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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TK19058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2070 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190A65Z,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190A65Z,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190A65Z,S4XToshibaMOSFETs MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.72 EUR
10+5.15 EUR
100+3.45 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190A65Z,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK190A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.158 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190E60Z1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 14 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.97 EUR
10+4.49 EUR
50+3.89 EUR
100+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190E65Z,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS VI TO-220 190MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.71 EUR
50+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190E65Z,S1XToshiba650V DTMOS VI TO-220 190mohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190E65Z,S1XToshibaMOSFETs 650V DTMOS VI TO-220 190mohm
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.75 EUR
10+3.97 EUR
100+3.96 EUR
500+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190E65Z,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK190E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.158 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.81 EUR
10+5.94 EUR
25+5.46 EUR
100+4.94 EUR
250+4.7 EUR
500+4.55 EUR
1000+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.32 EUR
4000+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
auf Bestellung 1469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190U65Z,RQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.85 EUR
10+5.87 EUR
100+3.56 EUR
500+3.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
auf Bestellung 1469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.25 EUR
10+5.45 EUR
100+3.87 EUR
500+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK190U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.149 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.149ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.149ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.65 EUR
500+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK190U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.149 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.149ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.82 EUR
36+6.62 EUR
100+4.65 EUR
500+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK191-00100Aptiv (formerly Delphi)Aptiv TERM M MMC 025 SN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK195-00100Aptiv (formerly Delphi)Aptiv TERM F MMC 025 SN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK19A45D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 19A 450V 50W 2600pF 0.25
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.92 EUR
10+4.61 EUR
100+4.16 EUR
500+3.44 EUR
1000+3.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK19A45D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 19A TO220SIS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 9.5A, 10V
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK19A50W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK19A50W,S5XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.12 EUR
10+3.06 EUR
100+2.84 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK19A50W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.12 EUR
50+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK19A50W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 97557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
675+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
10000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 675 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK19BU-PC-EM71SUNBEST TECHNOLOGYTK19BU-PC-EM71
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.89 EUR
100+2.71 EUR
250+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK19GE-PC-EM71SUNBEST TECHNOLOGYTK19GE-PC-EM71
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.71 EUR
25+8.22 EUR
50+7.74 EUR
100+7.31 EUR
250+6.97 EUR
500+6.69 EUR
1000+6.37 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK19H50C
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K0A60F,S4XToshibaMOSFET TO-220SIS PD=40W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+2.07 EUR
100+1.61 EUR
250+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K0A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 770µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
11+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K0A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK1K0A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.83 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K0A60FS4X(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K2A60FToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K2A60F,S4XToshibaN-Channel 600V 6A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS TK1K2A60F,S4X(S TTK1k2a60f
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K2A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.95 EUR
12+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K2A60F,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K2A60F,S4XToshibaMOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
50+1.82 EUR
100+1.49 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K2A60F,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K2A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK1K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.88 EUR
101+2.31 EUR
162+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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TK1K2A60FS4X(SToshibaArray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K7A60F,S4XToshibaMOSFET TO-220SIS PD=35W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.63 EUR
100+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K7A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 460µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 300 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K9A60F,S4XToshibaMOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.26 EUR
100+1.06 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K9A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K9A60F,S4XToshibaN-Channel 600V 3.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS TK1K9A60F,S4X(S TK1K9A60F,S4X(S TTK1k9a60f
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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TK1P90A,LQ(OToshibaMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1P90ALQ(OToshibaMOSFET
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TK1R4F04PBToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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TK1R4F04PB,LXGQToshibaMOSFETs 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 1831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.62 EUR
10+4.32 EUR
100+3.01 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1R4F04PB,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.64 EUR
10+4.33 EUR
100+3.01 EUR
500+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1R4F04PB,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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TK1R4F04PBLQ(OToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1R4S04PB,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 60A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1R4S04PB,LXHQToshibaMOSFETs 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 26469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+3.14 EUR
100+2.15 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.71 EUR
2000+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1R4S04PB,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 60A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.19 EUR
10+3.36 EUR
100+2.3 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1R5R04PB,LXGQToshibaMOSFETs 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 18437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.01 EUR
10+3.75 EUR
50+3.62 EUR
100+2.7 EUR
500+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1R5R04PB,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.25 EUR
2000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1R5R04PB,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK+
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.58 EUR
10+4.28 EUR
100+2.99 EUR
500+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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