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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TK18.432MH204+
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1805800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2030 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1805800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 18P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 18
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2030 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1840VISHAY04+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18813M (TC)Description: ART TAPE KIT
Packaging: Cardboard Box
Quantity: Rolls (4), Strips (49)
Tape Type: Household
Tape Included: 3903, 4008, 4408, 6900, 850, CM592, SJ5012, SJ6512
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A30D,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 300V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A30D,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.65 EUR
10+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A30D,S5XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.86 EUR
10+2.39 EUR
100+2.07 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A30DS5X(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A50DToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A50D
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A50D(Q)TOSHIBA
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A50D(QM)ToshibaMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.32 EUR
43+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A50D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 500V; 18A; 50W; TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 50W
Gate charge: 45nC
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.27Ω
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.65 EUR
10+4.44 EUR
100+4.05 EUR
500+3.31 EUR
2500+3.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A50D(STA4,X,M)Toshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A50D(STA4,X,M)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK18A50D(STA4,X,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.22 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A50D(STA4XM)ToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A50D,S5Q(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18A50D,S5Q(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18C60VS1VQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18E10K3,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 18A 100V 71W 0.042 Ohm
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18E10K3,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18E10K3,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18E10K3,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18E60VS1VX(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK18G60VRQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK19
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1905800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 19P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 19
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Part Status: Active
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2030 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1905800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2030 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK19058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2070 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190A60Z1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TO-2
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.53 EUR
10+4.26 EUR
50+3.27 EUR
100+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190A60Z1,S4XToshibaMOSFETs 600 V 0.190 Ohm N-ch MOSFET TO-220SIS DTMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190A65Z,S4XToshibaMOSFETs MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.64 EUR
10+6.31 EUR
100+4.69 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.67 EUR
2500+3.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190A65Z,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190A65Z,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190A65Z,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK190A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.158 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190E60Z1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 14 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.97 EUR
10+4.49 EUR
50+3.89 EUR
100+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190E65Z,S1XToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220 PD=130W F=1MHZ
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.56 EUR
10+4.96 EUR
100+3.69 EUR
500+3.09 EUR
1000+2.87 EUR
2500+2.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190E65Z,S1XToshiba650V DTMOS VI TO-220 190mohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190E65Z,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS VI TO-220 190MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.71 EUR
50+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190E65Z,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK190E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.158 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.31 EUR
10+4.78 EUR
50+3.7 EUR
100+3.36 EUR
500+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.69 EUR
10+5.05 EUR
50+3.9 EUR
100+3.55 EUR
500+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190U65Z,RQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ
auf Bestellung 1964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.56 EUR
10+3.62 EUR
100+3.42 EUR
2000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
auf Bestellung 1469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
auf Bestellung 1469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK190U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.149 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.149ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.82 EUR
36+6.62 EUR
100+4.65 EUR
500+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK190U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.149 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.149ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.149ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.65 EUR
500+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK191-00100Aptiv (formerly Delphi)Aptiv TERM M MMC 025 SN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK195-00100Aptiv (formerly Delphi)Aptiv TERM F MMC 025 SN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK19A45D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 19A 450V 50W 2600pF 0.25
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.92 EUR
10+4.61 EUR
100+4.16 EUR
500+3.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK19A45D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 19A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK19A50W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK19A50W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.12 EUR
50+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK19A50W,S5XToshibaMOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.19 EUR
10+3.67 EUR
100+3.5 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.64 EUR
2500+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK19A50W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 97557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
675+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
10000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 675 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK19BU-PC-EM71SUNBEST TECHNOLOGYTK19BU-PC-EM71
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.95 EUR
100+2.78 EUR
250+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK19GE-PC-EM71SUNBEST TECHNOLOGYTK19GE-PC-EM71
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.91 EUR
25+8.41 EUR
50+7.91 EUR
100+7.47 EUR
250+7.14 EUR
500+6.84 EUR
1000+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK19H50C
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K0A60F,S4XToshibaMOSFET TO-220SIS PD=40W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+2.07 EUR
100+1.61 EUR
250+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K0A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 770µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
11+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K0A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK1K0A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.83 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K0A60FS4X(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K2A60FToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K2A60F,S4XToshibaMOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.56 EUR
10+1.2 EUR
100+1.19 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K2A60F,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K2A60F,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K2A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 300 V
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.95 EUR
12+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K2A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK1K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.88 EUR
101+2.31 EUR
162+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K2A60F,S4X(SToshibaN-Channel 600V 6A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS TK1K2A60F,S4X TTK1k2a60f
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K2A60FS4X(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K7A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 460µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 300 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K7A60F,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=35W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.34 EUR
100+1.19 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K9A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K9A60F,S4XToshibaMOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.26 EUR
100+1.06 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K9A60F,S4X(SToshibaN-Channel 600V 3.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS TK1K9A60F,S4X(S TK1K9A60F,S4X TTK1k9a60f
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1P90A,LQ(OToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1P90ALQ(OToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1R4F04PBToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1R4F04PB,LXGQToshibaMOSFETs 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 1831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.62 EUR
10+3.33 EUR
100+3.01 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1R4F04PB,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 6V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1R4F04PB,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 6V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.72 EUR
10+4.39 EUR
50+3.38 EUR
100+3.06 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1R4F04PBLQ(OToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1R4S04PB,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 60A, 6V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
auf Bestellung 4738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.19 EUR
10+3.36 EUR
100+2.3 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1R4S04PB,LXHQToshibaMOSFETs 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 25771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.18 EUR
10+2.56 EUR
100+2.31 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.74 EUR
2000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1R4S04PB,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 60A, 6V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1R5R04PB,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: D2PAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.66 EUR
10+4.34 EUR
50+3.34 EUR
100+3.02 EUR
500+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1R5R04PB,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: D2PAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1R5R04PB,LXGQToshibaMOSFETs 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 14786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.56 EUR
10+3.28 EUR
100+3 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH