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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PBSS4160DSHNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 700000mW 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160DSHNexperia USA Inc.Description: TRANS 2NPN 60V 870MA 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 290mW
Current - Collector (Ic) (Max): 870mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160DSHNEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS4160DSH - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 870 mA, 420 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 420mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 870mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.96 EUR
203+1.14 EUR
320+0.67 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160DSZNexperia USA Inc.Description: TRANS 2NPN 60V 1A SC-74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160DSZNexperiaBipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160DSZNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 700000mW 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160K
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160K,115NXP USA Inc.Description: TRANS NPN 60V 0.75A SMT3
Power - Max: 425 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA
Supplier Device Package: SMT3; MPAK
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PAN,115NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PAN,115NXP SemiconductorsTrans GP BJT NPN 60V 1A Automotive 6-Pin HUSON EP T/R
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
881+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 881 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PAN,115NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
885+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 885 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PAN,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PAN,115NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
789+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 789 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PAN,115NXPDescription: NXP - PBSS4160PAN,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 22598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2572+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2572 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PAN,115NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
881+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 881 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PAN,115NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
675+0.26 EUR
695+0.25 EUR
717+0.23 EUR
740+0.21 EUR
764+0.2 EUR
789+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 675 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PAN,115NXP SemiconductorsTrans GP BJT NPN 60V 1A Automotive 6-Pin HUSON EP T/R
auf Bestellung 3698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
881+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 881 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PAN,115NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PAN,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
25+0.87 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PAN,115NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
885+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 885 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PAN,115NexperiaBipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+0.88 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PAN-QXNexperia USA Inc.Description: PBSS4160PAN-Q/SOT1118/HUSON6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PAN-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT1118/HUSON6 NPN/NPN TRANS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANP,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANP,115NexperiaTrans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
881+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 881 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANP,115NexperiaBipolar Transistors - BJT PBSS4160PANP/SOT1118/HUSON6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANP,115NexperiaTrans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANP,115NexperiaTrans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANP,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANP,115NexperiaTrans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANP-QXNexperia USA Inc.Description: PBSS4160PANP-Q/SOT1118/HUSON6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A / 340mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 100mA, 2V / 170 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz, 125MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANP-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT1118 60V 1A NPN/PNP BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANPSNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2017 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANPS115NXPDescription: NXP - PBSS4160PANPS115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2691+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2691 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANPS115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Frequency - Transition: 175MHz, 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Power - Max: 370mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2112+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANPSXNXP SemiconductorsTrans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1113+0.6 EUR
10000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANPSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS4160PANPSX - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2691+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2691 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANPSXNexperiaTrans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
922+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
10000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 922 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANPSXNexperiaTrans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW Automotive 6-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANPSXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A DFN2020D-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA / 340mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V / 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz, 125MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
20+1.07 EUR
50+0.79 EUR
100+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANPSXNXPDescription: NXP - PBSS4160PANPSX - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2691+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2691 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANPSXNexperiaTrans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW Automotive 6-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANPSXNexperiaTrans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 18443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
922+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
10000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 922 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANPSXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A DFN2020D-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA / 340mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V / 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz, 125MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANS-QXNexperia USA Inc.Description: PBSS4160PANS-Q/SOT1118/HUSON6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANS-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT1118/HUSON6 NPN/NPN TRANS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANS115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2017 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANSXNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive 6-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2170+0.31 EUR
10000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANSXNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 60V; 1A; DFN2020D-6,SOT1118D
Case: DFN2020D-6; SOT1118D
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN x2
Kind of package: reel; tape
Frequency: 175MHz
Collector current: 1A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160PANSXNexperia USA Inc.Description: TRANS 2NPN 60V 1A DFN2020D-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
20+1.06 EUR
50+0.77 EUR
100+0.68 EUR
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PBSS4160PANSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS4160PANSX - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 510 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 70hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 175MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 510mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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PBSS4160PANSXNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive 6-Pin DFN-D EP T/R
