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TK20A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK20A60W5,S5VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.96 EUR
10+5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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TK20A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK20A60W5,S5VXToshibaMOSFETs MOSFET NChtrr100ns 0.25ohm DTMOS
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.79 EUR
10+4.55 EUR
100+4.11 EUR
500+3.39 EUR
2500+3.37 EUR
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TK20A60W5,S5VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20A60W5,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.61 EUR
35+6.75 EUR
100+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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TK20A60W5,S5VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK20A60W5S5VX(MToshibaMOSFETs
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TK20A60WS5VX(MToshibaMOSFETs
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TK20A60WS5VX(M-XToshibaMOSFET
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TK20C60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TK20C60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
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TK20D60T
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK20D60U
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK20D60U (Q)ToshibaMOSFET
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TK20E60UTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20E60U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK20E60UToshibaArray
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TK20E60U,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK20E60U,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK20E60WToshibaMOSFETs
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TK20E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK20E60W,S1VXToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.01 EUR
10+4.66 EUR
100+4.65 EUR
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TK20E60W,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.2 EUR
10+6.08 EUR
50+4.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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TK20E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20E60W,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 165W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.79 EUR
22+10.75 EUR
100+6.21 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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TK20E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.11 EUR
60+2.95 EUR
100+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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TK20E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.16 EUR
68+2.62 EUR
100+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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TK20E60W5,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.52 EUR
10+5.63 EUR
50+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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TK20E60W5,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK20E60W5,S1VXToshibaMOSFETs TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.35 EUR
10+4.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20E60W5,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20E60W5,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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TK20E60W5,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20E60W5,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.38 EUR
23+10.35 EUR
100+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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TK20E60W5,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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TK20E60W5S1VX(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20E60WS1VX(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20G60WToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20G60W,RVQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20G60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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TK20G60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
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TK20G60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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TK20G60W,RVQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20G60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20G60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.07 EUR
48+4.89 EUR
100+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20G60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20G60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 165W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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TK20G60W,RVQ(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20G60WRVQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
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TK20G60WRVQ(S-XToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20H50C
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20H50CToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
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TK20H50C (Q)ToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20J50D
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20J50D
Produktcode: 154071
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TK20J50DToshibaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20J50D(F)ToshibaMOSFETs PD=280W VDS=500V N-Silicon N CH MOS
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.71 EUR
10+5.71 EUR
100+4.25 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.12 EUR
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TK20J50D(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+5.5 EUR
67+2.65 EUR
100+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20J50D(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20J50D(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20J50D(STA1,E,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 20A 3-Pin(3+Tab)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20J50D(STA1ES)ToshibaMOSFETs
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TK20J60T
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TK20J60U
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TK20J60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
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TK20J60U(COSEL,F)ToshibaToshiba
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TK20J60U(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 10 V
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TK20J60U(F)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 20A
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TK20J60U(F)
Produktcode: 108644
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TOSHIBATransistoren > MOSFET N-CH
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TK20J60U(PED,F)ToshibaToshiba
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TK20J60U(S1PED1,F)ToshibaToshiba
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TK20J60U(S1SHRP,F)ToshibaToshiba
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TK20J60U(S1TEKR,F)ToshibaToshiba
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TK20J60U(S1TET,F)ToshibaToshiba
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TK20J60U(STA1,F)ToshibaToshiba
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TK20J60W,S1VEToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
auf Bestellung 17 Stücke:
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2+15.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TK20J60W,S1VEToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
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TK20J60W,S1VEToshibaMOSFETs TO-3PN PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS
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1+15.14 EUR
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100+8.63 EUR
500+7.66 EUR
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TK20J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube
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TK20J60W5,S1VQ(O)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 20 Stücke:
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TK20J60W5,S1VQ(O)ToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
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TK20N60WToshibaToshiba
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TK20N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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TK20N60W,S1VFToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
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1+11.65 EUR
10+5.9 EUR
120+5.59 EUR
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TK20N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
auf Bestellung 90 Stücke:
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3+9.9 EUR
30+5.55 EUR
60+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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TK20N60W,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK20N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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TK20N60W,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK20N60W5ToshibaMOSFET N-CH 600V 20A TO247 Транзистори
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TK20N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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TK20N60W5,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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TK20N60W5,S1VFToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
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TK20N60W5,S1VF(SToshiba
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TK20N60W5,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 165W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.67 EUR
34+6.99 EUR
100+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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TK20N60W5S1VF(SToshibaMOSFETs
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TK20N60WS1VF(SToshibaMOSFETs
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TK20P04M1
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK20P04M1,RQ(SToshibaMOSFETs N-Ch MOS 20A 40V 27W 985pF 0.034
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TK20P04M1,RQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 27W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 27W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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TK20P04M1,RQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 10 V
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TK20P100RJEOhmiteDescription: RES 100 OHM 20W 5% TO220
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+9.34 EUR
200+8.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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TK20P100RJEOhmiteRes Thick Film 100 Ohm 5% 20W ±50ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.13 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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TK20P10K0JEOhmiteDescription: RES 10K OHM 20W 5% TO220
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK20P10K0JEOhmiteRes Thick Film 10K Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH