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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIRA84BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PowerPAK SO EP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+0.77 EUR
226+0.76 EUR
350+0.48 EUR
353+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA84BDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
auf Bestellung 2726 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.09 EUR
203+1.15 EUR
236+0.9 EUR
500+0.67 EUR
1500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA84BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PowerPAK SO EP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.25 EUR
222+0.76 EUR
224+0.73 EUR
226+0.69 EUR
350+0.43 EUR
353+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA84BDP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 22A
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+0.86 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA84DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 4404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+0.92 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA84DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.93 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA84DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA84DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA88BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.83mOhm @ 10A, 10V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.4 EUR
6000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA88BDP-T1-GE3VishayN Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA88BDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA88BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0055 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 17
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA88BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.83mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.13 EUR
22+0.96 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA88BDP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 19A
auf Bestellung 5948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.77 EUR
100+0.55 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.31 EUR
9000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA88DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA88DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 45.5 A, 6700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
auf Bestellung 22850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.42 EUR
166+1.4 EUR
255+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.58 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRA88DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRA88DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 1664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.82 EUR
10+1.14 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.44 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRA88DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA88DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA88DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 45.5 A, 0.0054 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
350+0.71 EUR
435+0.54 EUR
516+0.42 EUR
592+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRA88DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
32+0.67 EUR
100+0.49 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA88DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 45.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA90ADP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA90ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 71A T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA90ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 71A T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA90ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 71A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA90DPVishayMOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA90DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA90DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 13477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
110+1.95 EUR
500+1.43 EUR
1500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA90DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
auf Bestellung 3253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.58 EUR
10+2.49 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA90DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA90DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 13477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.68 EUR
76+3.08 EUR
108+2 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.31 EUR
5000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA90DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA90DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 100A Id Qg 48nC Typ.
auf Bestellung 31351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+3.27 EUR
100+2.23 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.71 EUR
3000+1.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA90DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8
auf Bestellung 37932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.08 EUR
10+2.64 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.38 EUR
3000+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA90DP-T1-RE3VishaySIRA90DP-T1-RE3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA90DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.53 EUR
10+2.44 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA90DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.25 EUR
6000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRA96DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
auf Bestellung 5785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
23+0.93 EUR
100+0.69 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRA96DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 6572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.8 EUR
100+0.54 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA96DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRA96DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA99DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 195A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA99DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10955 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.35W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.9A (Ta), 195A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA99DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.92 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA99DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAKSO8 P-CH 30V 47.9A
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.2 EUR
10+4.06 EUR
100+2.83 EUR
500+2.45 EUR
3000+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA99DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 195A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA99DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.12 EUR
56+4.18 EUR
100+2.92 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA99DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10955 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.35W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.9A (Ta), 195A (Tc)
Vgs (Max): +16V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.65 EUR
10+4.13 EUR
100+3.14 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA99DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 6240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.35 EUR
10+5.46 EUR
100+4.08 EUR
500+3.83 EUR
3000+3.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRB2167
auf Bestellung 8640 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRB40DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 24.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRB40DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRB40DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRB40DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 14977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.53 EUR
125+1.71 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.21 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRB40DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 25968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.92 EUR
10+2.2 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.18 EUR
3000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRB40DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 24.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRB40DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRB40DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 14977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.47 EUR
92+2.53 EUR
125+1.71 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.21 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRB40DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 3467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.63 EUR
10+2.98 EUR
100+2.02 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC04DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRC04DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2450 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2450µohm
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.27 EUR
73+3.18 EUR
107+2 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC04DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.47 EUR
10+3.12 EUR
