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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STGWA100H65DFB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA100H65DFB2 - IGBT, 145 A, 1.55 V, 441 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 145A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.34 EUR
18+13.16 EUR
21+10.28 EUR
50+9.29 EUR
100+8.29 EUR
250+8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA100H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 145A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/130ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 288 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 441 W
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA100H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 lon
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.14 EUR
10+7.54 EUR
100+7.35 EUR
600+6.53 EUR
1200+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA100H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+8.83 EUR
25+7.87 EUR
100+6.83 EUR
250+6.35 EUR
600+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15H120DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.41 EUR
10+6.24 EUR
25+6.03 EUR
100+5.05 EUR
250+4.86 EUR
600+4.58 EUR
1200+3.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15H120DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA15H120DF2 - IGBT, 30 A, 2.1 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 1200V H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 231 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns
Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.98 EUR
10+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15H120F2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns
Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15H120F2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+3.44 EUR
3000+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.85 EUR
10+7.12 EUR
100+5.3 EUR
600+4.14 EUR
1200+3.92 EUR
3000+3.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+3.44 EUR
3000+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/122ns
Switching Energy: 550µJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15S120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Power - Max: 259 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 540µJ (on), 1.38mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/140ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15S120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 15 A low drop
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15S120DF3STMSTGWA15S120DF3 STGWA15S120D IGBT 1200V 15A TO247-3L Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA19NC60HDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 52A 208W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 52 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 208 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA19NC60HDSTMicroelectronicsIGBTs 19A 600V Very Fast IGBT Ultrafast Diode
auf Bestellung 2696 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.75 EUR
10+4.99 EUR
100+3.8 EUR
600+2.84 EUR
1200+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA19NC60HDSTMIGBT 600V 52A 208W TO247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
auf Bestellung 911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.99 EUR
10+3.56 EUR
100+2.67 EUR
600+2.23 EUR
1200+1.83 EUR
5400+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20H65DFB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA20H65DFB2 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 147 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.33 EUR
54+3.14 EUR
100+2.25 EUR
500+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20H65DFB2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 215 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns
Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 147 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.28 EUR
54+3.18 EUR
100+2.31 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20HP65FB2STMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/78.8ns
Switching Energy: 214µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 147 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20HP65FB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.06 EUR
10+3.92 EUR
100+3.39 EUR
250+3.31 EUR
600+2.75 EUR
1200+2.32 EUR
3000+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20IH65DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 20 A, soft-switching IH series IGBT
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.38 EUR
10+4.84 EUR
25+4.69 EUR
100+3.96 EUR
600+3.37 EUR
1200+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20IH65DFSTMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/120ns
Switching Energy: 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 159 W
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20IH65DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA20IH65DF - IGBT, 40 A, 1.55 V, 159 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 159W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8.02 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20M65DF2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH 650V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns
Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 166 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20M65DF2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.68 EUR
100+5.46 EUR
600+4.11 EUR
1200+3.88 EUR
3000+3.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 303 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.46 EUR
30+7.1 EUR
120+5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25H120DF2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 41400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 15060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.95 EUR
30+6.02 EUR
120+4.8 EUR
510+3.9 EUR
600+3.7 EUR
1020+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 15060 Stücke:
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22+8.1 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25H120F2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 15720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.75 EUR
30+6.05 EUR
120+4.89 EUR
510+4.05 EUR
600+3.89 EUR
1020+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 41400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25H120F2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25IH135DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Switching Energy: 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 340 W
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.26 EUR
10+4.7 EUR
30+4.25 EUR
120+3.84 EUR
270+3.68 EUR
510+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25IH135DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA25IH135DF2 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 340 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.29 EUR
37+6.28 EUR
100+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25IH135DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 25 A, soft-switching IH2 series IGBT
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.41 EUR
10+4.36 EUR
120+3.77 EUR
510+3.58 EUR
1020+3.53 EUR
2520+3.44 EUR
5010+3.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25M120DF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA25M120DF3 - IGBT, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.95 EUR
42+4.06 EUR
100+3.65 EUR
250+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.45 EUR
10+5.32 EUR
100+4.4 EUR
600+4.21 EUR
1200+4.19 EUR
3000+3.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.12 EUR
35+4.9 EUR
41+3.95 EUR
100+3.5 EUR
250+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 265 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 850µJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Collector current: 25A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 100A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Power dissipation: 375W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.46 EUR
