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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPP60R280P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
50+1.96 EUR
100+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R280P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.05 EUR
86+1.96 EUR
100+1.69 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R280P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.21 EUR
50+3.58 EUR
100+1.89 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R299CP
Produktcode: 119116
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R299CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.66 EUR
10+3.56 EUR
100+2.84 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.03 EUR
2500+1.93 EUR
5000+1.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R299CPINFINEON
auf Bestellung 10700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R299CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R299CPXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R299CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.4 EUR
64+2.63 EUR
100+2.26 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R299CPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.59 EUR
50+2.8 EUR
100+2.52 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R299CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R299CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R299CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R299CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R299CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.39 EUR
65+2.68 EUR
100+2.34 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R299CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R330P6Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R330P6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 600V TO220-3-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
auf Bestellung 46245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
222+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+3.06 EUR
100+2.43 EUR
250+2.24 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.75 EUR
2500+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 9795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.34 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 600V TO220-3-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 23500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.34 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.88 EUR
10000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP60R360CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.295 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.34 EUR
68+3.44 EUR
100+2.55 EUR
500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360P7Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360P7Infineon
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360P7Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.61 EUR
122+1.42 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.01 EUR
118+1.43 EUR
129+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.25 EUR
95+1.77 EUR
109+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.43 EUR
109+1.55 EUR
122+1.32 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
auf Bestellung 1296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.38 EUR
50+2.13 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.81 EUR
52+1.67 EUR
59+1.45 EUR
72+1.19 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.78 EUR
113+1.52 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.45 EUR
103+2.27 EUR
133+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 5748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+2.12 EUR
100+1.77 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.25 EUR
95+1.82 EUR
109+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.14 EUR
98+1.73 EUR
113+1.44 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R360P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R380C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 10.6A TO220-3 CoolMOS C6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R380C6Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R380C6INFINEONTO-220 09+
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R380C6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R380C6XKSA1 - IPP60R380 10.6A, 600V, N-CHANEL POWER M
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 251 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R380C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.94 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R380C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R380C6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 10.6A TO220-3 CoolMOS C6
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R380C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 15743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.94 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.34 EUR
10000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R380C6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 83W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Drain current: 10.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.38Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R380E6Infineon TechnologiesDescription: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R380E6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 10.6A TO220-3 CoolMOS E6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R380E6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R380E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.68 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R380E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
195+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R380E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.68 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R380E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R380E6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP60R380E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.3 EUR
70+3.32 EUR
100+2.31 EUR
500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R380P6Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R380P6Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R380P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R380P6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R380P6XKSA1 - IPP60R380 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+3 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R380P6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R385CPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
229+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 229 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R385CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R385CPINFINEONSOT-23
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R385CPXKInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R385CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.48 EUR
500+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R385CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R385CPXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R385CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.48 EUR
500+2.2 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R385CPXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.385Ω
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R385CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R385CPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R385CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.54 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R385CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R385CPXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R385CPXKSA1 - IPP60R385 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R450E6Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R450E6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 9.2A TO220-3 CoolMOS E6
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R450E6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R450E6XKSA1 - IPP60R450 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R450E6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 9.2A TO220-3 CoolMOS E6
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R450E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R520C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 8.1A TO220-3 CoolMOS C6
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R520C6Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R520C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R520C6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R520C6XKSA1 - IPP60R520 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R520C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
370+1.77 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 370 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R520C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 17550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
370+1.77 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.42 EUR
10000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 370 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R520C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 7489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
370+1.77 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 370 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R520C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
auf Bestellung 28550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
295+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R520C6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 8.1A TO220-3 CoolMOS C6
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R520C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
370+1.77 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 370 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R520CPInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
258+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
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IPP60R520CPROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R520CP - IPP60R520 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
364+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
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IPP60R520CPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
323+2.02 EUR
500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R520CPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220-3
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R520E6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 8.1A TO220-3 CoolMOS E6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R520E6Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 373 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R520E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Produkt ist nicht verfügbar
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