Produkte > IPD

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 4 8 12 16 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32 36 40 43  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPD60R1K5PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 31353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1181+0.55 EUR
10000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesIPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+2.63 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R210CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 64W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.09 EUR
64+3.64 EUR
100+2.73 EUR
500+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesIPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+2.63 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
auf Bestellung 2964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.93 EUR
10+3.83 EUR
100+2.65 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesIPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
auf Bestellung 3669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+2.63 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesIPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+2.63 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesIPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R210CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 64W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.73 EUR
500+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210CFD7ATMA1Infineon TechnologiesIPD60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+2.63 EUR
500+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
auf Bestellung 12373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.96 EUR
10+3.2 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.58 EUR
70+2.48 EUR
100+1.7 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+1.13 EUR
321+0.52 EUR
326+0.5 EUR
331+0.48 EUR
336+0.44 EUR
342+0.42 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 64W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.45 EUR
76+3.06 EUR
105+2.05 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210PFD7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 10A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 386mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 64W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.44 EUR
200+1.39 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.31 EUR
2500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+1.95 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 64W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 64W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.06 EUR
105+2.05 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.46 EUR
5000+1.37 EUR
7500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.58 EUR
70+2.43 EUR
100+1.63 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+1.95 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.56 EUR
10000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
326+0.54 EUR
331+0.52 EUR
336+0.5 EUR
342+0.48 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 326 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R210PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.63 EUR
10+2.98 EUR
100+2.03 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.51 EUR
2500+1.43 EUR
5000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280CFD7INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 51W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.536Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 51W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2 EUR
88+1.96 EUR
100+1.88 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.81 EUR
2000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.237 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 51W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 2409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.96 EUR
100+1.67 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.49 EUR
2500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.237 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 51W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 400 V
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.26 EUR
10+3.38 EUR
100+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.83 EUR
72+2.38 EUR
100+2.12 EUR
200+1.69 EUR
1000+1.56 EUR
2000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.32 EUR
78+2.18 EUR
79+2.06 EUR
81+1.93 EUR
104+1.44 EUR
250+1.34 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.69 EUR
50+1.71 EUR
56+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+1.63 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.08 EUR
105+2.05 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 47500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.57 EUR
25000+1.4 EUR
37500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.55 EUR
10+2.89 EUR
100+1.95 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.4 EUR
2500+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.32 EUR
78+2.23 EUR
79+2.13 EUR
81+2.03 EUR
104+1.56 EUR
250+1.49 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.27 EUR
76+3.08 EUR
105+2.05 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.38 EUR
10+2.8 EUR
100+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+1.63 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7SInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.02 EUR
100+1.9 EUR
250+1.78 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7SINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.45 EUR
109+2.14 EUR
159+1.34 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.67 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.67 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.45 EUR
109+2.14 EUR
159+1.34 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
647+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 647 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.2 EUR
100+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.01 EUR
2500+0.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.49 EUR
105+1.64 EUR
200+1.46 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7SE8228AUMA1Infineon Technologies600V Cool MOS P7 Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7SE8228AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 12A; 53W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7SE8228AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280P7SE8228AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.43 EUR
119+1.95 EUR
150+1.44 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.21 EUR
10+2.68 EUR
100+1.8 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.32 EUR
2500+1.23 EUR
5000+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.17 EUR
119+1.44 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.21 EUR
85+2.03 EUR
112+1.5 EUR
200+1.38 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.2 EUR
2000+1.17 EUR
5000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.233ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.74 EUR
125+1.73 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
429+1.52 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 429 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.17 EUR
119+1.4 EUR
500+1.07 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280PFD7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 7A; Idm: 31A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 549mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 51W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R280PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.47 EUR
85+2.74 EUR
125+1.73 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V
auf Bestellung 1414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.14 EUR
10+2.65 EUR
100+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.59 EUR
5000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.31 EUR
15+1.44 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0C6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.5A; Idm: 6A; 22.3W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 22.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.61 EUR
5000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0C6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 2839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.6 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0C6BTMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R2K0C6BTMA1 - IPD60R2K0 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0C6BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.29 EUR
200+0.84 EUR
282+0.57 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.626ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2.01 EUR
188+1.24 EUR
287+0.75 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
378+0.46 EUR
380+0.45 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 378 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 4 8 12 16 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32 36 40 43  [ Nächste Seite >> ]