16+5.34 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25S120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Power - Max: 375 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Gate Charge: 80 nC
Test Condition: 600V, 25A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 830µJ (on), 2.37mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/147ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 265 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25S120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low drop
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H60DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT
Power - Max: 260 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 149 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H60DFBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/146ns
Switching Energy: 382µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H65DFBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H65DFB2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18.4ns/71ns
Switching Energy: 270µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 167 W
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.2 EUR
10+4.72 EUR
100+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H65DFB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H65FBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 151mJ (on), 293mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30HP65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/146ns
Switching Energy: 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30HP65FBSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30HP65FB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 165600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+1.95 EUR
1200+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30HP65FB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.24 EUR
10+3.42 EUR
100+2.76 EUR
600+2.32 EUR
1200+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30HP65FB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 165600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+1.95 EUR
1200+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30HP65FB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/71ns
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 167 W
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.82 EUR
30+3.14 EUR
120+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30IH160DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30IH160DF2 - IGBT, 85 A, 1.77 V, 395 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 85A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.52 EUR
33+7.1 EUR
100+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30IH160DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 1600 V, 30 A, soft-switching IH2 series IGBT
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.13 EUR
10+6.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 180W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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STGWA30IH65DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A, soft-switching IH series IGBT
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.97 EUR
10+3.89 EUR
100+2.98 EUR
600+2.51 EUR
1200+2.12 EUR
3000+2.01 EUR
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STGWA30IH65DFSTMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/200ns
Switching Energy: 123µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.76 EUR
10+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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STGWA30IH65DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30IH65DF - IGBT, 60 A, 1.55 V, 180 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STGWA30M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STGWA30M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Active
Gate Charge: 80 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 258 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.81 EUR
30+3.71 EUR
120+3.02 EUR
510+2.52 EUR
1020+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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STGWA30M65DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30M65DF2 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.8 EUR
60+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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STGWA30M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STGWA30M65DF2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30M65DF2AG - IGBT, AEC-Q101, 87 A, 1.6 V, 441 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 87A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.97 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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STGWA30M65DF2AGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.69 EUR
10+5.05 EUR
120+3.77 EUR
510+3.36 EUR
1020+2.87 EUR
2520+2.7 EUR
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STGWA30M65DF2AGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 87A TO247
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 441 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 87 A
Grade: Automotive
Gate Charge: 81.6 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 756µJ (on), 1.057mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 21.6ns/138ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 151 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.45 EUR
10+4.84 EUR
25+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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STGWA30N120KDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 30A 1200V short circuit rugged IGBT
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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STGWA30N120KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 60A TO-247
Power - Max: 220 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 105 nC
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.4mJ (on), 4.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/251ns
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.85V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STGWA35HF60WDISTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 70A 260W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/175ns
Switching Energy: 185µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 260 W
Produkt ist nicht verfügbar
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STGWA35IH135DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 70A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Switching Energy: 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 258 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 416 W
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.77 EUR
10+5.88 EUR
30+5.32 EUR
120+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA35IH135DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 35 A, soft-switching IH2 series IGBT
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.68 EUR
10+4.57 EUR
120+3.92 EUR
510+3.81 EUR
1020+3.71 EUR
2520+3.61 EUR
5010+3.53 EUR
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STGWA40H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 488 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns
Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 158 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.22 EUR
30+6.37 EUR
120+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H120DF2STMIGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H120DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H120DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.71 EUR
10+8.69 EUR
25+5.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H120DF2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Power dissipation: 468W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.35 EUR
13+6.74 EUR
16+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H120F2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.18 EUR
10+8.19 EUR
100+6.87 EUR
600+6.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA40H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+6.56 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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