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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
APT30GN60BGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 30 A TO-247
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.78 EUR
100+5.87 EUR
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APT30GP60B
auf Bestellung 8639 Stücke:
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APT30GP60B2DLGMICROSEMIT-MAX/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI APT30GP60
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APT30GP60B2DLGMicrosemi CorporationDescription: IGBT 600V 100A 463W TMAX
Power - Max: 463 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
Gate Charge: 90 nC
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: T-MAX™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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APT30GP60B2DLGMicrochip / MicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi
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 Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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APT30GP60BDF1
Produktcode: 125875
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APT30GP60BDF1
auf Bestellung 8639 Stücke:
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APT30GP60BDQ1GMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 600V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 463 W
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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APT30GP60BDQ1GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 30 A TO-247
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.65 EUR
100+13.53 EUR
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APT30GP60BDQ1GMICROSEMITO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI APT30GP60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT30GP60BDQ1GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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APT30GP60BDQ1GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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APT30GP60BDQ1GMicrosemiIGBT 600V 100A 463W TO247 Транзистори
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APT30GP60BGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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APT30GP60BGMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 600V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 463 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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APT30GP60BGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Single 600 V 30 A TO-247
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APT30GP60BSC
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT30GP60JDF1
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT30GP60JDQ1Microsemi CorporationDescription: IGBT MODULE 600V 67A 245W ISOTOP
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.2 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Power - Max: 245 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Part Status: Active
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30GP60JDQ1Microchip / MicrosemiIGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 600V, 30A, SOT-227
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT30GP60LDLGMicrochip / MicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
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 Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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APT30GP60LDLGMicrosemi CorporationDescription: IGBT 600V 100A 463W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-264
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 463 W
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APT30GS60BRDLGMicrosemi CorporationDescription: IGBT 600V 54A 250W TO247
Switching Energy: 570µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/360ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 113 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Gate Charge: 145 nC
Test Condition: 400V, 30A, 9.1Ohm, 15V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30GS60BRDLGMicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi
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APT30GS60BRDLGMicrosemiPower IGBT, 600V, 30A, TO-247 Транзистори
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APT30GS60BRDQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT 600V 54A 250W SOT227
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 113 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Gate Charge: 145 nC
Test Condition: 400V, 30A, 9.1Ohm, 15V
Switching Energy: 570µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/360ns
IGBT Type: NPT
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
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APT30GS60BRDQ2GMicrochip / MicrosemiIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30GS60KRGMicrosemi CorporationDescription: IGBT 600V 54A 250W TO220
Gate Charge: 145 nC
Test Condition: 400V, 30A, 9.1Ohm, 15V
Switching Energy: 570µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/360ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-220
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 113 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30GS60KRGMicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT High Frequency - Single
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APT30GT60AR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30GT60BR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30GT60BRDAPT
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30GT60BRDGMicrochip TechnologyDescription: IGBT 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30GT60BRDGMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, 30A, TO-247, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30GT60BRDQ2GMICROSEMITO-247/64 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT APT30GT60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30GT60BRDQ2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 64A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30GT60BRDQ2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 64A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30GT60BRDQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 600V 64A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/225ns
Switching Energy: 80µJ (on), 605µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 7.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30GT60BRDQ2GMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.86 EUR
10+16.54 EUR
25+16.02 EUR
100+13.64 EUR
250+13.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30GT60BRGMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 600V 64A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/225ns
Switching Energy: 525µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 145 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30GT60BRGMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT, 600V, 30A, TO-247, RoHS
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 214-218 Tag (e)
1+15.76 EUR
10+14.18 EUR
25+13.17 EUR
100+11.65 EUR
250+10.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30GT60CR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30GT60KR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30GT60KRGMicrosemi CorporationDescription: IGBT 600V 64A 250W TO220
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/225ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-220 [K]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Gate Charge: 145 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 525µJ (on), 600µJ (off)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30M17JFLLMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS7
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30M17JLLMicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30M17JLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30M19JVFRMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FREDFET MOS5 300 V 19 mOhm SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30M19JVFRMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 975 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30M19JVRMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 975 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30M19JVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 300V 130A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30M19JVRMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules MOSFET MOS5 300 V 19 mOhm SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30M30B2FLLGMicrochip TechnologyMOSFET Power FREDFET - MOS7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30M30B2LL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30M30B2LLGMicrochip / MicrosemiMOSFETs Power MOSFET - MOS7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30M30JFLLMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS7
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30M30JLLMICROSEMIISOTOP/POWER MOSFET - MOS7 APT30M30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30M30JLLMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET MOS7 300 V 30 mOhm SOT-227
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+75.62 EUR
100+65.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30M30JLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 300V 88A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30M30LFLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30M30LLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30M36B2FLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 300V 84A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30M36B2FLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 300V, TO-247 T-MAX, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30M36B2FLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 300V 84A T-MAX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30M36B2LL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT30M36B2LLGMicrochip TechnologyMOSFET MOSFET MOS7 300 V 36 mOhm TO-247 MAX
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APT30M36JFLLMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 300V 76A ISOTOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOTOP®
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT30M36JFLLMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 300V, 0.036_OHM, SOT-227
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT30M36JLLMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 300V 76A ISOTOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOTOP®
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT30M36JLLMicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS7
auf Bestellung 16 Stücke:
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APT30M36JLLMicrosemiTrans MOSFET N-CH 300V 76A 4-Pin SOT-227 Tube
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3+74.08 EUR
10+64.28 EUR
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APT30M36LFLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 300V, TO-264, RoHS
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APT30M36LLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
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APT30M36LLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 300V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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APT30M36LLLGMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS7 300 V 36 mOhm TO-264
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APT30M36LLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 300V 84A TO264
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264 [L]
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APT30M40B2VFRGMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS5
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APT30M40B2VR
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APT30M40JVFRMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 300V 70A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 25 V
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APT30M40JVFRMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FREDFET MOS5 300 V 40 mOhm SOT-227
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APT30M40JVRMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET MOS 5 300 V 40 mOhm SOT-227
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APT30M40JVR
Produktcode: 46839
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APT30M40JVRMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 300V 70A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT30M40LVFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
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APT30M40LVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
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APT30M40LVRGMicrochip / MicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS5
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APT30M60JMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET MOS8 600 V 30 A SOT-227
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APT30M60JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 31A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 355W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT30M60JMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 600V 31A 4-Pin SOT-227 Tube
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT30M61BFLLGMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS7 300 V 61 mOhm TO-247
auf Bestellung 36 Stücke:
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APT30M61BFLLGMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS7
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APT30M61BLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT30M61BLLGMicrochip TechnologyMOSFET MOSFET MOS7 300 V 61 mOhm TO-247
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APT30M61BLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 300V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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APT30M61BLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 300V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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APT30M61BLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 300V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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APT30M61SFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 300V 54A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.54 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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APT30M61SFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 300V 54A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.54 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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APT30M61SFLLGMicrochip TechnologyMOSFET FREDFET MOS7 300 V 61 mOhm TO-268
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.89 EUR
100+25.74 EUR
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APT30M61SLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
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