNC16

Description: ROHM - RX3G18BGNC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1640 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1640µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	10.4 EUR
41+	5.76 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3L07BBGC16

ROHM Semiconductor

MOSFETs RX3L07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and High power package, suitable for switching.

auf Bestellung 1965 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.65 EUR
10+	8 EUR
25+	4.82 EUR
100+	4.38 EUR
500+	3.62 EUR
1000+	3.61 EUR
2000+	3.45 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3L07BBGC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	8.5 EUR
24+	7.18 EUR

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3L07BBGC16

Rohm Semiconductor

Description: NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V

auf Bestellung 920 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7 EUR
50+	5.55 EUR
100+	4.75 EUR
500+	4.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3L07BBGC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R

auf Bestellung 955 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	3.2 EUR
57+	3.03 EUR
100+	2.87 EUR
250+	2.71 EUR
500+	2.61 EUR

Mindestbestellmenge: 55 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3L07BBGC16

Description: ROHM - RX3L07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 4600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 82 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	9.62 EUR
51+	4.62 EUR

Mindestbestellmenge: 26 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3L07BGNC16

Description: ROHM - RX3L07BGNC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0052 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 680 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	4.82 EUR
63+	3.71 EUR
100+	2.74 EUR
500+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 52 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3L07BGNC16

ROHM Semiconductor

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

auf Bestellung 549 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.95 EUR
10+	4.46 EUR
100+	3.5 EUR
500+	2.93 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3L07BGNC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 840 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	2.75 EUR
66+	2.61 EUR
100+	2.46 EUR
250+	2.34 EUR
500+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 64 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3L07BGNC16

Rohm Semiconductor

Description: NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 30 V

auf Bestellung 1310 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.82 EUR
10+	4.49 EUR
100+	3.5 EUR
500+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3L18BBGC16

ROHM Semiconductor

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)

auf Bestellung 1977 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.99 EUR
10+	8.16 EUR
100+	8.04 EUR
1000+	7.54 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3L18BBGC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 60V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R

auf Bestellung 197 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	14.57 EUR
14+	13.03 EUR
50+	7.74 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3L18BBGC16

Rohm Semiconductor

Description: NCH 60V 180A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.84mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.43 EUR
50+	11.52 EUR
100+	10.32 EUR
500+	9.1 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3L18BBGC16

Description: ROHM - RX3L18BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 0.00141 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00141ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 82 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	18.74 EUR
19+	12.41 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3L18BBGC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 60V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	11.9 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3N07BBHC16

Rohm Semiconductor

Description: NCH 80V 100A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 40 V

auf Bestellung 988 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.97 EUR
50+	3.55 EUR
100+	3.21 EUR
500+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3N07BBHC16

Description: ROHM - RX3N07BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	8.95 EUR
42+	5.57 EUR
100+	3.59 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

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RX3N07BBHC16

ROHM Semiconductor

MOSFETs TO220 N-CH 80V 100A

auf Bestellung 974 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.6 EUR
10+	3.88 EUR
100+	3.52 EUR
500+	2.89 EUR
1000+	2.76 EUR

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RX3N10BBHC16

ROHM Semiconductor

MOSFETs TO220 N-CH 80V 225A

auf Bestellung 997 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.83 EUR
10+	7.44 EUR
100+	6.83 EUR
500+	6.14 EUR

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RX3N10BBHC16

Rohm Semiconductor

Description: NCH 80V 225A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 40 V

auf Bestellung 995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.7 EUR
50+	6.82 EUR
100+	6.25 EUR
500+	5.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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RX3N10BBHC16

Description: ROHM - RX3N10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 225 A, 2200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 189W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	16.52 EUR
24+	10.02 EUR
100+	6.99 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

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RX3P07BBHC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	10.04 EUR
28+	6.3 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

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RX3P07BBHC16

Rohm Semiconductor

Description: NCH 100V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V

auf Bestellung 808 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.15 EUR
10+	5.38 EUR
100+	3.82 EUR
500+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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RX3P07BBHC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	5.25 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

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RX3P07BBHC16

Description: ROHM - RX3P07BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 76 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	10.09 EUR
37+	6.4 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

