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SIHP25N40D-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SIHP25N40D-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SIHP25N50E-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
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SIHP25N50E-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 500V 26A N-CH MOSFET
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SIHP25N50E-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 26A
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SIHP25N50E-BE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; Idm: 50A; 250W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Gate charge: 86nC
Produkt ist nicht verfügbar
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SIHP25N50E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.145 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.32 EUR
50+4.74 EUR
100+3.99 EUR
500+3.27 EUR
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SIHP25N50E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHP25N50E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Gate charge: 86nC
Produkt ist nicht verfügbar
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SIHP25N50E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
auf Bestellung 1852 Stücke:
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3+8.23 EUR
10+5.43 EUR
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100+3.82 EUR
500+3.14 EUR
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SIHP25N50E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
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SIHP25N50E-GE3
Produktcode: 189339
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Transistoren > MOSFET N-CH
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SIHP25N60EFL-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.25 EUR
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SIHP25N60EFL-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET
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1+10.77 EUR
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100+5.18 EUR
500+4.71 EUR
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SIHP25N60EFL-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 25A
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHP25N60EFL-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 250W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 127mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Gate charge: 75nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHP25N60EFL-GE3VishaySIHP25N60EFL-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Arrow.com
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHP25N60EFL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP25N60EFL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.146 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.97 EUR
25+9.58 EUR
100+7.13 EUR
500+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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SIHP25N60EFL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP25N60EFL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP25N60EFL-GE3VishaySIHP25N60EFL-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP28N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.34 EUR
10+8.98 EUR
50+7.13 EUR
100+6.52 EUR
500+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHP28N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.07 EUR
10+7 EUR
500+6.41 EUR
1000+5.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP28N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP28N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP28N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.112 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.82 EUR
22+10.95 EUR
100+7.31 EUR
500+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP28N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP28N65EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.62 EUR
10+11.85 EUR
100+11.21 EUR
500+10.52 EUR
1000+6.43 EUR
2000+6.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP28N65EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP28N65EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3249 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP28N65EF-GE3Vishay SiliconixN-CH 650V 28A 3-Pin TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP28N65EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP28N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
auf Bestellung 989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.02 EUR
21+11.44 EUR
100+8.72 EUR
500+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP30N60AEL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP30N60AEL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHP30N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 3790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.09 EUR
10+8.77 EUR
100+7.03 EUR
500+6.26 EUR
1000+5.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP30N60E-E3VishaySIHP30N60E-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHP30N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP30N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP30N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+8.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP30N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP30N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP30N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP30N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 65A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Pulsed drain current: 65A
Gate charge: 130nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP30N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP30N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+7.22 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP33N60EVishay / SiliconixMOSFET E Series Power N-Ch. MOSFET 600V 520W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP33N60E-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 600V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP33N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.34 EUR
10+8.98 EUR
50+7.13 EUR
100+6.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP33N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 88A; 278W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 88A
Case: TO220AB
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 278W
Gate-source voltage: ±30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP33N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP33N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.56 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP33N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.07 EUR
10+7 EUR
100+6.39 EUR
500+5.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP33N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP33N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.76 EUR
67+2.62 EUR
100+2.48 EUR
250+2.34 EUR
500+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP33N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.099 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.22 EUR
30+7.75 EUR
100+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP33N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP33N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.66 EUR
10+10.34 EUR
100+8.35 EUR
500+8.27 EUR
1000+7.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP33N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP33N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 100A; 278W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 100A
Case: TO220AB
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 278W
Gate-source voltage: ±30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP35N60E-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.88 EUR
10+8.01 EUR
100+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP35N60E-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 32A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP35N60E-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 32A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP35N60E-GE3VishaySIHP35N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Arrow.com
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP35N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.26 EUR
10+8.88 EUR
100+7.14 EUR
500+6.34 EUR
1000+5.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP35N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 132nC
Pulsed drain current: 80A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP35N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP35N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 134nC
Pulsed drain current: 80A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP35N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.23 EUR
50+6.54 EUR
100+6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP35N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.52 EUR
52+3.31 EUR
53+3.15 EUR
100+2.96 EUR
500+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP35N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP38N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V
auf Bestellung 829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.32 EUR
10+10.4 EUR
50+8.29 EUR
100+7.62 EUR
500+6.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP38N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.99 EUR
10+8.15 EUR
100+7.47 EUR
500+7.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP38N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP38N60E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 43A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP38N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP38N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43 A, 0.065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 313W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+17.9 EUR
17+14.14 EUR
20+10.76 EUR
50+9.13 EUR
100+8.33 EUR
250+7.77 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP38N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3576 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP38N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP4N80E-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP4N80E-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 800V 4.3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 25359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.43 EUR
10+2.68 EUR
100+2.34 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP4N80E-BE3VishayN Channel Trans MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP4N80E-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.4 EUR
10+3.49 EUR
100+2.4 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP4N80E-GE3VishayE Series Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP4N80E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP4N80E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.3A; 69W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 69W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP4N80E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP5N50D-E3Vishay / SiliconixMOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP5N50D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP5N50D-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.45 EUR
117+2 EUR
177+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP5N50D-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W; TO220AB
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5Ω
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP5N50D-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP5N50D-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.39 EUR
10+2.12 EUR
100+1.39 EUR
500+1.15 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.89 EUR
5000+0.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP5N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.16 EUR
10+2.68 EUR
50+2.02 EUR
100+1.81 EUR
500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP5N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.4A Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP5N80AE-GE3VishayMOSFETs TO220 800V 4.4A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP5N80AE-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP5N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.4 A, 1.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.17ohm
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.93 EUR
85+2.76 EUR
115+1.88 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP5N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.4A Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP690N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 1012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.05 EUR
10+3.64 EUR
100+2.93 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.26 EUR
2000+1.86 EUR
5000+1.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP690N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 100 V
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
10+2.9 EUR
100+2.31 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP6N40D-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 6A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP6N40D-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 400V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP6N40D-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 400V 6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+2.15 EUR
100+1.42 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.98 EUR
2000+0.9 EUR
5000+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH