Produkte > SIH
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| SIHP33N60EF-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP33N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB | auf Bestellung 303 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP35N60E-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 600V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V | auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP35N60E-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 32A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP35N60E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 600V 32A N-CH MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP35N60E-GE3 | Vishay | SIHP35N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Arrow.com | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP35N60E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB | auf Bestellung 710 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP35N60E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP35N60E-GE3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 94mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 132nC Pulsed drain current: 80A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP35N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V | auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP35N60EF-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 731 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP35N60EF-GE3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 97mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 134nC Pulsed drain current: 80A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP35N60EF-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP38N60E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB | auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP38N60E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP38N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43 A, 0.065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 313W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP38N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP38N60E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V | auf Bestellung 829 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP38N60E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP38N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP38N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3576 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP4N80E-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 600V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP4N80E-BE3 | Vishay | N Channel Trans MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP4N80E-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 600V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V | auf Bestellung 965 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP4N80E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 800V 4.3A N-CH MOSFET | auf Bestellung 25427 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP4N80E-GE3 | Vishay | E Series Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP4N80E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP4N80E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP4N80E-GE3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.3A; 69W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.3A Power dissipation: 69W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP5N50D-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP5N50D-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP5N50D-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (19-Jan-2021) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm | auf Bestellung 179 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP5N50D-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V | auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP5N50D-GE3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 104W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP5N50D-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB | auf Bestellung 858 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP5N80AE-GE3 | Vishay Siliconix | Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB, Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V | auf Bestellung 988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP5N80AE-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.4A Tube | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP5N80AE-GE3 | Vishay | MOSFETs TO220 800V 4.4A N-CH MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP5N80AE-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.4A Tube | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP5N80AE-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP5N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.4 A, 1.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.17ohm | auf Bestellung 1040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP690N60E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 6.4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 100 V | auf Bestellung 1025 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP690N60E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 600V | auf Bestellung 1012 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP6N40D-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 400V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP6N40D-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 400V 6A N-CH MOSFET | auf Bestellung 1020 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP6N40D-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 6A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP6N40D-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP6N40D-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP6N40D-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP6N40D-GE3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 4A; Idm: 13A; 104W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 4A Pulsed drain current: 13A Power dissipation: 104W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP6N40D-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP6N40D-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP6N40D-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP6N40D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 6 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400 Dauer-Drainstrom Id: 6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 104 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: D Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: To Be Advised | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP6N40D-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP6N40D-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220AB | auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP6N65E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP6N65E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP6N65E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB | auf Bestellung 968 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP6N65E-GE3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 78W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP6N65E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP6N80AE-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 955 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP6N80AE-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.826 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.826ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP6N80AE-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 5A Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP6N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 800V 5A N-CH MOSFET | auf Bestellung 1715 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP6N80E-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 800V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP6N80E-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP6N80E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 800V 5.4A N-CH MOSFET | auf Bestellung 677 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP6N80E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220AB | auf Bestellung 781 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP6N80E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 21 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP6N80E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V | auf Bestellung 690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP6N80E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP7N60E-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 7A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP7N60E-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 600V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V | auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP7N60E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 600V 7A N-CH MOSFET | auf Bestellung 5512 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP7N60E-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP7N60E-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP7N60E-GE3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Power dissipation: 78W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 18A Gate charge: 40nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP7N60E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP7N60E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP7N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 7 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 78 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: E Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | auf Bestellung 997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP7N60E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP7N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB | auf Bestellung 6382 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP8N50D-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP8N50D-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB | auf Bestellung 1002 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP8N50D-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB | auf Bestellung 1967 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP8N50D-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Mounting Type: Through Hole Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP8N50D-GE3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 156W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 156W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHP8N50D-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP8N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) | auf Bestellung 966 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHR080N60E-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHR080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 A, 0.084 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 500W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm | auf Bestellung 2031 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHR080N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHR080N60E-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; 500W; PowerPAK® 8x8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 51A Power dissipation: 500W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 74mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHR080N60E-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHR080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 A, 0.084 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 500W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm | auf Bestellung 2031 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHR080N60E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 600V | auf Bestellung 2177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHR080N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V | auf Bestellung 1967 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHR080N60E-T1-GE3-X | Vishay | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHR085N60EF-T1GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHR085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.085 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 184W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHR085N60EF-T1GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHR085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.085 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 184W Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EF Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHR085N60EF-T1GE3 | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 600V | auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHR100N60E-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 347W; PowerPAK® 8x8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38A Power dissipation: 347W Case: PowerPAK® 8x8L On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 16nC Gate-source voltage: ±30V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHR100N60E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs | auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 143-147 Tag (e) |
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| SIHR100N60EF-T1GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 347W; PowerPAK® 8x8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38A Power dissipation: 347W Case: PowerPAK® 8x8L On-state resistance: 87mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 53nC Gate-source voltage: ±30V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIHR100N60EF-T1GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 600V | auf Bestellung 1860 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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