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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPL65R165CFDAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21.3A 4-Pin VSON EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 13124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+4.83 EUR
500+4.52 EUR
1000+4.18 EUR
10000+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R165CFDAUMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R165CFDAUMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21.3A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 679840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+3.52 EUR
500+3.28 EUR
1000+3.03 EUR
10000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R165CFDAUMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21.3A 4-Pin VSON EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R165CFDAUMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R165CFDAUMA2Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R165CFDAUMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21.3A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 5748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+3.52 EUR
500+3.28 EUR
1000+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R165CFDAUMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21.3A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R190E6AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 20.2A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R190E6AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R190E6AUMA1938Infineon TechnologiesDescription: IPL65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R195C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R195C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+2.58 EUR
500+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R195C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R195C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.27 EUR
47+4.99 EUR
100+3.38 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R195C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R195C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R195C7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 75W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 75W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R195C7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
auf Bestellung 2671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.12 EUR
10+4.65 EUR
100+3.39 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.64 EUR
3000+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R195C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.96 EUR
49+3.55 EUR
100+2.64 EUR
500+2.15 EUR
3000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R195C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.64 EUR
10+5.02 EUR
100+3.52 EUR
500+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R195C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.13 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R195C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.96 EUR
49+3.47 EUR
100+2.55 EUR
500+2.05 EUR
3000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K0C6SATMA1Infineon TechnologiesIPL65R1K0C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 650V 4.2A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 37628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
402+1.63 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.3 EUR
10000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K0C6SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 4.2A ThinPAK 5x6
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.05 EUR
10+3.64 EUR
100+2.84 EUR
500+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K0C6SATMA1Infineon TechnologiesIPL65R1K0C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 650V 4.2A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 18286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
402+1.63 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.3 EUR
10000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K0C6SATMA1Infineon TechnologiesIPL65R1K0C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 650V 4.2A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
402+1.63 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K0C6SATMA1Infineon TechnologiesIPL65R1K0C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 650V 4.2A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 8224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
402+1.63 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K0C6SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 4.2A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K5C6SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 26.6W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
auf Bestellung 81852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
368+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 368 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
auf Bestellung 23877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
460+1.42 EUR
511+1.26 EUR
1000+1.13 EUR
10000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 460 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
460+1.42 EUR
511+1.26 EUR
1000+1.13 EUR
10000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 460 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.7 EUR
102+1.65 EUR
153+1.06 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.6 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 3A ThinPAK 5x6
auf Bestellung 4754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.22 EUR
10+2.01 EUR
100+1.33 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.94 EUR
2500+0.86 EUR
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
auf Bestellung 38647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
460+1.42 EUR
511+1.26 EUR
1000+1.13 EUR
10000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 460 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K5C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
auf Bestellung 9328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
460+1.42 EUR
511+1.26 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 460 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K5C6SE8211ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
616+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 616 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R1K5C6SE8211ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPL65R1K5 - 650V AND 700V COOLMO
auf Bestellung 12514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
443+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 443 Stücke
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IPL65R1K5C6SE8211ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP
auf Bestellung 7514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
616+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 616 Stücke
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IPL65R200CFD7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R200CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.162 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 81W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.162ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R200CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 14A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IPL65R200CFD7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7 EUR
10+4.57 EUR
100+3.31 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.57 EUR
3000+2.4 EUR
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IPL65R200CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IPL65R200CFD7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R200CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.162 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 81W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPL65R200CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 14A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+3.15 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
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IPL65R200CFD7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IPL65R200CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.06 EUR
10+4.62 EUR
100+3.22 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPL65R210CFDAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.6A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16.6A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R210CFDAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON
Produkt ist nicht verfügbar
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IPL65R210CFDAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
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IPL65R210CFDAUMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IPL65R210CFDAUMA2Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IPL65R230C7Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
auf Bestellung 6349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.53 EUR
10+4.25 EUR
100+2.98 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.34 EUR
3000+2.18 EUR
6000+2.15 EUR
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IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 7246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.87 EUR
54+3.13 EUR
100+2.11 EUR
500+1.76 EUR
3000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 13697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+2.83 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.26 EUR
10000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
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IPL65R230C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 67W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+2.83 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
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IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+2.83 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
auf Bestellung 6837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.53 EUR
10+4.25 EUR
100+2.95 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 201000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.77 EUR
102000+2.51 EUR
153000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 2371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+2.83 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R230C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 67W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 2753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+2.83 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+2.83 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2 EUR
6000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R230C7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 67W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 67W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R230C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 7246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.87 EUR
54+3.2 EUR
100+2.19 EUR
500+1.86 EUR
3000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R310E6AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 104W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 104W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R310E6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.1A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+2.95 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R310E6AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.1A THIN-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R340CFDAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.9A; 104.2W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.9A
Power dissipation: 104.2W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R340CFDAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.9A THIN-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R340CFDAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 10.9A VSON-5
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.76 EUR
10+6.07 EUR
100+4.99 EUR
500+4.25 EUR
1000+3.72 EUR
3000+3.71 EUR
6000+3.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R340CFDAUMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.9A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R340CFDAUMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.9A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R340CFDAUMA2Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R420E6AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.1A THIN-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R420E6AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; 83W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 83W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R460CFDAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8.3A THIN-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R460CFDAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.3A; 83.3W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 83.3W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IPL65R460CFDAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 8.3A VSON-5
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IPL65R650C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
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IPL65R650C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
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IPL65R650C6SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 6.7A ThinPAK 5x6
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IPL65R650C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
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IPL65R650C6SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
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IPL65R650C6SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IPL65R650C6SE8211ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPL65R650 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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IPL65R660E6Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER PRICE/PERFORM
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IPL65R660E6AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 7A THIN-PAK
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IPL65R660E6AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7A 4-Pin VSON EP T/R
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289+2.26 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
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IPL65R660E6AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 63W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 63W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IPL65R725CFDAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 4VSON
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IPL70R2K1CESATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET COOLMOS 700V 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
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IPL70R2K1CESATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
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IPL76Hammond ManufacturingDescription: PLINTH 700 X 600MM X 4"
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