Produkte > IPL
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPL65R160CFD7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL65R160CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.132 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2A - 4 Wochen Verlustleistung Pd: 98W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 98W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.132ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm | auf Bestellung 2810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R160CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-VSON-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL65R160CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin VSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R165CFD | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R165CFDAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R165CFDAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON | auf Bestellung 25894 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL65R165CFDAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21.3A 4-Pin VSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 13124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R165CFDAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R165CFDAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21.3A 4-Pin VSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 13894 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R165CFDAUMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21.3A 4-Pin VSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R165CFDAUMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21.3A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 679840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R165CFDAUMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21.3A 4-Pin VSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R165CFDAUMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R165CFDAUMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R165CFDAUMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R165CFDAUMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21.3A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 5748 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R190E6AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R190E6AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R190E6AUMA1938 | Infineon Technologies | Description: IPL65R190 - 650V AND 700V COOLMO Packaging: Bulk Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA Supplier Device Package: PG-VSON-4-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R195C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R195C7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 2604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R195C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R195C7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-VSON-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R195C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R195C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R195C7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-VSON-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2472 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL65R195C7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2594 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R195C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 279 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R195C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | auf Bestellung 2671 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL65R195C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R195C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 75W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A Power dissipation: 75W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.195Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R1K0C6SATMA1 | Infineon Technologies | IPL65R1K0C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 650V 4.2A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com | auf Bestellung 37628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R1K0C6SATMA1 | Infineon Technologies | IPL65R1K0C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 650V 4.2A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com | auf Bestellung 18286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R1K0C6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 4.2A ThinPAK 5x6 | auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL65R1K0C6SATMA1 | Infineon Technologies | IPL65R1K0C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 650V 4.2A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R1K0C6SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 4.2A THIN-PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R1K0C6SATMA1 | Infineon Technologies | IPL65R1K0C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 650V 4.2A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com | auf Bestellung 8224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R | auf Bestellung 38647 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 3A ThinPAK 5x6 | auf Bestellung 4754 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL65R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R | auf Bestellung 9328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R1K5C6SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3A Power dissipation: 26.6W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R | auf Bestellung 23877 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V | auf Bestellung 81852 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL65R1K5C6SE8211ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP | auf Bestellung 7514 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R1K5C6SE8211ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IPL65R1K5 - 650V AND 700V COOLMO | auf Bestellung 12514 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL65R1K5C6SE8211ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R200CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R200CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R200CFD7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL65R200CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.162 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2A - 4 Wochen Verlustleistung Pd: 81W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 81W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.162ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 32 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R200CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 14A 4-Pin VSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R200CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL65R200CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V | auf Bestellung 2978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL65R200CFD7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL65R200CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.162 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 81W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R200CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 14A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R210CFDAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R210CFDAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R210CFDAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.6A; 151W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16.6A Power dissipation: 151W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R210CFDAUMA2 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R210CFDAUMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R230C7 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7 | auf Bestellung 6349 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V | auf Bestellung 6837 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 7246 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 7246 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R230C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 67W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A Power dissipation: 67W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 13697 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL65R230C7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 67W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 3171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 201000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 2371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R230C7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 67W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 2753 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R310E6AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 13.1A THIN-PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R310E6AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13.1A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R310E6AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 104W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13.1A Power dissipation: 104W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.31Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R340CFDAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 10.9A VSON-5 | auf Bestellung 1540 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL65R340CFDAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 10.9A THIN-PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R340CFDAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.9A; 104.2W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.9A Power dissipation: 104.2W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R340CFDAUMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.9A 4-Pin VSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R340CFDAUMA2 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R340CFDAUMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 10.9A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R420E6AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; 83W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.1A Power dissipation: 83W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.42Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R420E6AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 10.1A THIN-PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R460CFDAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 8.3A VSON-5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R460CFDAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.3A; 83.3W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8.3A Power dissipation: 83.3W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.46Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R460CFDAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 8.3A THIN-PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R650C6SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R | auf Bestellung 2830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R650C6SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R650C6SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL65R650C6SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R | auf Bestellung 3295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R650C6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 6.7A ThinPAK 5x6 | auf Bestellung 15192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL65R650C6SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R | auf Bestellung 21726 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R650C6SE8211ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IPL65R650 - 650V AND 700V COOLMO Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |