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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMC3028LSDX-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC3028LSDX-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V Dual FET 28mOHm 10V VGS 7.1A | auf Bestellung 1724 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC3028LSDX-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC3028LSDX-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.027 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC3028LSDX-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 5.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | auf Bestellung 2264 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC3028LSDX-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC3028LSDX-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Drain current: 7.6/-7.2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30/-30V Kind of transistor: complementary pair Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.027/0.025Ω | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3028LSDX-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC3028LSDX-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.027 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC3028LSDX-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 5.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3028LSDX-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3028LSDXQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 5.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC3028LSDXQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC3028LSDXQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.027 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1977 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC3028LSDXQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 5.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | auf Bestellung 13477 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC3028LSDXQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3028LSDXQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs Comp Pair Enh FET 30Vdss 20Vgss | auf Bestellung 7616 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC3028LSDXQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC3028LSDXQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.027 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1977 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC3032LFDB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.3A 6UDFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 3.4A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, 336pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V, 70mOhm @ 3.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V, 7.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3032LFDB-13 | Diodes Zetex | Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3032LFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3032LFDB-7 | Diodes Zetex | Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3032LFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3032LSD | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3032LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V VDSS 20V VGSS 2.5W PD COMP MOSFET | auf Bestellung 3610 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC3032LSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.032 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC3032LSD-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Type of transistor: N/P-MOSFET Mounting: SMD Case: SO8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7/-8.1A On-state resistance: 0.032/0.039Ω Power dissipation: 2.5W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape | auf Bestellung 2180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC3032LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A, 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404.5pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | auf Bestellung 2704 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC3032LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3032LSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.032 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC3032LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A, 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404.5pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC3035LSD | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3035LSD Produktcode: 106253
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| Diodes Incorporated | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3035LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.9A/5A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A, 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3035LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET CMPLMNTRY PR ENHCMNT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3036LSD | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3036LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3060LVT-13 | Diodes Zetex | DMC3060LVT-13 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC3060LVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.6A TSOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), 2.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V, 324pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-23-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3060LVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3060LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K | auf Bestellung 4704 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC3060LVT-7 | Diodes Zetex | High Enhancement Mode MOSFET | auf Bestellung 360000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC3060LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.6A TSOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), 2.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V, 324pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-23-6 Part Status: Active | auf Bestellung 4666 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC3060LVT-7 | Diodes Zetex | High Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3060LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.6A TSOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), 2.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V, 324pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-23-6 Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC3060LVTQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.6A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), 2.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V, 324pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V, 8.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3060LVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3060LVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K | auf Bestellung 2890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC3060LVTQ-7 | Diodes Zetex | Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC3060LVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.6A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), 2.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V, 324pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V, 8.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC3060LVTQ-7 | Diodes Zetex | Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3061SVT | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3061SVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT23-6 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TSOT-23-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V, 6.8nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278pF @ 15V, 287pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.7A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 880mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3061SVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3061SVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V TSOT26 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3061SVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT23-6 Supplier Device Package: TSOT-23-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V, 6.8nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278pF @ 15V, 287pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.7A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 880mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3061SVTQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.7A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3061SVTQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V, 6.8nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278pF @ 15V, 287pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.7A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 880mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3061SVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3061SVTQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.7A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC3061SVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T and R 3K | auf Bestellung 3361 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC3061SVTQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.7A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC3061SVTQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.7A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 2715000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC3061SVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 880mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278pF @ 15V, 287pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V, 6.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6544 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC3061SVTQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.7A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC3061SVTQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.7A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC3061SVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 880mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278pF @ 15V, 287pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V, 6.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC3061SVTQ-7-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R Part Status: Active Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.2V @ 250µA FET Feature: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 880mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Bulk Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V, 6.8nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.7A (Ta) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3061SVTQ-7-52 | Diodes Zetex | Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3071LVT | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3071LVT-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.6A/3.3A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC3071LVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V, 254pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC3071LVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 8271 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC3071LVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V, 254pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3071LVT-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.6A/3.3A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC3071LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 287593 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC3071LVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC3071LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.034 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC3071LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.6A/3.3A 6-Pin TSOT-26 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3071LVT-7 | Diodes | MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC3071LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V, 254pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 | auf Bestellung 9615 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC3071LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.6A/3.3A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC3071LVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC3071LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.034 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC3071LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V, 254pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC3071LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.6A/3.3A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC31D5UDA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 370mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-6 | auf Bestellung 4070000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC31D5UDA-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.22A 6-Pin X2-DFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC31D5UDA-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC31D5UDA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 370mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-6 | auf Bestellung 4075830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC31D5UDA-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.22A 6-Pin X2-DFN T/R | auf Bestellung 4070000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC31D5UDAQ-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0806-6 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC31D5UDAQ-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A 6DFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 370mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), 220mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V, 21.8pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V, 5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V, 0.35nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC31D5UDJ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 1.5 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 350mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 350mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4092 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC31D5UDJ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.22A/0.2A 6-Pin SOT-963 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC31D5UDJ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 1.5 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 350mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 350mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4092 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC31D5UDJ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | auf Bestellung 186323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC31D5UDJ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar Mounting: SMD Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMC31D5UDJ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N & P Enh FET Low RDSon 22.2pF | auf Bestellung 11527 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC31D5UDJ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | auf Bestellung 180000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC31D5UDJ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.22A/0.2A 6-Pin SOT-963 T/R | auf Bestellung 1020000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC31D5UDJ-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963 Power - Max: 350mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-963 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-963 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA Drain to Source Voltage (Vdss): 30V | auf Bestellung 470000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC31D5UDJ-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.22A/0.2A 6-Pin SOT-963 T/R | auf Bestellung 460000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC31D5UDJ-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 1.5 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 350mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 350mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 6260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC31D5UDJ-7B Produktcode: 182453
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