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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPP65R095C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 2173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.37 EUR
10+7.25 EUR
25+6.45 EUR
100+5.63 EUR
250+5.18 EUR
500+4.86 EUR
1000+4.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.12 EUR
10+8.82 EUR
25+5.24 EUR
100+4.82 EUR
500+4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.54 EUR
50+6.09 EUR
100+5.56 EUR
500+4.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.35 EUR
30+5.46 EUR
100+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.4 EUR
22+8.06 EUR
36+4.78 EUR
50+4.58 EUR
100+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.13 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R095C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 128W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.74 EUR
25+9.56 EUR
100+7.33 EUR
500+6.24 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 38A TO220-3
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+6 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099C6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099C6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R099C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.089 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 38
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 278
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 278
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C6
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.089
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 38A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099CFD7AAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099CFD7AAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R099CFD7AAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.22 EUR
29+8.03 EUR
100+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.78 EUR
10+8.57 EUR
100+7.02 EUR
500+5.95 EUR
1000+5.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+4.78 EUR
500+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R099CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.64 EUR
50+9.27 EUR
200+5.38 EUR
500+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFDInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 31.2A TO220-3 CoolMOS CFD2
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.92 EUR
10+8.48 EUR
100+6.24 EUR
500+5.53 EUR
1000+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.69 EUR
10+7 EUR
100+5.21 EUR
500+4.36 EUR
1000+4.06 EUR
2500+3.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+3.63 EUR
500+3.39 EUR
1000+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFD7XKSA1InfineonN-Channel 650 V 22A (Tc) 114W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFD7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R110CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.087 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.38 EUR
48+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+3.63 EUR
500+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFD7XKSA1-HXYHXY MOSFETN-Channel 650 V 22A (Tc) 114W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFDAAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 31.2A TO220-3
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.97 EUR
10+9.34 EUR
100+7.52 EUR
500+6.37 EUR
1000+5.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFDAAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFDAAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R110CFDAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.34 EUR
25+9.33 EUR
100+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFDAAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFDAAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFDAAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFDXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFDXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
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IPP65R110CFDXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R110CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CF2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.25 EUR
27+8.6 EUR
100+6.43 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IPP65R110CFDXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+7.83 EUR
100+7.33 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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IPP65R110CFDXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPP65R110CFDXKSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPP65R110CFDXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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IPP65R110CFDXKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
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IPP65R110CFDXKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.35 EUR
50+6.56 EUR
100+6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPP65R115CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.09 EUR
10+6.12 EUR
100+4.96 EUR
500+4.02 EUR
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IPP65R115CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPP65R115CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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IPP65R115CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IPP65R115CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPP65R115CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+4.05 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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IPP65R125C7Infineon TechnologiesDescription: IPP65R125 - 650V AND 700V COOLMO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
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IPP65R125C7
Produktcode: 186997
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IPP65R125C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
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IPP65R125C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPP65R125C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPP65R125C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.32 EUR
25+6.84 EUR
43+3.8 EUR
100+3.34 EUR
500+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IPP65R125C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.91 EUR
10+7.39 EUR
25+4.3 EUR
100+3.96 EUR
500+3.2 EUR
1000+3.14 EUR
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IPP65R125C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R125C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.82 EUR
50+4.71 EUR
100+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IPP65R125C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.2 EUR
50+6.88 EUR
500+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IPP65R125C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.54 EUR
50+4.31 EUR
100+4.08 EUR
500+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPP65R125C7XKSA1InfineonMOSFET N-CH 650V 18A TO220-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP65R125C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.32 EUR
25+7 EUR
43+3.94 EUR
100+3.53 EUR
500+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IPP65R145CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R145CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R145CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R145CFD7AAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+3.55 EUR
500+3.32 EUR
1000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
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IPP65R150CFD
Produktcode: 127257
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
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IPP65R150CFDInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 22.4A TO220-3
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.77 EUR
10+7.38 EUR
25+6.95 EUR
100+5.97 EUR
250+5.63 EUR
500+5.3 EUR
1000+4.55 EUR
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IPP65R150CFDAInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 22.4A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R150CFDAAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R150CFDAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 22.4
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 195.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 195.3
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R150CFDAAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R150CFDAAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R150CFDAAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 22.4A TO220-3
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.48 EUR
10+6.45 EUR
25+4.63 EUR
100+4.33 EUR
500+4.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R150CFDAAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.64 EUR
50+5.49 EUR
100+5.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R150CFDXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R150CFDXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 22.4A TO220-3
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.77 EUR
10+7.38 EUR
25+6.95 EUR
100+5.97 EUR
250+5.63 EUR
500+5.3 EUR
1000+4.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R150CFDXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R150CFDXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R150CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 22.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 195.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 195.3
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CFD2
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R150CFDXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R150CFDXKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R150CFDXKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R155CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.7 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R155CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R155CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.131 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 77W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.52 EUR
56+4.15 EUR
100+3.38 EUR
500+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R155CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R155CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.24 EUR
25+3.31 EUR
100+3.12 EUR
500+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R155CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.84 EUR
50+4.63 EUR
100+3.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R190C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 20.2A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R190C6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R190C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R190C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R190C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R190C6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 20.2A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPP65R190C6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.09 EUR
40+5.81 EUR
100+3.88 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R190C7Infineon technologies
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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