Produkte > STG

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STGW75M65DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW75M65DF2 - IGBT, 120 A, 1.65 V, 468 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.57 EUR
27+8.87 EUR
100+6.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+8.77 EUR
27+5.94 EUR
100+4.99 EUR
250+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW75M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.21 EUR
10+12.17 EUR
25+7.77 EUR
100+6.66 EUR
250+6.39 EUR
600+6.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW80H65DFB - IGBT, 120 A, 1.6 V, 469 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 469W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+13.9 EUR
20+12.14 EUR
21+10.5 EUR
50+9.77 EUR
100+9.06 EUR
250+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFBSTMIGBT 650V 120A 469W TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFB
Produktcode: 164114
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.18 EUR
16+5.65 EUR
17+5.31 EUR
30+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.61 EUR
27+5.94 EUR
60+4.69 EUR
120+3.97 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
auf Bestellung 3227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.52 EUR
10+6.56 EUR
100+5.46 EUR
600+4.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
auf Bestellung 1888 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.73 EUR
30+6.65 EUR
120+5.55 EUR
510+4.72 EUR
1020+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.73 EUR
27+6.24 EUR
60+5.01 EUR
120+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFB-4STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFB-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+6.39 EUR
1200+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFB-4STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.78 EUR
10+11.82 EUR
100+9.57 EUR
600+8.08 EUR
1200+7.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFB-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFB-4STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFB-4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+6.39 EUR
1200+6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65FBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65FB-4STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65FB-4STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65FB-4STMIGBT BIPO 650V 80A TO247-4 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Exposed Pad
Packaging: Tube
Power - Max: 469 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Part Status: Active
Gate Charge: 448 nC
Test Condition: 400V, 80A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.21 EUR
10+8.59 EUR
30+7.83 EUR
120+7.14 EUR
270+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80V60DFSTMIGBT 600V 120A 469W TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.67 EUR
16+10.83 EUR
50+9.33 EUR
100+7.74 EUR
200+7.31 EUR
500+6.9 EUR
1200+5.95 EUR
2400+5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80V60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 469W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 448nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 240A
Power dissipation: 469W
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80V60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW80V60DF - IGBT, 120 A, 1.85 V, 469 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.72 EUR
23+10.45 EUR
26+8.35 EUR
50+7.01 EUR
100+6.7 EUR
250+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80V60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate V series 600V 80A HiSpd
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80V60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.7 EUR
10+12.32 EUR
25+11.65 EUR
100+10.08 EUR
600+8.59 EUR
1200+7.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 448 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW8M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.38 EUR
10+4.66 EUR
100+3.25 EUR
600+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW8M120DF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGW8M120DF3 - IGBT, Trench-Gate, 16 A, 1.85 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+8.97 EUR
44+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW8M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 16A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/126ns
Switching Energy: 390µJ (on), 370µJ (Off)
Test Condition: 600V, 8A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A
Power - Max: 167 W
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.38 EUR
30+4.65 EUR
120+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA100H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+8.73 EUR
25+7.78 EUR
100+6.76 EUR
250+6.28 EUR
600+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA100H65DFB2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 91A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 91A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 288nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA100H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 145A 441W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+8.92 EUR
25+8.08 EUR
100+7.14 EUR
250+6.81 EUR
600+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA100H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 lon
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.14 EUR
10+7.54 EUR
100+7.35 EUR
600+6.53 EUR
1200+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA100H65DFB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA100H65DFB2 - IGBT, 145 A, 1.55 V, 441 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 145A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.34 EUR
18+13.16 EUR
21+10.28 EUR
50+9.29 EUR
100+8.29 EUR
250+8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA100H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 145A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/130ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 288 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 441 W
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15H120DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.41 EUR
10+6.24 EUR
25+6.03 EUR
100+5.05 EUR
250+4.86 EUR
600+4.58 EUR
1200+3.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15H120DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA15H120DF2 - IGBT, 30 A, 2.1 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 1200V H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 231 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns
Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.98 EUR
10+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15H120DF2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 259W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 259W
Gate charge: 67nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.69 EUR
17+5.27 EUR
20+4.46 EUR
30+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15H120F2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns
Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15H120F2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+3.39 EUR
3000+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.26 EUR
10+6.26 EUR
100+4.9 EUR
600+4.05 EUR
1200+3.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/122ns
Switching Energy: 550µJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+3.39 EUR
