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Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2737 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMTH43M8LFVWQ-7

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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DMTH43M8LK3-13

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2693 pF @ 20 V

auf Bestellung 885 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.83 EUR
12+	1.77 EUR
100+	1.18 EUR
500+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

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DMTH43M8LK3-13

MOSFET MOSFETBVDSS: 31V-40V

auf Bestellung 1772 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.86 EUR
10+	1.67 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.84 EUR
2500+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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DMTH43M8LK3-13

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2693 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH43M8LK3Q-13

Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH43M8LK3Q-13

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2693 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 88W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 160000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.86 EUR
5000+	0.8 EUR
7500+	0.76 EUR
12500+	0.74 EUR
17500+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH43M8LK3Q-13

Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1772500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH43M8LK3Q-13

MOSFETs MOSFETBVDSS: 31V-40V

auf Bestellung 10564 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.17 EUR
10+	1.83 EUR
100+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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DMTH43M8LK3Q-13

Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.61 EUR
5000+	0.57 EUR
7500+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH43M8LK3Q-13

auf Bestellung 164380 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.14 EUR
11+	2 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH43M8LK3Q-13

Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.61 EUR
5000+	0.58 EUR
7500+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH43M8LPS-13

Trans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin PowerDI EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH43M8LPS-13

Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	3.7 EUR
125+	1.87 EUR
163+	1.32 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 68 Stücke

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DMTH43M8LPS-13

Trans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 92500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH43M8LPS-13

Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.7 EUR
125+	1.87 EUR
163+	1.32 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH43M8LPS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.78 EUR
10+	1.44 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.83 EUR
2500+	0.71 EUR
5000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH43M8LPSQ-13

Description: MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3367 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH43M8LPSQ-13

Trans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH43M8LPSQ-13

Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm

auf Bestellung 2238 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

56+	4.52 EUR
87+	2.69 EUR
139+	1.55 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 56 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH43M8LPSQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V

auf Bestellung 4308 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.78 EUR
10+	2.07 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.05 EUR
2500+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH43M8LPSQ-13

Trans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 4597500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH43M8LPSQ-13

Description: MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3367 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.32 EUR
15+	1.45 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH43M8LPSQ-13

Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm

auf Bestellung 2238 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.69 EUR
139+	1.55 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH45M5LFVWQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

auf Bestellung 776 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.31 EUR
10+	1.44 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.67 EUR
2000+	0.61 EUR
4000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH45M5LPDWQ-13

Description: MOSFET 2N-CH 40V 79A PWRDI50
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 60W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 7519 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.53 EUR
10+	2.25 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH45M5LPDWQ-13

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.96 EUR
5000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH45M5LPDWQ-13

DIODES INCORPORATED

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 55A; Idm: 316A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Power dissipation: 3W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.9nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 316A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH45M5LPDWQ-13

Trans MOSFET N-CH 40V 79A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH45M5LPSW-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2731 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.48 EUR
14+	1.56 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH45M5LPSW-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH45M5LPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH45M5LPSWQ-13

DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 86A; Idm: 344A; 72W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 86A
Power dissipation: 72W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.9nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 344A
Kind of package: 13 inch reel; tape

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH45M5LPSWQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

auf Bestellung 3447 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.32 EUR
10+	1.44 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.69 EUR
2500+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH45M5LPSWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 4360 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.49 EUR
14+	1.57 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

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DMTH45M5LPSWQ-13

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH45M5SPDW-13

Description: MOSFET 2N-CH 40V 79A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1083pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

auf Bestellung 319 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.5 EUR
10+	2.23 EUR
100+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH45M5SPDW-13

Description: MOSFET 2N-CH 40V 79A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1083pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH45M5SPSW-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1083 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.58 EUR
5000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH45M5SPSW-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1083 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7172 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.31 EUR
15+	1.44 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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DMTH45M5SPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH46M7SFVW-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 67.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 54.5W (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH46M7SFVW-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 67.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH46M7SFVW-7

