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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TK429SSTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,SpeakON female 2pin; 9m; black
Type of connection cable: Jack - SpeakON
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; SpeakON female 2pin
Version: mono
Cable length: 9m
Insulation colour: black
Kind of core: OFC
Core section: 2.5mm2
Number of cores: 2
Enclosure material: metal
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+67.9 EUR
5+60.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK42A12N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK42A12N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh7.8ohm VGS10V10uAVDS120V
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+3.64 EUR
50+2.12 EUR
100+1.9 EUR
250+1.74 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK42A12N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 120V 42A TO220SIS
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
50+2.07 EUR
100+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK42A12N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK42A12N1,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 42A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 42A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Power dissipation: 35W
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.77 EUR
55+1.57 EUR
61+1.42 EUR
68+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK42A12N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.64 EUR
100+2.31 EUR
200+1.81 EUR
800+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
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TK42A12N1S4X(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK42E12N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK42E12N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 120V 88A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK42E12N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK42E12N1,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 88A 140W FET 120V 3100pF 52nC
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.47 EUR
10+2.34 EUR
100+1.86 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK42E12N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK42E12N1,S1X(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK42E12N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK42E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 88 A, 0.0078 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK42E12N1S1X(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK430ExtechDigital Multimeters ELECTRICAL TEST KIT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK430Teledyne FLIRElectrical Test Kit
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK430FLIR ExtechDescription: ELECTRICAL TEST KIT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK430-IRFLIR Commercial SysElectrical Test Kit With IR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK430-IRFLIRDescription: ELECTRICAL TEST KIT WITH IR THER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK430A60F,S4X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.75mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK430A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK430A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.17 EUR
45+5.25 EUR
100+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK430A60FS4X(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK431
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK431-5SSTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6.3mm 2pin angled plug,both sides; 1.5m; black; 1mm2
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 6.3mm 2pin angled plug
Version: mono
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Kind of core: OFC
Core section: 1mm2
Number of cores: 2
Enclosure material: metal
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+36.44 EUR
5+32.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK4347252
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK4419A
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK4437
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK45P03M1
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK45P03M1,RQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 45A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK45P03M1,RQ(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 45A 30V 39W 1500pF 0.012
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK46A08N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 46A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK46A08N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh 6.9ohm VGS10V10uAVDS80V
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.39 EUR
10+3.37 EUR
50+1.65 EUR
100+1.45 EUR
500+1.15 EUR
1000+0.98 EUR
2500+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK46A08N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK46A08N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK46A08N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK46A08N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK46A08N1,S4X(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK46A08N1S4X(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK46E08N1,S1XToshibaMOSFETs 80V N-Ch PWR FET 80A 103W 37nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK46E08N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK46E08N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK46E08N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK46E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 6900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 103W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.34 EUR
96+2.44 EUR
140+1.54 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK46E08N1S1X(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK4700Sargent ToolsCrimpers LAN KIT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK49N65WToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK49N65W,S1FToshibaMOSFETs N-Ch Power MOSFET Transistor
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.6 EUR
10+22.54 EUR
120+18.79 EUR
510+16.73 EUR
1020+15.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK49N65W,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 24.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.23 EUR
30+15.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK49N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 49.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK49N65W,S1F(SToshibaMOSFETs Power MOSFET 49.2A 400W 650V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK49N65W,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 49.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK49N65W,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK49N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49.2 A, 0.048 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.31 EUR
14+17.54 EUR
16+14.11 EUR
50+13.84 EUR
100+13.55 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK49N65W5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 24.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.97 EUR
30+14.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK49N65W5,S1FToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK49N65W5,S1FToshibaMOSFETs TO247(OS) PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.1 EUR
10+17.85 EUR
120+15.37 EUR
510+14.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK49N65W5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK49N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49.2 A, 0.051 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+27.75 EUR
14+15.96 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK49N65W5,S1F(SToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK49N65W5S1F(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK49N65WS1F(S-XToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Tk4A-NRDECIDE4ACTIONDescription: OEE software Toolkit4Action is a
Packaging: Electronic Delivery
Type: Production Software
Applications: Monitoring
Media Delivery Type: Electronically Delivered
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17754.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK4A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 4A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
50+1.42 EUR
100+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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TK4A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK4A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 4A 500V 30W 380pF 2.0 Ohm
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+1.19 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.69 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TK4A53D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 4A TO220SIS
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TK4A53D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 4A 525V 35W 490pF 1.7 Ohm
auf Bestellung 300 Stücke:
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1+3.8 EUR
10+2.39 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.09 EUR
2500+1 EUR
5000+0.96 EUR
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TK4A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 4A TO220SIS
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TK4A55D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 4A 550V 35W 490pF 1.88
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TK4A55DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 3.5A TO220SIS
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TK4A55DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 3.5A 550V 30W 380pF 2.45 Ohm
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TK4A60DToshiba
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TK4A60DTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK4A60D - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 35
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
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TK4A60D(Q)
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK4A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch FET 600V 2.5s IDSS 10 uA
auf Bestellung 99 Stücke:
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2+2.01 EUR
10+1.68 EUR
50+1.43 EUR
100+1.27 EUR
250+1.15 EUR
500+1 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TK4A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
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TK4A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK4A60DA
Produktcode: 198688
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Transistoren > MOSFET N-CH
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TK4A60DA
auf Bestellung 52000 Stücke:
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TK4A60DAToshiba
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TK4A60DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
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TK4A60DA(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 35W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 35W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+1.14 EUR
101+0.84 EUR
114+0.75 EUR
125+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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TK4A60DA(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK4A60DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-ch 600V 3.5A TO-220SIS
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.9 EUR
10+1.71 EUR
100+1.33 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TK4A60DAR,S4X(SToshibaTRANSISTOR (SILICON)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
657+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 657 Stücke
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TK4A60DAR,S4X(SToshibaTRANSISTOR (SILICON)
auf Bestellung 45800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
657+1 EUR
1000+0.9 EUR
10000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 657 Stücke
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TK4A60DB
auf Bestellung 12948 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK4A60DB(S4PHI,QM)ToshibaToshiba
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TK4A60DB(S4PHI,QM)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK4A60DB(STA4,Q,M)
Produktcode: 145180
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TK4A60DB(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 25W 540pF 2.2 Ohm
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TK4A60DB(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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TK4A60DB(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK4A60DB(STA4,X,S)Toshiba
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TK4A60DB(STA4,X,S)ToshibaTK4A60DB(STA4,X,S)
auf Bestellung 414550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+2.31 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.84 EUR
10000+1.61 EUR
100000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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TK4A65DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 3.5A TO220SIS
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TK4A65DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 3.5A 650V 35W 600pF 1.9 Ohm
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TK4A80E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK4A80E,S4XToshibaMOSFETs Pb-FPOWERMOSFETTRANSISTORTO-220SISPD=35WF=1MHZ
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+1.83 EUR
100+1.67 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.09 EUR
5000+1 EUR
10000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK4A80E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK4A80E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORTO-220S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.34 EUR
11+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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