3000+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15S120DF3STMSTGWA15S120DF3 STGWA15S120D IGBT 1200V 15A TO247-3L Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15S120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 15 A low drop
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA15S120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Power - Max: 259 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 540µJ (on), 1.38mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/140ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA19NC60HDSTMIGBT 600V 52A 208W TO247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA19NC60HDSTMicroelectronicsIGBTs 19A 600V Very Fast IGBT Ultrafast Diode
auf Bestellung 2696 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.75 EUR
10+4.99 EUR
100+3.8 EUR
600+2.84 EUR
1200+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA19NC60HDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 52A 208W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 52 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 208 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.27 EUR
54+3.11 EUR
100+2.21 EUR
500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20H65DFB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA20H65DFB2 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 147 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 147W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
auf Bestellung 811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.95 EUR
10+3.28 EUR
100+2.4 EUR
500+2.05 EUR
1200+1.82 EUR
2400+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20H65DFB2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 215 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns
Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 147 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.24 EUR
54+3.14 EUR
100+2.28 EUR
500+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20HP65FB2STMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/78.8ns
Switching Energy: 214µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 147 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20HP65FB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.06 EUR
10+3.92 EUR
100+3.39 EUR
250+3.31 EUR
600+2.75 EUR
1200+2.32 EUR
3000+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20IH65DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 20 A, soft-switching IH series IGBT
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.38 EUR
10+4.84 EUR
25+4.69 EUR
100+3.96 EUR
600+3.37 EUR
1200+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20IH65DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA20IH65DF - IGBT, 40 A, 1.55 V, 159 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 159W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+6.87 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20IH65DFSTMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/120ns
Switching Energy: 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 159 W
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20M65DF2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20M65DF2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.68 EUR
100+5.46 EUR
600+4.11 EUR
1200+3.88 EUR
3000+3.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA20M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH 650V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns
Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 166 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25H120DF2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25H120DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 303 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.46 EUR
30+7.1 EUR
120+5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 15060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.82 EUR
30+5.95 EUR
120+4.75 EUR
510+3.87 EUR
600+3.67 EUR
1020+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 15060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.02 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25H120F2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 15720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.63 EUR
30+5.97 EUR
120+4.83 EUR
510+4 EUR
600+3.86 EUR
1020+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25H120F2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 41400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25H120F2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 41400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25IH135DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Switching Energy: 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 340 W
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.26 EUR
10+4.7 EUR
30+4.25 EUR
120+3.84 EUR
270+3.68 EUR
510+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25IH135DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA25IH135DF2 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 340 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.29 EUR
37+6.28 EUR
100+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25IH135DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 25 A, soft-switching IH2 series IGBT
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.41 EUR
10+4.36 EUR
120+3.77 EUR
510+3.58 EUR
1020+3.53 EUR
2520+3.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.06 EUR
35+4.84 EUR
41+3.9 EUR
100+3.45 EUR
250+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.45 EUR
10+5.32 EUR
100+4.4 EUR
600+4.21 EUR
1200+4.19 EUR
3000+3.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+3.97 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 375W
Gate charge: 85nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 25A
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.46 EUR
16+5.34 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 265 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 850µJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.9 EUR
42+4.01 EUR
100+3.61 EUR
250+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25M120DF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA25M120DF3 - IGBT, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25M120DF3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+3.97 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25S120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low drop
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA25S120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Power - Max: 375 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Gate Charge: 80 nC
Test Condition: 600V, 25A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 830µJ (on), 2.37mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/147ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 265 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H60DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 260W
Gate charge: 149nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H60DFBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H60DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT
Power - Max: 260 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 149 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA30H65DFBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Nächste Seite >> ]