100+2.51 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC04DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+3.12 EUR
25+2.95 EUR
100+2.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC04DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC04DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRC04DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2450 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2450µohm
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.18 EUR
107+2 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC06DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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SIRC06DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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SIRC06DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 2603 Stücke:
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2+1.96 EUR
10+1.77 EUR
100+1.38 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIRC06DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC10DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 15 V
auf Bestellung 5967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.76 EUR
12+1.75 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC10DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRC10DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 1639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.47 EUR
91+2.57 EUR
138+1.56 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC10DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 7779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+2.32 EUR
100+1.52 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.02 EUR
3000+0.93 EUR
6000+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC10DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC10DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRC10DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.38 EUR
118+1.98 EUR
178+1.21 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC16DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRC16DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
auf Bestellung 18082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
10+2.68 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC16DP-T1-GE3
Produktcode: 181487
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC16DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRC16DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.19 EUR
6000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC16DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRC16DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 6489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.37 EUR
10+1.94 EUR
100+1.51 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC16DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
auf Bestellung 5880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.49 EUR
11+2.05 EUR
100+1.59 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC16DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC18DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC18DP-T1-GE3
Produktcode: 165751
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC18DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC18DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC18DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 42992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.92 EUR
10+2.07 EUR
100+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.08 EUR
3000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC18DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 2718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
10+2.53 EUR
100+1.98 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC18DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC18DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC18DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRCOMM2N/A98
auf Bestellung 1718 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRETTA DIN RAIL ADAPTERSirettaModules Accessories DIN RAIL MOUNT CLIP, LATCH & SCREWS IN POLYBAG FOR ALL ZETA ENCLOSURES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRETTA DIN RAIL ADAPTERSiretta LtdDescription: DIN RAIL MOUNT CLIP, LATCH & SCR
Accessory Type: DIN Rail
For Use With/Related Products: Zeta Line of IoT Modems
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRETTA MODEM DIN RAIL ADAPTERSiretta DIN RAIL MOUNT CLIP, LATCH & SCREWS IN POLYBAG FOR ALL ZETA ENCLOSURES
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.63 EUR
10+9.87 EUR
30+9.76 EUR
100+9.67 EUR
1000+9.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRF-GRF2INA09+
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRF3TM8100B
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRFGRF2I/LPSTQFP48
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRI-A CA12474 Linse
Produktcode: 52146
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LEDILLEDs > Linsen, Halter, Rahmen für LEDs
Beschreibung: Linse; Form: Quadrat; Winkel:137 °, wird für LEDs verwendet CREE Serie XT-E
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRIO SQ 110W/300-1000 4PNTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; DALI 2; 50÷160VDC; 70mA÷1.05A; IP20
Supply voltage: 220...240V AC
Efficiency: 92.5%
Application: LED
Maximum power: 110W
Output voltage: 50...160V DC
Communictions protocol: DALI 2
Caution!: rated parameters obtained at full load
Number of outputs: 1
Additional functions: adjustable output current level; NFC
IP rating: IP20
Electrical connection: spring-loaded terminals
Output current: 70mA...1.05A
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Body dimensions: 133x39x75mm
Operating temperature: -40...55°C
Kind of power supply: LED
Type of power supply: switching
Operating modes: constant current
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRIO SQ 110W/300-1000 ADTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; 50÷160VDC; 70mA÷1.05A; 220÷240VAC
Supply voltage: 220...240V AC
Efficiency: 92.5%
Application: LED
Maximum power: 110W
Output voltage: 50...160V DC
Caution!: rated parameters obtained at full load
Number of outputs: 1
Additional functions: adjustable output current level; D4i; NFC
IP rating: IP20
Electrical connection: spring-loaded terminals
Output current: 70mA...1.05A
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Body dimensions: 150x40x90mm
Operating temperature: -40...55°C
Kind of power supply: LED
Type of power supply: switching
Operating modes: constant current
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+59.48 EUR
5+57.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRIO SQ 165W/300-1000 4PNTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; DALI 2; 80÷235VDC; 70mA÷1.05A; IP20
Supply voltage: 220...240V AC
Efficiency: 93%
Application: LED
Maximum power: 165W
Output voltage: 80...235V DC
Communictions protocol: DALI 2
Caution!: rated parameters obtained at full load
Number of outputs: 1
Additional functions: adjustable output current level; NFC
IP rating: IP20
Electrical connection: spring-loaded terminals
Output current: 70mA...1.05A
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Body dimensions: 170x40x100mm
Operating temperature: -40...55°C
Kind of power supply: LED
Type of power supply: switching
Operating modes: constant current
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRIO SQ 165W/300-1000 ADTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; 80÷235VDC; 70mA÷1.05A; 220÷240VAC
Maximum power: 165W
Caution!: rated parameters obtained at full load
Number of outputs: 1
Additional functions: adjustable output current level; D4i; NFC
IP rating: IP20
Supply voltage: 220...240V AC
Electrical connection: spring-loaded terminals
Output current: 70mA...1.05A
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Body dimensions: 171x41x101mm
Operating temperature: -40...55°C
Kind of power supply: LED
Type of power supply: switching
Operating modes: constant current
Efficiency: 92.5%
Application: LED
Output voltage: 80...235V DC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRIO SQ 22W/300-1000 4PNTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; DALI 2; 8÷32VDC; 70mA÷1.05A; IP20
Supply voltage: 220...240V AC
Efficiency: 85%
Application: LED
Maximum power: 22W
Output voltage: 8...32V DC
Communictions protocol: DALI 2
Caution!: rated parameters obtained at full load
Number of outputs: 1
Additional functions: adjustable output current level; NFC
IP rating: IP20
Electrical connection: spring-loaded terminals
Output current: 70mA...1.05A
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Body dimensions: 123x31x79mm
Operating temperature: -40...55°C
Kind of power supply: LED
Type of power supply: switching
Operating modes: constant current
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
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SIRIO SQ 22W/300-1000 ADTCICategory: LED Power Supplies
Description: Power supply: switching; LED; 8÷32VDC; 70mA÷1.05A; 220÷240VAC
Supply voltage: 220...240V AC
Efficiency: 85%
Application: LED
Maximum power: 22W
Output voltage: 8...32V DC
Caution!: rated parameters obtained at full load
Number of outputs: 1
Additional functions: adjustable output current level; D4i; NFC
IP rating: IP20
Electrical connection: spring-loaded terminals
Output current: 70mA...1.05A
Protection: anti-overload OLP; overheating OTP; short circuit protection SCP
Body dimensions: 133x40x77mm
Operating temperature: -40...55°C
Kind of power supply: LED
Type of power supply: switching
Operating modes: constant current
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