Produkte > IRF

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 225  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFU7833-701IR05+
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9010
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9010Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 5.3A TO251AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9010Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFU9010PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9010PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 5.3A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.13 EUR
75+1.87 EUR
150+1.68 EUR
525+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9010PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 5.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9010PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 50V 5.3 Amp
auf Bestellung 5966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.98 EUR
10+2.26 EUR
25+1.39 EUR
100+1.34 EUR
250+1.31 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9010PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 5.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9010PBFVISHAY
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9014VishayP-MOSFET 5.1A 60V 2.5W IRFU9014 TIRFU9014
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9014Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9014Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFU9014PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9014NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9014PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 60V 5.1 Amp
auf Bestellung 3961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.15 EUR
10+1.14 EUR
500+1.07 EUR
1000+1.04 EUR
3000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9014PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.5 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
auf Bestellung 1648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.47 EUR
127+1.83 EUR
172+1.25 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 2112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
75+1.17 EUR
150+1.14 EUR
525+1.12 EUR
1050+1.07 EUR
2025+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9020Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFU9020PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9020Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.9A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9020PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.9A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 8091 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.02 EUR
75+1.8 EUR
150+1.62 EUR
525+1.42 EUR
1050+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9020PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
auf Bestellung 2223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.05 EUR
10+2.34 EUR
100+2.12 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9022
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024SiliconixTranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 8,8A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU9024 TIRFU9024
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024AOU413AO
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024N
Produktcode: 28049
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NInternational RectifierP-MOSFET -55V -11A 38W HEXFET IRFU9024N TIRFU9024n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NIRTO251 10+
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Очікується: 5 Од. в
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 21 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 5912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
792+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 792 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 39296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.02 EUR
183+0.94 EUR
219+0.76 EUR
525+0.69 EUR
1050+0.67 EUR
2025+0.61 EUR
5025+0.56 EUR
10050+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.7nC
auf Bestellung 1363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.57 EUR
94+0.9 EUR
108+0.79 EUR
128+0.67 EUR
150+0.62 EUR
375+0.56 EUR
525+0.54 EUR
1050+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFU9024NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.72 EUR
154+1.51 EUR
173+1.25 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
792+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 792 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBFInternational RectifierIPAK=TO-251 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 39302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.04 EUR
182+0.92 EUR
219+0.74 EUR
525+0.65 EUR
1050+0.62 EUR
2025+0.55 EUR
5025+0.49 EUR
10050+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBF
Produktcode: 31708
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.94 EUR
10+0.84 EUR
100+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 18042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+1 EUR
188+0.92 EUR
222+0.76 EUR
525+0.68 EUR
1050+0.67 EUR
2025+0.6 EUR
5025+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT P-Ch -55V -11A 175mOhm 12.7nC
auf Bestellung 9203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.12 EUR
100+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.93 EUR
3000+0.84 EUR
6000+0.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 6325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
75+2.14 EUR
150+1.93 EUR
525+1.62 EUR
1050+1.49 EUR
2025+1.38 EUR
5025+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.88 EUR
126+1.37 EUR
150+1.27 EUR
525+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBF
Produktcode: 195135
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VBSEMITransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-251
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Id, A: 8,8 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,28 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 570/19
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 600 St.
  • 600 St. - erwartet 13.08.2026
1+0.7 EUR
10+0.63 EUR
100+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.52 EUR
93+1.82 EUR
126+1.29 EUR
150+1.18 EUR
525+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFIRFU9024PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+0.96 EUR
525+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.87 EUR
126+1.37 EUR
150+1.27 EUR
525+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBF
Produktcode: 49504
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
SILITransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-251
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Id, A: 8,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 570/19
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.7 EUR
10+0.63 EUR
100+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.88 EUR
56+3.03 EUR
78+2.09 EUR
150+1.81 EUR
525+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
auf Bestellung 3551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.23 EUR
100+1.93 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.43 EUR
93+1.82 EUR
125+1.3 EUR
150+1.19 EUR
525+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 8,8 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 570 @ 25, Rds = 280 мОм @ 5,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.2 EUR
92+1.87 EUR
150+1.71 EUR
525+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+2.26 EUR
64+1.33 EUR
75+1.14 EUR
150+1.08 EUR
525+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 2404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.84 EUR
100+2.32 EUR
123+1.75 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9100
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110IRTO-251
auf Bestellung 77665 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110Harris CorporationDescription: 3.1A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
auf Bestellung 1735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
833+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 833 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Gate charge: 8.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.69 EUR
66+1.3 EUR
80+1.07 EUR
84+1.02 EUR
150+0.93 EUR
525+0.79 EUR
1050+0.71 EUR
2025+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.93 EUR
134+1.74 EUR
152+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110PBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 3,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25, Qg, нКл = 8,7 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 1,9 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 100V 3.1 Amp
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+1.61 EUR
100+1.44 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 1877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.56 EUR
75+1.88 EUR
150+1.61 EUR
525+1.44 EUR
1050+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120
Produktcode: 1696
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 5,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,60 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
10000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120NIR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120NPBFInternational RectifierP-CH. 100V 6.6A IPAK=TO-251 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
auf Bestellung 1388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+3.24 EUR
49+1.77 EUR
56+1.54 EUR
75+1.46 EUR
150+1.38 EUR
375+1.24 EUR
1050+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU9120PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.88 EUR
141+1.52 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.25 EUR
68+2.55 EUR
84+2.02 EUR
150+1.78 EUR
375+1.57 EUR
1050+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 100V 5.6 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9210
Produktcode: 77978
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-251
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 1,9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,0 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 170/8,9
Anmerkung: MOSFET
Montage: THT
auf Bestellung: 215 St.
  • 215 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.94 EUR
10+0.84 EUR
100+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9210Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9210Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9210IRTO-251
auf Bestellung 46988 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9210PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 200V 1.9 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9210PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9210PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.57 EUR
10+2.94 EUR
100+2 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9210PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.9A; Idm: -7.6A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -7.6A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+1.14 EUR
107+0.8 EUR
119+0.71 EUR
300+0.63 EUR
750+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9210PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.2 EUR
300+1.05 EUR
750+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9214
auf Bestellung 45400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9214Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A I-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 225  [ Nächste Seite >> ]