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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STP36NF06LSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 30 Amp
auf Bestellung 5821 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.39 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.26 EUR
2000+1.15 EUR
6000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP36NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.45 EUR
123+1.38 EUR
135+1.21 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.83 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP37100150STATICTECCategory: Tapes and Labels
Description: Tape: electrically conductive; L: 150m; W: 0.1m; Thk: 0.08mm; black
Colour: black
Tape features: easy removal; glueless, leaves no residue; good electrical conductivity; smooth; under ESD floor mats
Type of tape: electrically conductive
Thickness: 80µm
Width: 0.1m
Length: 150m
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+133.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3788AD0A
auf Bestellung 4040 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP38N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 19A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP38N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.95 EUR
31+7.72 EUR
100+6.64 EUR
500+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP38N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.46 EUR
50+6.05 EUR
100+5.52 EUR
500+4.61 EUR
1000+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP38N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.5 EUR
10+6.07 EUR
100+5.55 EUR
500+4.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP38N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3HNK90ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3HNK90ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900 Volt 3.0Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3HNK90Z
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3HNK90ZSTMN-кан., 900V, 3.5 Ом, 3 A,TO220 (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3LN62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3LN62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
auf Bestellung 964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
50+1.58 EUR
100+1.5 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3LN62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 102 pF @ 100 V
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
50+1.76 EUR
100+1.63 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+1.69 EUR
100+1.51 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.09 EUR
2000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N100
auf Bestellung 1547 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N100FIST09+ TO-220
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.22 EUR
37+4.61 EUR
100+4.25 EUR
500+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N150STMicroelectronicsMOSFETs 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.84 EUR
10+5.28 EUR
100+4.82 EUR
500+4.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.19 EUR
38+4.68 EUR
100+4.39 EUR
500+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N150STTransistor N-Channel MOSFET; 1500V; 30V; 9Ohm; 2,5A; 140W; -50°C ~ 150°C; STP3N150 TSTP3N150
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N150
Produktcode: 51754
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.09 EUR
50+4.52 EUR
100+4.27 EUR
200+3.95 EUR
500+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+8.75 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N150STMMFET N-CH U=1500В I= 2.5 A R= 6 Om P=140W TO-220 задержка 24 нсек Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N150STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 25 V
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.41 EUR
50+6.02 EUR
100+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N150STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO220-3
Technology: PowerMesh™
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.5kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.79 EUR
14+6.4 EUR
17+5.02 EUR
50+5 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N150STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP3N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+13.07 EUR
28+8.57 EUR
100+6.32 EUR
500+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N50EonsemiDescription: NFET T0220 SPCL 500V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
417+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N50EONSEMIDescription: ONSEMI - STP3N50E - NFET T0220 SPCL 500V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N50EON SemiconductorSTP3N50E
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
461+1.43 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 461 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N50E
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N60
auf Bestellung 3655 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N60FI
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.7A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP3N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.15 EUR
76+3.08 EUR
122+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
50+2 EUR
100+1.89 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+1.94 EUR
100+1.76 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.32 EUR
2000+1.25 EUR
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STP3N85
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STP3NA100ST
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STP3NA100STMicroelectronicsMOSFET
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STP3NA50
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STP3NA50F1STISOWATT-220
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STP3NA50FISTTO220FP
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STP3NA60STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 2.9 A
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STP3NA60
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STP3NA60F1
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STP3NA60FI
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STP3NA80STMicroelectronicsMOSFET
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STP3NA90
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STP3NB100STMN-ChL 1000V - 5.3 Om - 3 A - TO-220 Транзистори
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STP3NB100STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP3NB100STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 1000 Volt 3 Amp
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STP3NB100FPST
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STP3NB60
Produktcode: 23835
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 3,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 400/15
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
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STP3NB60STMicroelectronicsMOSFETs
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STP3NB60FPSTTO-220FP
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STP3NB60FP
Produktcode: 37614
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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
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STP3NB60FPSTMN-кан. MOSFET 600V, 2.2A, 3.6Ом, 35Вт, TO-220FP (PowerMesh) Транзистори
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STP3NB60ZFP
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STP3NB80
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STP3NB80STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800 Volt 3 Amp
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STP3NB80FP
auf Bestellung 2000 Stücke:
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STP3NB90
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STP3NB90FP
Produktcode: 149301
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Transistoren > MOSFET N-CH
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STP3NB90FPSTMN-Ch900V3,5A110W4,2RTO220 Транзистори
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STP3NC50
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STP3NC60STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
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STP3NC60
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STP3NC60FPSTM
auf Bestellung 580 Stücke:
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STP3NC60FPSTMicroelectronicsSTMicroelectronics POWER MOSFET
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STP3NC60FP
Produktcode: 115136
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Transistoren > MOSFET N-CH
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STP3NC70
auf Bestellung 50 Stücke:
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STP3NC70Z
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STP3NC70ZFP
auf Bestellung 8000 Stücke:
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STP3NC90Z
auf Bestellung 8000 Stücke:
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STP3NC90ZFP
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STP3NK100ZSTMicroelectronicsMOSFET 1000V 5.4Ohm 2.5A Zener SuperMESH
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STP3NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP3NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STP3NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 2827 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.31 EUR
50+1.07 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
2000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STP3NK50ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP3NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.3 A, 2.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 1481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.43 EUR
108+2.15 EUR
161+1.33 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 500 V, 2.8 Ohm typ 2.3 A SuperMESH Power MOSFET
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.81 EUR
10+0.93 EUR
100+0.83 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.56 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK60
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK60FP
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.86 EUR
96+1.77 EUR
108+1.52 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.86 EUR
96+1.81 EUR
108+1.57 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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STP3NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.27 EUR
10+2.07 EUR
100+1.86 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.36 EUR
2000+1.26 EUR
5000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 45W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.45 EUR
52+1.67 EUR
86+0.99 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.12 EUR
2000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP3NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.12 EUR
2000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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