Produkte > IPL

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPL60R095CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 25A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R104C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R104C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.104 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 122W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
auf Bestellung 3019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.06 EUR
23+10.38 EUR
100+7.07 EUR
500+6.27 EUR
1000+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R104C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R104C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R104C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.21 EUR
10+8.2 EUR
50+6.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R104C7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 2712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.02 EUR
10+8.07 EUR
100+6.45 EUR
500+5.74 EUR
1000+5.55 EUR
3000+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R104C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+5.28 EUR
500+4.94 EUR
1000+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R104C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R104C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.104 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 122W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
auf Bestellung 3019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.06 EUR
23+10.38 EUR
100+7.07 EUR
500+6.27 EUR
1000+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R104C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.58 EUR
24+7.06 EUR
100+5.07 EUR
500+4.34 EUR
1000+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R104C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R104C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+7.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R104C7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 122W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 122W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.53 EUR
15+5.81 EUR
17+5.26 EUR
25+4.63 EUR
50+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R104C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R105P7Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R105P7AUMA1InfineonMOSFET N-CH 600V 33A 4VSON Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R105P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R105P7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R105P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.085 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 613 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.7 EUR
500+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R105P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R105P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R105P7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 137W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Version: ESD
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R105P7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
auf Bestellung 5893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.41 EUR
10+6.9 EUR
50+5.4 EUR
100+4.91 EUR
500+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R105P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 1568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.81 EUR
32+5.27 EUR
100+3.75 EUR
500+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R105P7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.14 EUR
10+6.68 EUR
100+4.88 EUR
500+4.24 EUR
1000+4.06 EUR
3000+3.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R105P7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R105P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.085 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 613 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.61 EUR
29+8.28 EUR
100+5.7 EUR
500+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R105P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 1568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R105P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.39 EUR
40+4.02 EUR
100+3.24 EUR
250+3.08 EUR
500+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R105P7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R105P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.39 EUR
40+4.18 EUR
100+3.42 EUR
250+3.33 EUR
500+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R115CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R115CFD7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.42 EUR
10+6.24 EUR
100+4.44 EUR
500+3.92 EUR
1000+3.86 EUR
3000+3.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R115CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R115CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Supplier Device Package: PG-VSON-4
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.57 EUR
10+6.34 EUR
50+4.96 EUR
100+4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R115CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R115CFD7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125C7
Produktcode: 125686
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 17A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 17A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 17A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+4.15 EUR
500+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 17A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R125C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 103W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 2596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.22 EUR
500+4.39 EUR
1000+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125C7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 17A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+4.15 EUR
500+3.88 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125C7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
auf Bestellung 2663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.81 EUR
10+7.19 EUR
50+5.63 EUR
100+5.13 EUR
500+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 17A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+5.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R125C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 103W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 2596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12 EUR
32+7.26 EUR
100+5.22 EUR
500+4.39 EUR
1000+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125P7Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 27A 5-Pin Thin-PAK T/R
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.13 EUR
26+6.72 EUR
50+6.33 EUR
100+5.99 EUR
250+5.71 EUR
500+5.47 EUR
1000+5.21 EUR
2500+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 27A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125P7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 27A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.98 EUR
10+5.25 EUR
50+4.08 EUR
100+3.7 EUR
500+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125P7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R125P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 111W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 1125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.67 EUR
40+5.89 EUR
100+4.05 EUR
500+3.72 EUR
1000+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125P7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 111W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 111W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Version: ESD
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 27A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 2846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.13 EUR
51+3.27 EUR
52+3.12 EUR
100+2.53 EUR
250+2.4 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125P7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 7614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.81 EUR
10+5.15 EUR
100+3.64 EUR
500+3.08 EUR
3000+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 27A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.03 EUR
41+4.09 EUR
100+2.96 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125P7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 27A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 27A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125P7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R125P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 111W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 1125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.05 EUR
500+3.72 EUR
1000+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125P7AUMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 650, Id = 27 А, Ptot, Вт = 111, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1544 @ 400, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 125 мОм @ 8,2 A, 10 В, Tексп, °C = -40...+150, Ugs(th) = 4 В @ 410 мкА,... Транзистори Корпус: PG-VSON-4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R125P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 27A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 2846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.13 EUR
51+3.34 EUR
52+3.24 EUR
100+2.67 EUR
250+2.61 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesIPL60R140CFD7AUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 18A 4-Pin VSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+2.93 EUR
500+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesIPL60R140CFD7AUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 18A 4-Pin VSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 4750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+2.93 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R140CFD7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesIPL60R140CFD7AUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 18A 4-Pin VSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+2.93 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Supplier Device Package: PG-VSON-4
auf Bestellung 3526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
168+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 1468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.57 EUR
10+5.62 EUR
100+4.19 EUR
500+3.52 EUR
1000+3.28 EUR
3000+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R140CFD7AUMA1Infineon TechnologiesIPL60R140CFD7AUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 18A 4-Pin VSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+2.93 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R160CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+2.93 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R160CFD7AUMA1Infineon
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R160CFD7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R160CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R160CFD7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 2966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.63 EUR
10+4.49 EUR
100+3.45 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.89 EUR
3000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R160CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R160CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R160CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R180P6Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
auf Bestellung 4410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.75 EUR
10+5.08 EUR
50+3.94 EUR
100+3.57 EUR
500+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+2.88 EUR
500+2.69 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+2.88 EUR
500+2.69 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
auf Bestellung 3871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.89 EUR
10+4.19 EUR
100+3.28 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.83 EUR
3000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R180P6AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.4A; 176W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22.4A
Power dissipation: 176W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R180P6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 22.4A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R185C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R185C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.159 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 77W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
auf Bestellung 1741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.22 EUR
50+4.69 EUR
100+3.34 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R185C7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 2530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.12 EUR
10+4.19 EUR
100+3.2 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.64 EUR
3000+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R185C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.75 EUR
46+3.63 EUR
47+3.46 EUR
50+3.24 EUR
100+2.46 EUR
250+2.36 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R185C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R185C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R185C7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R185C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 2892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.67 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R185C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R185C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R185C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.159 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 77W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
auf Bestellung 1741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.34 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Nächste Seite >> ]