Produkte > DMN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMN3731U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3731U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | auf Bestellung 35085 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3731U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3731UFB4-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 520mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 660000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3731UFB4-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 3-Pin X2-DFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3731UFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 8265 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3731UFB4-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 520mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 668190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3731UFR4-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | auf Bestellung 375000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3731UFR4-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1010-3 T&R 5K | auf Bestellung 1239 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3731UFR4-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3731UFR4-7R | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1010-3 T&R 5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3731UFR4-7R | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V X2-DFN1010-3 T&R 5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732U-13 | Diodes Incorporated | Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732U-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732U-7 | Diodes Incorporated | Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732U-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UFB4-7 | Diodes Zetex | 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UFB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UFB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006-3 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UFB4-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006-3 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UFB4-7B | Diodes Zetex | 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UFB4-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8 pF @ 25 V | auf Bestellung 7777 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3732UFB4Q-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006-3 T&R 10K | auf Bestellung 30565 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3732UFB4Q-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006 Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | auf Bestellung 140000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3732UFB4Q-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8 pF @ 25 V | auf Bestellung 147252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3732UQ-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UQ-13 | Diodes Incorporated | Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UQ-7 | Diodes Incorporated | Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UQ-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UVT-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.1A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UVT-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UVT-7 | Diodes Incorporated | Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UVTQ-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UVTQ-13 | Diodes Incorporated | Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UVTQ-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3732UVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN38M1SCA10-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN3415 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel, Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1914pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: X4-DSN3415-10 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3900UFA-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.55A 3-Pin X2-DFN T/R | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3900UFA-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-CH MOSFET | auf Bestellung 15043 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3900UFA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.2 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3900UFA-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.55A 3-Pin X2-DFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3900UFA-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3900UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 550 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 550mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 390mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3900UFA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.2 pF @ 25 V | auf Bestellung 14073 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3900UFA-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.55A 3-Pin X2-DFN T/R | auf Bestellung 740000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3900UFA-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3900UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 550 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 390mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN39M1LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.9A (Ta), 89.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2253 pF @ 15 V | auf Bestellung 2460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4008LFG | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4008LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3537 pF @ 20 V | auf Bestellung 3350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4008LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V N-Ch Enh FET 20Vgs 19.2A 74nC | auf Bestellung 1090 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4008LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3537 pF @ 20 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4008LFG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 15.4A; Idm: 90A; 2.3W Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 40V Drain current: 15.4A Power dissipation: 2.3W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 90A Polarisation: unipolar Gate charge: 74nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4008LFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 14.4A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4008LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN4008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.4 A, 5500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm | auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN4008LFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 15.4A; Idm: 90A; 2.3W Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 40V Drain current: 15.4A Power dissipation: 2.3W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: 7 inch reel; tape Pulsed drain current: 90A Polarisation: unipolar Gate charge: 74nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4008LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 14.4A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 32000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN4008LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3537 pF @ 20 V | auf Bestellung 15792 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4008LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN4008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.4 A, 5500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm | auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN4008LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3537 pF @ 20 V | auf Bestellung 14900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4008LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 14.4A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4008LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V N-Ch Enh FET 20Vgs 19.2A 74nC | auf Bestellung 3149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4009LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 18A TO252-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4009LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 18A TO252-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4010LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 930mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4010LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V N-Ch Enh Mode 1810pF 37nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4010LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40 N-Ch Enh FET 31V to 99V 1810pF | auf Bestellung 11606 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4010LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 930mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 20 V | auf Bestellung 49050 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4010LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 930mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4010LFG-7-01 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4010LFG-7-01 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4015LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4015LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK | auf Bestellung 2529 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4015LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK | auf Bestellung 2529 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4015LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4015LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4015LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4020LFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET FET BVDSS 31V 40V N-Ch 8A 28Vgs 1060pF | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4020LFDE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4020LFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 20 V | auf Bestellung 56722 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4020LFDE-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN4020LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 2.03W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4020LFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4020LFDE-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN4020LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.03W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1070 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN4020LFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET FET BVDSS 31V 40V N-Ch 8A 28Vgs 1060pF | auf Bestellung 5670 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4025LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4025LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 8-SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4026SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V N-Ch Enh FET 20Vgss 1.6W 1181pF | auf Bestellung 11587 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4026SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 28A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1181 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4026SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 28A TO252 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1181 pF @ 20 V | auf Bestellung 76141 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4026SSD | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4026SSD-13 | Diodes | Trans MOSFET N-CH 40V 7A Automotive SO-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4026SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 40Vdss 20Vgss | auf Bestellung 15069 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN4026SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4026SSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN4026SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 3490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN4026SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN4026SSD-13 | Diodes INC. | 2N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 7 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1060 @ 20, Qg, нКл = 19,1 @ 10 В, Rds = 24 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4026SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN4026SSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN4026SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 3490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN4026SSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 1.3W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 12424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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