Produkte > IPD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| IPD60R180P7 | Infineon | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IPD60R180P7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2543 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R180P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 72W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm | auf Bestellung 4311 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V | auf Bestellung 2760 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2543 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 1044 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R180P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 72W; DPAK3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 72W Case: DPAK3 On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R180P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 72W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm | auf Bestellung 4311 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2543 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R180P7S | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R180P7S | Infineon | auf Bestellung 3900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IPD60R180P7S E8228 | Infineon Technologies | CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R180P7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 72W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 72W Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R180P7SAUMA1 Produktcode: 201989
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 9846 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R180P7SAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 72W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm | auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2017 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon | IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7S MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R180P7SAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 72W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm | auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2017 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R180P7SE8228AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R180P7SE8228AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R180P7SE8228AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CE | Infineon technologies | auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 4.3A DPAK-2 | auf Bestellung 2287 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3 | auf Bestellung 47500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1443 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K0CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 61W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm | auf Bestellung 10764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V | auf Bestellung 4950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K0CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 61W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm | auf Bestellung 10764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K0CEAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.8A; 61W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Power dissipation: 61W Gate charge: 13nC Polarisation: unipolar Drain current: 6.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Case: DPAK; TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 3A; Idm: 8.8A Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.978Ω Mounting: SMD Pulsed drain current: 8.8A Power dissipation: 26W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ PFD7 Drain current: 3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 26W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm | auf Bestellung 1102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER PG-TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Verlustleistung Pd: 26W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 26W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm | auf Bestellung 1102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER PG-TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K4C6 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K4C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 3.2A DPAK-2 CoolMOS C6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K4C6 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K4C6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R1K4C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.2 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 28.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm | auf Bestellung 5152 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_LEGACY | auf Bestellung 10057 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K4C6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K4C6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R1K4C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.2 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 28.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm | auf Bestellung 5152 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K4C6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 3.2A DPAK-2 CoolMOS C6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V TO-252-3 | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R1K5CEATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 600V TO-252-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V TO-252-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 3.1A DPAK-2 | auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD60R1K5CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 49W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm | auf Bestellung 1497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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