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PBSS4160PANSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS4160PANSX - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 510 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 70hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 175MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 510mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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PBSS4160PANSXNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive 6-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 6843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2170+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2170 Stücke
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PBSS4160PANSXNexperia USA Inc.Description: TRANS 2NPN 60V 1A DFN2020D-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Part Status: Active
Frequency - Transition: 175MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Power - Max: 370mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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PBSS4160PANSXNexperiaBipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT1118 60V
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+0.84 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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PBSS4160QA-QZNexperia USA Inc.Description: PBSS4160QA-Q/SOT1215/DFN1010D-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 235mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 325 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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PBSS4160QA-QZNexperiaBipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A NPN low VCEsat transistor
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 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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PBSS4160QA147NXPDescription: NXP - PBSS4160QA147 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 290000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5307+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5307 Stücke
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PBSS4160QA147NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
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PBSS4160QAZNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4280+0.15 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4280 Stücke
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PBSS4160QAZNexperiaBipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT1215 60V
auf Bestellung 2393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.84 EUR
10+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.2 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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PBSS4160QAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS4160QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160QAZNXP SemiconductorsTrans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 135000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2195+0.3 EUR
10000+0.26 EUR
100000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160QAZNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 60V 1A DFN1010D-3
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.07 EUR
33+0.64 EUR
50+0.46 EUR
100+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160QAZNXP SemiconductorsTrans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 130000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2195+0.3 EUR
10000+0.26 EUR
100000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160QAZNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160QAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS4160QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160QAZNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160QAZNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 60V 1A DFN1010D-3
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160QAZNXP SemiconductorsTrans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2195+0.3 EUR
10000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160TNXP
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160TNXPTRANS NPN 60V 1A SOT-23 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160T,215NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
629+0.39 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.26 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 629 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160T,215NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160T,215NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1491000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21000+0.086 EUR
30000+0.063 EUR
75000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 21000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160T,215NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160T,215NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4330+0.15 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160T,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS4160T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 270 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
199+1.26 EUR
336+0.69 EUR
500+0.43 EUR
752+0.29 EUR
1045+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 199 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160T,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 60V 1A TO-236AB
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160T,215NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1491000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21000+0.086 EUR
30000+0.064 EUR
75000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 21000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160T,215NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160T,215NexperiaBipolar Transistors - BJT SOT23 60V 1A NPN BISS TRAN
auf Bestellung 24733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.43 EUR
100+0.29 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160T,215NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4330+0.15 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160T,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS4160T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 270 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
199+1.26 EUR
336+0.69 EUR
500+0.43 EUR
752+0.29 EUR
1045+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 199 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160T,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 60V 1A TO-236AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 220MHz
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4160T,215NEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 100...400
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 220MHz
Collector current: 1A
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PBSS4160T-QRNexperia USA Inc.Description: PBSS4160T-Q/SOT23/TO-236AB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 270 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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PBSS4160T-QRNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.082 EUR
10000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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PBSS4160T-QRNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
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PBSS4160T-QRNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.082 EUR
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PBSS4160T-QVLNexperiaBipolar Transistors - BJT PBSS4160T-Q/SOT23/TO-236AB
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100+0.31 EUR
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1000+0.17 EUR
2500+0.14 EUR
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PBSS4160T-QVLNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
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PBSS4160T-QVLNexperia USA Inc.Description: PBSS4160T-Q/SOT23/TO-236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 270 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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PBSS4160TVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS4160TVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 900 mA, 270 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 270mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 900mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 63 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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PBSS4160TVLNXP SemiconductorsTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PBSS4160TVLNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 60V 1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 400 mW
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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PBSS4160TVLNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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8427+0.079 EUR
10000+0.069 EUR
100000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 8427 Stücke
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PBSS4160TVLNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8427+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 8427 Stücke
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PBSS4160TVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS4160TVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 900 mA, 270 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 270mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 900mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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