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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTP75N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 7089 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.62 EUR
25+6.66 EUR
26+6.35 EUR
50+5.38 EUR
100+3.9 EUR
1000+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP75N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 7089 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.62 EUR
25+6.81 EUR
26+6.59 EUR
50+5.68 EUR
100+4.22 EUR
1000+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 76A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76N075TIXYSMOSFETs MOSFET Id76 BVdass75
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.01 EUR
10+11.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76N25TIXYSMOSFETs 76 Amps 250V 39 Rds
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.19 EUR
10+9.47 EUR
50+8.84 EUR
100+7.47 EUR
250+7.03 EUR
500+6.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76N25TMIXYSMOSFET Modules TO220 250V 76A N-CH TRENCH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76N25TMIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 76A TO220
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+8.77 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.59 EUR
50+7.35 EUR
100+6.24 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
auf Bestellung 5642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.06 EUR
50+8.76 EUR
100+8.06 EUR
500+6.82 EUR
1000+6.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76P10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP76P10T - MOSFET, P-CH, 100V, 76A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76P10TIXYSMOSFETs TO220 100V 76A P-CH TRENCH
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.52 EUR
10+10.97 EUR
50+6.51 EUR
100+6.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.57 EUR
50+7.5 EUR
100+6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP7N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP7N60PIXYSMOSFET 1.1 Ohms Rds
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP7N60PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP7N60PMIXYSMOSFET 7 Amps 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N075L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP80N075L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe LinearL2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.31 EUR
18+13.21 EUR
21+10.41 EUR
50+8.62 EUR
100+8.46 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N075L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N075L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.1 EUR
10+13.14 EUR
50+10.58 EUR
100+9.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N075L2IXYSMOSFETs TO220 N-CH 75V 80A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N075L2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.55 EUR
14+12.92 EUR
50+12.07 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10T
Produktcode: 46876
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10TLittelfuseMOSFET N-CH 100V 80A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP80N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.47 EUR
24+9.72 EUR
100+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.06 EUR
20+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
auf Bestellung 10699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.59 EUR
50+4.97 EUR
100+4.53 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.5 EUR
2000+3.28 EUR
5000+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10TIXYSMOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.42 EUR
10+4.9 EUR
100+4.33 EUR
500+3.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N12T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 25 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N12T2IXYSMOSFETs TO220 120V 80A N-CH TRENCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP86N20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 86A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.91 EUR
50+6.81 EUR
100+6.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP86N20TIXYSMOSFETs 86 Amps 200V 29 Rds
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.68 EUR
10+7.94 EUR
100+7.27 EUR
500+6.78 EUR
1000+6.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP86N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP86N20X4LittelfuseX4-Class Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP86N20X4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP86N20X4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 86 A, 0.013 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.31 EUR
15+14.76 EUR
50+14.29 EUR
100+13.2 EUR
250+12.94 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP86N20X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO220
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP86N20X4IXYSMOSFETs TO220 200V 86A N-CH X4CLASS
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.35 EUR
10+14.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP88N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 88A TO-220
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N50PIXYSMOSFET POWER MOSFET N-CHANNEL 500V 8A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N50PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 4A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N50PMIXYSMOSFET 4.6 Amps 500V 0.8 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N65X2IXYSMOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.94 EUR
10+4.5 EUR
100+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO220
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N65X2MIXYSMOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.68 EUR
10+4.46 EUR
100+3.89 EUR
500+3.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N65X2MLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.7 EUR
50+3.84 EUR
100+3.3 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N70X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 700V 8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N70X2IXYSMOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N70X2MIXYSMOSFETs 700V/4A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N70X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO220
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.73 EUR
50+4.47 EUR
100+4.07 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N70X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 12nC
Reverse recovery time: 200ns
Power dissipation: 32W
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.65 EUR
27+3.25 EUR
30+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N055TIXYSMOSFET MOSFET Id90 BVdass55
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N055T2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 55V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.21 EUR
50+3.42 EUR
100+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N055T2IXYSMOSFETs 90 Amps 55V 0.0084 Rds
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.37 EUR
10+3.8 EUR
100+3.17 EUR
500+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N055T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Power dissipation: 150W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.4mΩ
Reverse recovery time: 37ns
Mounting: THT
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.19 EUR
34+2.57 EUR
50+2.17 EUR
100+1.98 EUR
200+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N055T2
Produktcode: 172517
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO220AB
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N075T2IXYSMOSFETs 90 Amps 75V 0.01 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N075T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N15TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 90A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N15TIXYSMOSFETs 90 Amps 150V 20 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP94N20X4IXYSMOSFETs TO220 200V 94A N-CH X4CLASS
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.45 EUR
10+18.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP94N20X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET 200V 94A N-CH ULTRA TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.26 EUR
50+15.42 EUR
100+14.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP94N20X4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP94N20X4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 94 A, 0.0106 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.44 EUR
11+21.93 EUR
13+16.97 EUR
50+13.68 EUR
100+12.88 EUR
250+12.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP94N20X4LittelfuseN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 55ns
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+7.04 EUR
15+5.97 EUR
25+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.79 EUR
50+5.63 EUR
100+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085T
Produktcode: 207088
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085TIXYS/LittelfuseP-канальний ПТ, Udss, В = 85, Id = 96 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 13100, Qg, нКл = 180, Rds = 13 мОм, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 298, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085TIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 96A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
auf Bestellung 3684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.4 EUR
10+11.17 EUR
50+8.94 EUR
100+8.22 EUR
500+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.79 EUR
50+5.76 EUR
100+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.54 EUR
50+6.02 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 298W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.4 EUR
14+17.64 EUR
16+13.39 EUR
50+10.47 EUR
100+9.62 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.54 EUR
50+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085TIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.89 EUR
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IXTP96P085TIXYSMOSFETs -96 Amps -85V 0.013 Rds
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IXTP96P085TMOSFET P-CH 85V 96A TO220AB Транзистори
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IXTP96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IXTP96P085T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP96P085T. - DISCMSFT PCHAN-TRENCH GATE TO-220ABFP TUBE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 298W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
directShipCharge: 25
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19+13.67 EUR
22+10.75 EUR
27+8.12 EUR
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IXTP98N075TIXYSMOSFET 98 Amps 75V 9.0 Rds
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IXTP98N075TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 98A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTQ100N25PIXYSMOSFETs 100 Amps 250V 0.027 Rds
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IXTQ100N25PTO-3P,Vdss=250V,Id=100A,Rds(on)=27mOm,-55...+150 Транзистори
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IXTQ100N25PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 100A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 699 Stücke:
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2+15.82 EUR
30+13.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXTQ102N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ102N15TIXYSMOSFET 102 Amps 150V 18 Rds
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IXTQ102N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 102A TO3P
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ102N25TIXYSMOSFET 102 Amps 250V 29 Rds
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IXTQ102N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 102A TO-3P
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXTQ10P50PIXYSMOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
auf Bestellung 483 Stücke:
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1+18.46 EUR
10+10.86 EUR
120+9.2 EUR
510+9.07 EUR
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