Produkte > IPL
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 1740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 122W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 2712 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 3503 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R104C7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R104C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.104 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 122W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 1740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R104C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 122W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Power dissipation: 122W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 42nC | auf Bestellung 2550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R105P7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 1568 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V | auf Bestellung 5903 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R105P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 137W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 45nC Version: ESD Kind of package: reel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R105P7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R105P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.085 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 137W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | auf Bestellung 613 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 1568 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 1316 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R105P7AUMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R105P7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R105P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.085 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 137W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | auf Bestellung 613 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R115CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R115CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin VSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R115CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R115CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Supplier Device Package: PG-VSON-4 | auf Bestellung 131 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R115CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Supplier Device Package: PG-VSON-4 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R115CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin VSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R125C7 Produktcode: 125686
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| IPL60R125C7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 103W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R125C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 17A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R125C7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R125C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 103W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm | auf Bestellung 2596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R125C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 17A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R125C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 17A 4-Pin VSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R125C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 17A 4-Pin VSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R125C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R125C7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 103W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V | auf Bestellung 2713 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R125C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 17A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R125C7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R125C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 103W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm | auf Bestellung 2596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R125C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 17A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R125C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R125P7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 27A 5-Pin Thin-PAK T/R | auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R125P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 27A 4-Pin VSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R125P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 111W; PG-VSON-4; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 17A Power dissipation: 111W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Version: ESD Kind of package: reel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R125P7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 27A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 111W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R125P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 27A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R125P7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R125P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 111W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm | auf Bestellung 1125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R125P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 27A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R125P7AUMA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 650, Id = 27 А, Ptot, Вт = 111, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1544 @ 400, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 125 мОм @ 8,2 A, 10 В, Tексп, °C = -40...+150, Ugs(th) = 4 В @ 410 мкА,... Транзистори Корпус: PG-VSON-4 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R125P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 4724 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R125P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 27A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 2846 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R125P7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 27A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 111W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V | auf Bestellung 844 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R125P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 27A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 2846 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R125P7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R125P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 111W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm | auf Bestellung 1125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R140CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R140CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 1468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R140CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | IPL60R140CFD7AUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 18A 4-Pin VSON EP T/R - Arrow.com | auf Bestellung 2030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R140CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | IPL60R140CFD7AUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 18A 4-Pin VSON EP T/R - Arrow.com | auf Bestellung 2958 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R140CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R140CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Bulk Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Supplier Device Package: PG-VSON-4 | auf Bestellung 3526 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R140CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | IPL60R140CFD7AUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 18A 4-Pin VSON EP T/R - Arrow.com | auf Bestellung 568 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R140CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R140CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | IPL60R140CFD7AUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 18A 4-Pin VSON EP T/R - Arrow.com | auf Bestellung 4750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R160CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 4-Pin VSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R160CFD7AUMA1 | Infineon | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPL60R160CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-VSON-4-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R160CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R160CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 4-Pin VSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R160CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 2966 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R160CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-VSON-4-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R180P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R180P6AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 4050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R180P6AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R180P6AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R180P6AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 2871 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R180P6AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R180P6AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R180P6AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R180P6AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R180P6AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | auf Bestellung 3871 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R180P6AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R180P6AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.4A; 176W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22.4A Power dissipation: 176W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R180P6AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R180P6AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V | auf Bestellung 4488 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R185C7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R185C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.159 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 77W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm | auf Bestellung 1761 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R185C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 2892 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R185C7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-VSON-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Power Dissipation (Max): 77W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R185C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R185C7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R185C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.159 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 77W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm | auf Bestellung 1761 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R185C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 2630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R185C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 2650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R185C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R185C7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R185C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 2650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R185CFD7 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 85W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Power dissipation: 85W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.346Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 28nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPL60R185CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 3361 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R185CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 8950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R185CFD7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R185CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.185 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 85W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm | auf Bestellung 1944 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R185CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 8950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R185CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 14A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V | auf Bestellung 1253 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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