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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFU310PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Id = 1,7 А, Ptot, Вт = 2,5, Udss, В = 400, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 170 @ 25, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 3,6 Ом @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU310PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+1.07 EUR
178+0.96 EUR
600+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU310PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 1285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.09 EUR
100+0.86 EUR
133+0.64 EUR
150+0.58 EUR
600+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU310PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.7 A, 3.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.97 EUR
100+2.32 EUR
125+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU310PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 1.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU310PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU310PBF
Produktcode: 32370
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 1,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 170/12
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU310PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=400V, Id=1.7A@T=25C, Id=1.1A@T=100C, Rds=3.6 R, P=25W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU310TUSAMSUNG
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU320Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU320
Produktcode: 3361
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU320onsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU320Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFU320PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU320PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.62 EUR
81+1.06 EUR
90+0.95 EUR
99+0.87 EUR
150+0.83 EUR
525+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU320PBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 400V 3.1 Amp
auf Bestellung 3688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+1.76 EUR
100+1.42 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.11 EUR
3000+1.08 EUR
6000+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU320PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU320PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 2134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.38 EUR
131+1.78 EUR
165+1.3 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU320PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
auf Bestellung 2342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.08 EUR
75+1.84 EUR
150+1.67 EUR
525+1.39 EUR
1050+1.29 EUR
2025+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU320PBF(Transistor)
Produktcode: 71845
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU321Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU322Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
898+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 898 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU32DIORTO220/
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3303Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3303IR
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3303PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU330BTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
auf Bestellung 4090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1025+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1025 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU330BTUONSEMIDescription: ONSEMI - IRFU330BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1233+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3410Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
724+0.9 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 724 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.33 EUR
142+1.21 EUR
160+1.05 EUR
200+0.98 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3410PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 4688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+0.8 EUR
232+0.74 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3410PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU3410PBF - IRFU3410 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 73723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
604+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 604 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 52852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
724+0.9 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 724 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 4697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+1.06 EUR
221+0.76 EUR
233+0.69 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.52 EUR
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 9614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
724+0.9 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 724 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC
auf Bestellung 1238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.09 EUR
10+1.42 EUR
100+1.27 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.93 EUR
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
724+0.9 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 724 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
75+1.38 EUR
150+1.19 EUR
525+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3412IR
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3412PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 48A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3418PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 70A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6525 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3504PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3504ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
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IRFU3504ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
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IRFU3518
Produktcode: 52680
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFU3518-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 38A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
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IRFU3518PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 80V 38A IPAK=TO-251 Транзистори
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IRFU3518TRL-701IR05+
auf Bestellung 8485 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFU3607Infineon TechnologiesArray
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IRFU3607International RectifierN-MOSFET 56A 75V 140W IRFU3607 TIRFU3607
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFU3607-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 56A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
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IRFU3607PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 7340 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7340µohm
auf Bestellung 1233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.25 EUR
76+3.06 EUR
100+2.19 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+1.45 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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IRFU3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.96 EUR
182+0.94 EUR
188+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
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IRFU3607PBF
Produktcode: 191828
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFU3607PBFInfineonТранзистор N-MOSFET, полевой, 75В, 80А, 140Вт; IPAK Транзистори
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFU3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2464 Stücke
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IRFU3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2464+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2464 Stücke
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IRFU3607PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.62 EUR
75+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRFU3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+0.99 EUR
178+0.94 EUR
185+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3607PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+1.07 EUR
162+1.05 EUR
200+1 EUR
2000+0.99 EUR
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
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IRFU3607PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.9 EUR
10+3.14 EUR
100+2.14 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.61 EUR
3000+1.52 EUR
6000+1.45 EUR
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IRFU3607TRL701PInfineon / IRMOSFET MOSFET, 75V, 80A, 9 Ohm, 56 nC Qg, I-Pak
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IRFU3607TRL701PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 75V 56A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRFU3704Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
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IRFU3704
auf Bestellung 11500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFU3704PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
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IRFU3704ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 60A IPAK
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IRFU3706Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
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IRFU3706-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3706PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
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IRFU3706TRL-701IR06+
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFU3707Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK
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IRFU3707PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK
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IRFU3707ZIR04+
auf Bestellung 51600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFU3707ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 56A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3707ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 56A 9.5mOhm 9.6nC
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IRFU3707ZPBFIR
auf Bestellung 18075 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFU3707ZPBF
Produktcode: 103006
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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
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IRFU3708
auf Bestellung 1222 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFU3708Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK
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IRFU3708PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK
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IRFU3709Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3709IRDIP
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3709ZIR04+
auf Bestellung 42675 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFU3709Z-701PIR05+
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3709Z-701PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3709ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3709ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 86A 6.5mOhm 17nC
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3710Z
Produktcode: 99520
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2930/69
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.5 EUR
10+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3710ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3710Z-701Infineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU3710Z-701HRInfineon / IRInfineon
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