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 67.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 20 V

auf Bestellung 304 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.12 EUR
16+	1.32 EUR
100+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH46M7SFVW-7

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 67.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH46M7SFVWQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 67.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1325 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.84 EUR
17+	1.29 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH46M7SFVWQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

auf Bestellung 4259 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.2 EUR
10+	1.38 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR
2000+	0.58 EUR
4000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH46M7SFVWQ-7

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH47M2LFVWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.32 EUR
19+	1.14 EUR
100+	0.79 EUR
3000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH47M2LPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH47M2LPSW-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 20 V

auf Bestellung 122500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.43 EUR
5000+	0.39 EUR
7500+	0.38 EUR
12500+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH47M2LPSWQ-13

Description: DIODES INC. - DMTH47M2LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH47M2LPSWQ-13

Description: DIODES INC. - DMTH47M2LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 692 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.7 EUR
148+	1.57 EUR
226+	0.95 EUR
500+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH47M2SK3-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH47M2SK3-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T and R 2.5K

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.89 EUR
10+	1.18 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.54 EUR
2500+	0.48 EUR
5000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH47M2SPSW-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH47M2SPSWQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH47M2SPSWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH47M2SPSWQ-13

40V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH48M3SFVW-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 52.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.82W (Ta), 36.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH48M3SFVW-7

Description: DIODES INC. - DMTH48M3SFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52.4 A, 6900 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 2.82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm

auf Bestellung 1780 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

109+	2.3 EUR
183+	1.27 EUR
229+	0.94 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 109 Stücke

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DMTH48M3SFVW-7

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 52.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.82W (Ta), 36.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH48M3SFVWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 52.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.82W (Ta), 36.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH48M3SFVWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 52.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.82W (Ta), 36.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1938 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.8 EUR
19+	1.12 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

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DMTH48M3SFVWQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH48M3SFVWQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 52.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.82W (Ta), 36.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH48M3SFVWQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

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DMTH48M3SFVWQ-7

Description: DIODES INC. - DMTH48M3SFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52.4 A, 6900 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 36.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm

auf Bestellung 1950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

102+	2.46 EUR
183+	1.27 EUR
269+	0.8 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 102 Stücke

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DMTH4M40LPGW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI8080-5 T&R 2K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M40LPGW-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16698 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M40LPGWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16698 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	3.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M40LPGWQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI8080-5 T&R 2K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M40SPGW-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 319.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18011 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M40SPGW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI8080-5 T&R 2K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M40SPGWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 319.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18011 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	4.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M40SPGWQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI8080-5 T&R 2K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M70SPGW-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 428W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10053 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M70SPGW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI8080-5 T&R 2K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M70SPGWQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI8080-5 T&R 2K

auf Bestellung 1116 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.1 EUR
10+	4.66 EUR
100+	3.28 EUR
500+	2.93 EUR
1000+	2.84 EUR
2000+	2.75 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M70SPGWQ-13

40V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 168000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	2.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M70SPGWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 428W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10053 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4345 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.56 EUR
10+	4.96 EUR
100+	3.49 EUR
500+	2.92 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M70SPGWQ-13

DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 460A; 5.6W; PowerDI8080-5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 460A
Power dissipation: 5.6W
Case: PowerDI8080-5
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117.1nC
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M70SPGWQ-13

40V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M70SPGWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 428W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10053 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	2.48 EUR
4000+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M72SPGW-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 584A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9522 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M72SPGW-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 584A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9522 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M72SPGW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI8080-5 T&R 2K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M72SPGWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 584A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9522 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M72SPGWQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI8080-5 T&R 2K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M72SPGWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 584A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9522 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M75LPSW-13

Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9308 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M75LPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M75LPSWQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH4M75LPSWQ-13

Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9308 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

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DMTH4M75SPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

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DMTH4M75SPSW-13

Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9434 pF @ 20 V

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DMTH4M75SPSWQ-13

Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9434 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

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DMTH4M75SPSWQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

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DMTH4M90LPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

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