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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTP8N65X2MIXYSMOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.68 EUR
10+4.46 EUR
100+3.92 EUR
500+3.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N70X2IXYSMOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N70X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 700V 8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N70X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 12nC
Reverse recovery time: 200ns
Power dissipation: 32W
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.65 EUR
27+3.25 EUR
30+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N70X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO220
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.73 EUR
50+4.47 EUR
100+4.07 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N70X2MIXYSMOSFETs 700V/4A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N055TIXYSMOSFET MOSFET Id90 BVdass55
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N055T2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 55V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.26 EUR
50+3.45 EUR
100+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N055T2IXYSMOSFETs 90 Amps 55V 0.0084 Rds
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.37 EUR
10+3.8 EUR
100+3.17 EUR
500+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N055T2
Produktcode: 172517
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO220AB
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N055T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Power dissipation: 150W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.4mΩ
Reverse recovery time: 37ns
Mounting: THT
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.19 EUR
34+2.57 EUR
50+2.17 EUR
100+1.98 EUR
200+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N075T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N075T2IXYSMOSFETs 90 Amps 75V 0.01 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N15TIXYSMOSFETs 90 Amps 150V 20 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N15TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 90A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP94N20X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET 200V 94A N-CH ULTRA TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.26 EUR
50+15.42 EUR
100+14.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP94N20X4LittelfuseN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP94N20X4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP94N20X4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 94 A, 0.0106 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.44 EUR
11+21.93 EUR
13+16.97 EUR
50+13.68 EUR
100+12.88 EUR
250+12.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP94N20X4IXYSMOSFETs TO220 200V 94A N-CH X4CLASS
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.45 EUR
10+18.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085TIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.69 EUR
25+8.9 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085TIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 96A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
auf Bestellung 4608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.53 EUR
50+7.84 EUR
100+7.2 EUR
500+6.07 EUR
1000+5.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085T
Produktcode: 207088
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085TIXYS/LittelfuseP-канальний ПТ, Udss, В = 85, Id = 96 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 13100, Qg, нКл = 180, Rds = 13 мОм, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 298, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 706 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.95 EUR
50+5.68 EUR
100+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 706 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.95 EUR
50+5.81 EUR
100+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.34 EUR
18+13.65 EUR
21+10.31 EUR
50+8.03 EUR
100+7.34 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085TIXYSMOSFETs -96 Amps -85V 0.013 Rds
auf Bestellung 1583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.17 EUR
10+7.33 EUR
100+6.72 EUR
500+6.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085TMOSFET P-CH 85V 96A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP96P085T. - DISCMSFT PCHAN-TRENCH GATE TO-220ABFP TUBE
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 298W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.4 EUR
24+9.75 EUR
30+7.37 EUR
50+6.05 EUR
100+5.97 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP98N075TIXYSMOSFET 98 Amps 75V 9.0 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP98N075TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 98A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ100N25PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 100A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.82 EUR
30+13.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ100N25PTO-3P,Vdss=250V,Id=100A,Rds(on)=27mOm,-55...+150 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ100N25PIXYSMOSFETs 100 Amps 250V 0.027 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ102N15TIXYSMOSFET 102 Amps 150V 18 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ102N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ102N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 102A TO3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ102N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 102A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ102N25TIXYSMOSFET 102 Amps 250V 29 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ10P50PIXYSMOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.46 EUR
10+10.86 EUR
120+9.2 EUR
510+9.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ10P50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ110N055PIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ110N10PIXYSMOSFETs 110 Amps 100V 0.015 Rds
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.4 EUR
10+8.98 EUR
120+7.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ110N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 120A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+12.25 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N15PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO3P
On-state resistance: 16mΩ
Reverse recovery time: 150ns
Mounting: THT
Power dissipation: 600W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N15PIXYSMOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.22 EUR
10+16.09 EUR
120+12.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 120A TO3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N20PIXYSMOSFETs 120 Amps 200V 0.022 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 120A TO3P
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.55 EUR
30+18.11 EUR
120+15.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
On-state resistance: 22mΩ
Reverse recovery time: 180ns
Mounting: THT
Power dissipation: 714W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO3P
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ130N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.4 EUR
30+7.7 EUR
120+6.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ130N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ130N10TIXYSMOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.57 EUR
10+7.79 EUR
120+6.5 EUR
510+6.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ130N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ130N20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ130N20TIXYSMOSFETs TO3P 200V 130A N-CH TRENCH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ140N10PIXYSMOSFETs 140 Amps 100V 0.011 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ140N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ140N10PTO-3P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ140N10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+9.16 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ14N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ14N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ14N60PIXYSMOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.09 EUR
10+7.52 EUR
120+6.26 EUR
510+6.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ150N06PIXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 150A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ150N15PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Power dissipation: 714W
Gate charge: 0.19µC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Reverse recovery time: 150ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ150N15PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ150N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 150 A, 0.013 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 714
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 714
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+12.69 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ150N15PIXYSMOSFETs 150 Amps 150V 0.013 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ150N15PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO3P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.96 EUR
30+13.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ152N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 152A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 152A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ160N075TIXYSMOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ160N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 160A TO3P
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ160N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 160A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ160N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ160N10TIXYSMOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ16N50PIXYSMOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.34 EUR
30+7.65 EUR
120+6.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ16N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ170N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 170A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.41 EUR
30+13.52 EUR
120+11.58 EUR
510+11.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+13.34 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ170N10PIXYSMOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.08 EUR
10+16.51 EUR
120+14.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+27.22 EUR
10+24.18 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ180N055TIXYSMOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ180N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 180A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ180N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 180A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ180N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.03 EUR
30+8.09 EUR
120+6.78 EUR
510+5.82 EUR
1020+5.47 EUR
2010+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ180N10TIXYSMOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ182N055TIXYSMOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ182N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 182A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ18N60PIXYSMOSFETs 18.0 Amps 600 V 0.42 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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