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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PSMN021-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
336+1.95 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 336 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN021-100YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.81 EUR
3000+0.75 EUR
4500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN021-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN021-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN022-30BL,118NexperiaMOSFET Std N-chanMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN022-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN022-30BL,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
393+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 393 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN022-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN022-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+2.78 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN022-30PL,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN022-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN022-30PL,127NexperiaMOSFET PSMN022-30PL/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 4185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+2.08 EUR
100+1.96 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.29 EUR
5000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN023-40YLCXNXPMOSFET N CH 40V 24A LFPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN023-40YLCXNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 24A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN023-80LS,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-100
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-1000
auf Bestellung 1523 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-100DNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-100DPHILIPS03+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-100D /T3NXP SemiconductorsMOSFETs TAPE13 PWR-MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-100D,118NXPMOSFET N-CH 100V 47A SOT428 (IRFR3412TR) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-100D,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 47A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-100D,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
auf Bestellung 2525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-100D,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 47A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-100HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN025-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29.5 A, 29.5 A, 0.0245 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0245ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.7 EUR
51+4.59 EUR
100+2.95 EUR
500+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-100HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-100HSXNexperiaMOSFETs SOT1205 100V 29.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-100HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN025-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29.5 A, 29.5 A, 0.0245 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0245ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
500+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-100HSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 29.5A 8-Pin LFPAK-D
auf Bestellung 1376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+2.95 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-100HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.69 EUR
10+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-80YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN025-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 95
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.48 EUR
120+1.94 EUR
170+1.26 EUR
500+1 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.67 EUR
3000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-80YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.63 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-80YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN025-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0205
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.48 EUR
120+1.94 EUR
170+1.26 EUR
500+1 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-80YLXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 80V 37A
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.56 EUR
100+1.02 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.62 EUR
1500+0.57 EUR
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-80YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.31 EUR
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PSMN025100DNXP
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PSMN026-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 34A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN026-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 40 V
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PSMN026-80YS,115
Produktcode: 125967
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Transistoren > MOSFET N-CH
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PSMN026-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 34A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN026-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 34A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN026-80YS,115NexperiaMOSFETs PSMN026-80YS/SOT669/LFPAK
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PSMN026-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 40 V
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10+2.18 EUR
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PSMN026-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 34A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN026-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 34A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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9000+0.4 EUR
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PSMN027-100BS,118NexperiaMOSFET N-CH 100V 26.8 MOHM MOSFET
auf Bestellung 477 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN027-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1624 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
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PSMN027-100BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W
Case: D2PAK; SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 148A
Drain current: 37A
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 59mΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN027-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1624 pF @ 50 V
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PSMN027-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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134+1.58 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.2 EUR
10000+1.17 EUR
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PSMN027-100PS,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W
Case: SOT78; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 148A
Drain current: 37A
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 59mΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN027-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 27092 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.58 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
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PSMN027-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.11 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.69 EUR
10000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN027-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN027-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 13750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.37 EUR
3400+2.13 EUR
6800+1.94 EUR
10200+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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PSMN027-100PS,127NexperiaMOSFET PSMN027-100PS/SOT78/SIL3P
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2+2.53 EUR
10+2.12 EUR
100+1.84 EUR
250+1.83 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.49 EUR
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PSMN027-100PS,127
Produktcode: 180360
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Transistoren > MOSFET N-CH
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PSMN027-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 23555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.58 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.19 EUR
2500+1.13 EUR
10000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
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PSMN027-100PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 37A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1624 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN027-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 27092 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.29 EUR
250+1.23 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN027-100PS127Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN027-100PS - POW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN027-100XS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.8mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1624 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN028-100HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN028-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29 A, 29 A, 0.0275 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0275ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.92 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN028-100HSXNexperiaPSMN028-100HSX
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.68 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN028-100HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
10+2.62 EUR
100+2.08 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN028-100HSXNexperiaMOSFETs SOT1205 100V 29A
auf Bestellung 2911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.25 EUR
10+2.73 EUR
100+2.12 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.21 EUR
3000+1.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN028-100HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN028-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 29 A, 29 A, 0.0275 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0275ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.5 EUR
46+5.11 EUR
100+2.92 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN028-100HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN028-100YS
Produktcode: 101700
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN028-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 42A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN028-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 42A LFPAK56
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1634 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
auf Bestellung 7315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.27 EUR
11+2.06 EUR
50+1.54 EUR
100+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN028-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 42A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN028-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 42A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1634 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.93 EUR
3000+0.86 EUR
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PSMN028-100YS,115NexperiaMOSFETs PSMN028-100YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 7208 Stücke:
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2+2.51 EUR
10+1.61 EUR
100+1.13 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.8 EUR
1500+0.74 EUR
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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PSMN028-100YS115NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA 30A, 100V, 0.0275OH
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PSMN028N10NS2-R2PanjitMOSFETs
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PSMN028N10NS2-R2-002PanjitMOSFETs TOLL 100V 240A
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PSMN028N10NS2_R2_00201Panjit International Inc.Description: 100V/ 2.8M / TOLL FOR INDUSTRAIL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.81 EUR
10+6.54 EUR
100+4.69 EUR
500+3.89 EUR
1000+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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PSMN028N10NS2_R2_00201Panjit International Inc.Description: 100V/ 2.8M / TOLL FOR INDUSTRAIL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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PSMN028N10NS2_R2_00201PanjitMOSFETs 100V 2.8mohms TOLL for Industrail market
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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PSMN028N10NS2_R2_00201PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; Idm: 960A; 167W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 960A
Power dissipation: 167W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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PSMN029-100HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN029-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6 EUR
53+4.4 EUR
100+3.24 EUR
500+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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PSMN029-100HLXNexperiaMOSFETs SOT1205 100V 30A
auf Bestellung 3550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.02 EUR
10+3.19 EUR
100+2.15 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.26 EUR
3000+1.23 EUR
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PSMN029-100HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3637pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.06 EUR
10+4.59 EUR
50+3.52 EUR
100+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN029-100HLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK-D
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN029-100HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN029-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.24 EUR
500+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN029-100HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3637pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN029-100HLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK-D
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-150
auf Bestellung 18400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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PSMN030-150B
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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PSMN030-150B
Produktcode: 26445
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-150B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-150B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-150P
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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PSMN030-150P,127NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 55.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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PSMN030-150P,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 55.5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-150P,127NexperiaMOSFET PSMN030-150P/SOT78/SIL3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
463+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 463 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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