Produkte > SI5
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| SI5463EDC-TI | SI | 1 TO23-6 | auf Bestellung 2333 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5465EDC | SI | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SI5468DC-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5468DC-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI5468DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.023 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 5.7mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm | auf Bestellung 4220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI5468DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V | auf Bestellung 7201 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI5468DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI5468DC-T1-GE3 | VISHAY | SOT26/SOT363 | auf Bestellung 1955 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5468DC-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET | auf Bestellung 65502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI5471DC | auf Bestellung 1080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI5471DC-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI5471DC-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI5471DC-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Bauform - Transistor: 1206 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1749 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI5471DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 10 V | auf Bestellung 6440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI5471DC-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET | auf Bestellung 47467 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI5471DC-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R | auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI5471DC-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R | auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI5471DC-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Bauform - Transistor: 1206 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1749 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI5471DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 10 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI5473DC-T | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI5473DC-T1 | VISHAY | auf Bestellung 6900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SI5473DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5473DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5475BDC-T1-E3 | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI5475BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5475BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5475DC | VISHAY | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SI5475DC-T1 | VISHAY | 0421+ | auf Bestellung 1001 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5475DC-T1-E3 | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI5475DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 1mA (Min) Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5475DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 1mA (Min) Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5475DDC-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 12V 6.0A 5.7W 32mohm @ 4.5V | auf Bestellung 3956 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5475DDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5475DDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5475DDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5476DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5476DU-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI5476DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.028 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 12 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 31 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 31 Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5476DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 12A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V | auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI5476DU-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI5476DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 12A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5476DU-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET | auf Bestellung 5440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI5476DU-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5479DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 17.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.9A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5480DU | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI5480DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5480DU-T1-E3 | auf Bestellung 21947 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI5480DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5481DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 17.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5481DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 17.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5482DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5482DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5484DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5484DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5484DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5484DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5485DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5485DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5486DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5486DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5486DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12A CHIPFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5486DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12A CHIPFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5499DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 4 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Vgs (Max): ±5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5499DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 4 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI54C-03200 | Утримувач NanoSim карти з відкидною металевою кришкою. HOLDER | auf Bestellung 1976 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SI54C-03200 | ---- | Держатель NanoSim карты типа c откидной металлической крышкой Аксесуари для GSM модемів | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI550 | SILICON | auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SI5504BDC-T1-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI5504BDC-T1-E3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.053 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.12W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.12W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI5504BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8 Part Status: Active Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 3.12W, 3.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5504BDC-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs RECOMMENDED ALT SI55 | auf Bestellung 108243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI5504BDC-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.5A 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5504BDC-T1-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI5504BDC-T1-E3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.053 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.12W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.12W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI5504BDC-T1-E3 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI5504BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.12W, 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Active | auf Bestellung 2690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI5504BDC-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.5A 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5504BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.12W, 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Active | auf Bestellung 33298 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI5504BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.12W, 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Active | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI5504BDC-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.5A 8-Pin Chip FET T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5504BDC-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs RECOMMENDED ALT SI55 | auf Bestellung 433 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI5504DC | VISHAY | auf Bestellung 10400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SI5504DC-T1 | VISHAY | 03+ 1206-8 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5504DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5504DC-T1-E3 | VISHAY | SMD | auf Bestellung 86200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5504DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5504DC-T1-E3(P/B) | VISHAY | 06PB | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5504DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5504DC-TI | SI | 02+ SOT-323-6 | auf Bestellung 2677 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5505AVC-X | auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI5508A-B13214-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:18 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5508A-B13915-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:18 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5508A-B14017-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Number of Circuits: 1 Divider/Multiplier: Yes/No PLL: Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) Differential - Input:Output: Yes/Yes Ratio - Input:Output: 6:18 Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Input: CMOS Type: Clock Jitter Attenuator Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5508A-B14017-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Number of Circuits: 1 Divider/Multiplier: Yes/No PLL: Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) Differential - Input:Output: Yes/Yes Ratio - Input:Output: 6:18 Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Input: CMOS Type: Clock Jitter Attenuator Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5508C-B13215-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:18 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5508C-B14941-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:18 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5508C-B15717-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: SI5508C-B15717-GMR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Type: Clock Jitter Attenuator Input: CMOS Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Ratio - Input:Output: 6:18 Differential - Input:Output: Yes/Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5509DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 4.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5509DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 Power - Max: 4.5W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 4.8A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5509DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5510A-B13213-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Number of Circuits: 1 Divider/Multiplier: Yes/No PLL: Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) Differential - Input:Output: Yes/Yes Ratio - Input:Output: 6:18 Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Input: CMOS Type: Jitter Attenuator Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5510A-B13213-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: Linear IC's Number of Circuits: 1 Divider/Multiplier: Yes/No PLL: Yes Supplier Device Package: 72-QFN (10x10) Differential - Input:Output: Yes/Yes Ratio - Input:Output: 6:18 Voltage - Supply: 1.8V, 3.3V Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA) Input: CMOS Type: Jitter Attenuator Frequency - Max: 650MHz, 3.2GHz Output: CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 72-VFQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5510A-B13916-GM | Skyworks Solutions | SI5510A-B13916-GM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI5511DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.6A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W, 2.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |