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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMS3616SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3616SonsemiDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
390+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 390 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3616SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3616S - FDMS3616S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 65810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
434+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 434 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 17.5A/38A 8-Pin Power 56 EP T/R
auf Bestellung 2274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.77 EUR
73+2.31 EUR
74+2.2 EUR
100+1.71 EUR
250+1.63 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3620SON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3620SON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN
auf Bestellung 28532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 17.5A/38A 8-Pin Power 56 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3620SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V Asymtrc Dual NCh MOSFET PowerTrench
auf Bestellung 2992 Stücke:
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FDMS3620SON Semiconductor
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3620SON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN
auf Bestellung 28532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3622SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 17.5A POWER56
Produkt ist nicht verfügbar
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FDMS3622SON Semiconductor / FairchildMOSFET PowerStage 25V Dual N-Channel MOSFET
auf Bestellung 7864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDMS3622SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 17.5A/34A 8-Pin Power 56 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3622SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 17.5A/34A 8-Pin Power 56 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.82 EUR
108+1.56 EUR
128+1.27 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.89 EUR
3000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3624SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 17.5A/30A 8-Pin Power 56 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3624SFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V, 59nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V, 5mOhm @ 17.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @13V, 4045pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 30A (Tc), 30A (Ta), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 2.2W (Ta), 2.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3624SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V PowerTrench Power Stage
auf Bestellung 2496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3624SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 17.5A/30A 8-Pin Power 56 T/R
auf Bestellung 2958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.64 EUR
77+2.09 EUR
100+1.63 EUR
250+1.56 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3626SON Semiconductor
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3626SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 17.5A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.94 EUR
10+2.67 EUR
100+1.89 EUR
500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3626SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V Dual N-Channel MOSFET
auf Bestellung 2755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660ASON Semiconductor / FairchildMOSFET COMPUTING MOSFET
auf Bestellung 2170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.52 EUR
84+2.01 EUR
100+1.67 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
auf Bestellung 7957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.8 EUR
10+2.7 EUR
100+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 111815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
261+2.5 EUR
500+2.23 EUR
1000+2 EUR
10000+1.75 EUR
100000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660Sonsemi / FairchildMOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 9400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+2.23 EUR
100+1.87 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.68 EUR
3000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3660S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 1300 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.38 EUR
69+3.42 EUR
100+2.68 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660SONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.06 EUR
40+2.17 EUR
46+1.87 EUR
100+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.52 EUR
84+2.06 EUR
100+1.73 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
261+2.5 EUR
500+2.23 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660SonsemiMOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 7886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+3.42 EUR
100+2.4 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.42 EUR
124+1.39 EUR
125+1.36 EUR
500+1.32 EUR
3000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660SON Semiconductor
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/30A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S
Produktcode: 104042
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

8542399000
8542 39 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S-F121onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S-F121onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: Power56
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S_F121ON Semiconductor / FairchildMOSFET PowerTrench PowerStage Asymmetric Dual N-Channel MOSFET
auf Bestellung 3842 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3662ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.9A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3662onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 1483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.32 EUR
10+3.97 EUR
100+2.87 EUR
1000+2.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3662onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 8.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.97 EUR
10+4.58 EUR
100+3.21 EUR
500+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3662Fairchild
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3662ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.9A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3662ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3662onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 8.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3664SonsemiMOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 14108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.51 EUR
100+1.76 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.2 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3664SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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393+1.67 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 393 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3664SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A
auf Bestellung 144000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.06 EUR
6000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3664SONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.7 EUR
61+1.42 EUR
68+1.26 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3664SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS3664SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3664Sonsemi / FairchildMOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 14108 Stücke:
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10+1.92 EUR
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1000+1.13 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3664SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2967 Stücke:
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393+1.67 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 393 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3664SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Part Status: Active
auf Bestellung 146472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
11+1.94 EUR
100+1.57 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3664SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS3668Sonsemi / FairchildMOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1850 Stücke:
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1+4.06 EUR
10+3.67 EUR
25+3.45 EUR
100+2.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3668SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3668SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
auf Bestellung 243995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
270+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 270 Stücke
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FDMS3669SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3669SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.77 EUR
10+3 EUR
100+2.05 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDMS3669SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3669S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1778 Stücke
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FDMS3669SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.77 EUR
6000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3669Sonsemi / FairchildMOSFETs 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
auf Bestellung 45691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.66 EUR
10+2.93 EUR
100+2.01 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.5 EUR
3000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3669SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3669SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3669SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.25 EUR
6000+1.2 EUR
9000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3669SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 2.2W (Tc), 1W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 24A (Tc), 18A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V, 2060pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V, 5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
auf Bestellung 1778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
289+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3669SonsemiMOSFETs 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
auf Bestellung 42680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.99 EUR
10+3.22 EUR
100+2.23 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3669SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3669S-SN00345onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3672onsemiMOSFETs 100V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.22 EUR
10+4.74 EUR
100+3.31 EUR
500+2.75 EUR
3000+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin MLP EP T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3672Fairchild
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 13375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.7 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.33 EUR
10000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 50 V
auf Bestellung 7578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.87 EUR
10+4.5 EUR
100+3.15 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.7 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3672onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 9211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.57 EUR
10+3.94 EUR
100+2.89 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.49 EUR
3000+2.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 22A (Tc)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin MLP EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3686SON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3686SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/23A 8-Pin Power 56 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3686Sonsemi / FairchildMOSFETs 30V Asymmetric 2xNCh PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3686SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3686S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 225267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3686SAptina ImagingTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/23A 8-Pin Power 56 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3D5N08LConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 19A/136A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
auf Bestellung 8730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.57 EUR
10+5.64 EUR
100+3.99 EUR
500+3.28 EUR
1000+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3D5N08LCOn SemiconductorN-Channel 19A (Ta), 136A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3D5N08LConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 19A/136A 8PQFN
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 136A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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3000+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS3D5N08LCON Semiconductor
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FDMS3D5N08LConsemiMOSFETs PTNG 80/20V IN 5X6CL IP
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