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RX3P07BBHC16

ROHM Semiconductor

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)

auf Bestellung 1781 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.88 EUR
10+	5.63 EUR
100+	4.16 EUR
500+	3.44 EUR
1000+	3.42 EUR

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RX3P07CBHC16

Description: ROHM - RX3P07CBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 66 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	12.52 EUR
25+	9.38 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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RX3P07CBHC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	7.64 EUR
50+	7.01 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

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RX3P07CBHC16

ROHM Semiconductor

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)

auf Bestellung 1976 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11 EUR
10+	7.39 EUR
100+	5.34 EUR
500+	4.94 EUR

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RX3P07CBHC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R

auf Bestellung 98 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	11.39 EUR
23+	7.57 EUR
50+	5.97 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

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RX3P07CBHC16

Rohm Semiconductor

Description: NCH 100V 70A, TO-220AB, POWER M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 50 V

auf Bestellung 992 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.81 EUR
10+	7.24 EUR
100+	5.22 EUR
500+	4.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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RX3P10BBHC16

ROHM Semiconductor

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 105A(Id), (6.0V, 10V Drive)

auf Bestellung 1939 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	16.42 EUR
10+	11.22 EUR
100+	8.27 EUR
1000+	7.69 EUR

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RX3P10BBHC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	10.91 EUR
50+	10.12 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

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RX3P10BBHC16

Rohm Semiconductor

Description: NCH 100V 100A, TO-220AB, POWER M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 50 V

auf Bestellung 491 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.37 EUR
10+	6.22 EUR
100+	4.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3P10BBHC16

Description: ROHM - RX3P10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 189W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm

auf Bestellung 98 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	16.65 EUR
22+	10.58 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3P10BBHC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	8.83 EUR
30+	5.78 EUR
50+	4.82 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3P12BATC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 27 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	15.09 EUR
13+	13.35 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3P12BATC16

Rohm Semiconductor

Description: PCH -100V -120A POWER MOSFET: RX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 385 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16600 pF @ 50 V

auf Bestellung 238 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.96 EUR
50+	8.08 EUR
100+	7.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3P12BATC16

Description: ROHM - RX3P12BATC16 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0123 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 924 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	14.32 EUR
25+	9.56 EUR
100+	8.03 EUR
500+	6.72 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3P12BATC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	10.88 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3P12BATC16

ROHM Semiconductor

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -120A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

auf Bestellung 529 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.91 EUR
10+	8.57 EUR
100+	7.79 EUR
500+	7.1 EUR
1000+	6.62 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3R05BBHC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R

auf Bestellung 530 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	5.49 EUR
250+	4.78 EUR
500+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3R05BBHC16

ROHM Semiconductor

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 150V(Vdss), 50A(Id), (6.0V, 10V Drive)

auf Bestellung 1812 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.84 EUR
10+	5.87 EUR
100+	4.19 EUR
500+	4 EUR
1000+	3.96 EUR
5000+	3.61 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3R05BBHC16

Rohm Semiconductor

Description: NCH 150V 50A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 75 V

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.68 EUR
10+	5.75 EUR
100+	4.09 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3R05BBHC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R

auf Bestellung 413 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	7.98 EUR
26+	6.6 EUR
56+	3.02 EUR
100+	2.75 EUR

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3R05BBHC16

Description: ROHM - RX3R05BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.029 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 96 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	7.32 EUR
45+	5.27 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3R10BBHC16

Rohm Semiconductor

Description: NCH 150V 105A, TO-220AB, POWER M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7550 pF @ 75 V

auf Bestellung 978 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.46 EUR
10+	10.56 EUR
100+	7.79 EUR
500+	6.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3R10BBHC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	15.65 EUR
17+	10.59 EUR
50+	8.23 EUR
100+	7.71 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RX3R10BBHC16

Description: ROHM - RX3R10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 8800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: To Be Advised

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RX3R10BBHC16

ROHM Semiconductor

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 150V(Vdss), 105A(Id), (6.0V, 10V Drive)

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RX3R10BBHC16

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R

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RX3Z

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