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SIHP6N40D-E3Vishay / SiliconixMOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220AB
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SIHP6N40D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHP6N40D-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
230+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 230 Stücke
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SIHP6N40D-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP6N40D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 6 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 104
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: D
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: To Be Advised
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SIHP6N40D-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V
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SIHP6N40D-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHP6N40D-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 4A; Idm: 13A; 104W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 104W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SIHP6N40D-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
230+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 230 Stücke
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SIHP6N40D-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.89 EUR
10+1.55 EUR
100+1.23 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHP6N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP6N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP6N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHP6N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.59 EUR
10+3.62 EUR
100+2.51 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.95 EUR
2000+1.82 EUR
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SIHP6N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.57 EUR
63+3.71 EUR
100+2.59 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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SIHP6N80AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 800V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+2.09 EUR
100+1.87 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.49 EUR
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SIHP6N80AE-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.826 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.826ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.9 EUR
99+2.37 EUR
111+1.94 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP6N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.3 EUR
10+2.74 EUR
50+2.08 EUR
100+1.87 EUR
500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP6N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 5A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP6N80E-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.68 EUR
50+2.83 EUR
100+2.56 EUR
500+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP6N80E-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 5.4A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP6N80E-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 800V 5.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.7 EUR
10+2.84 EUR
100+2.48 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.09 EUR
2000+2.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP6N80E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP6N80E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.09 EUR
10+3.03 EUR
100+2.76 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.18 EUR
2000+2.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP6N80E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP6N80E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
auf Bestellung 1111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.06 EUR
10+3.94 EUR
50+3.02 EUR
100+2.74 EUR
500+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP6N80E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; 78W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 78W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 820mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP7N60E-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 7A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP7N60E-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.38 EUR
10+3.49 EUR
100+2.39 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP7N60E-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 7A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+3.28 EUR
100+2.26 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP7N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP7N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP7N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 6382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.45 EUR
10+2.7 EUR
100+2.43 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.92 EUR
2000+1.89 EUR
5000+1.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP7N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP7N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 78
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.34 EUR
64+3.67 EUR
100+2.7 EUR
500+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP7N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP7N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 78W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 40nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP7N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.43 EUR
10+3.51 EUR
50+2.68 EUR
100+2.42 EUR
500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP7N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP8N50D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
50+1.96 EUR
100+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP8N50D-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.22 EUR
10+2.62 EUR
100+2.07 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.38 EUR
2000+1.34 EUR
5000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP8N50D-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP8N50D-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+2.12 EUR
100+1.68 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.25 EUR
5000+1.04 EUR
10000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP8N50D-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP8N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+3.22 EUR
128+1.68 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP8N50D-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.47 EUR
50+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHR080N60E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
auf Bestellung 1964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.52 EUR
10+9.85 EUR
50+7.84 EUR
100+7.2 EUR
500+6.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHR080N60E-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHR080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 A, 0.084 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.82 EUR
27+8.72 EUR
100+6.05 EUR
500+5.76 EUR
1000+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHR080N60E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHR080N60E-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; 500W; PowerPAK® 8x8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Power dissipation: 500W
Case: PowerPAK® 8x8L
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHR080N60E-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 2172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.6 EUR
10+7.9 EUR
100+7.25 EUR
500+7.08 EUR
1000+6.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHR080N60E-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHR080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 A, 0.084 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.05 EUR
500+5.76 EUR
1000+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHR080N60E-T1-GE3-XVishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHR085N60EF-T1GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.95 EUR
10+8.68 EUR
100+6.97 EUR
500+6.2 EUR
1000+5.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHR085N60EF-T1GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHR085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.085 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 184W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.18 EUR
500+6.38 EUR
1000+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHR085N60EF-T1GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHR085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.085 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 184W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.49 EUR
25+9.6 EUR
100+7.18 EUR
500+6.38 EUR
1000+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHR100N60E-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 347W; PowerPAK® 8x8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 347W
Case: PowerPAK® 8x8L
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16nC
Gate-source voltage: ±30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHR100N60E-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 143-147 Tag (e)
1+12.88 EUR
10+10.81 EUR
25+10.2 EUR
100+8.76 EUR
250+8.25 EUR
500+7.77 EUR
1000+6.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHR100N60EF-T1GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.05 EUR
10+10.08 EUR
100+8.1 EUR
500+7.2 EUR
1000+6.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHR100N60EF-T1GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 347W; PowerPAK® 8x8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 347W
Case: PowerPAK® 8x8L
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
Gate-source voltage: ±30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHR110T-E3
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHR120N60E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHR120N60E-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 1855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.36 EUR
10+8.98 EUR
100+7.1 EUR
500+6.5 EUR
1000+5.82 EUR
2000+5.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHR120N60EF-T1GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1929 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHR120N60EF-T1GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.51 EUR
10+9.09 EUR
100+7.19 EUR
500+6.58 EUR
1000+5.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS20N50C-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs Super-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS20N50C-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 20A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS36N50D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS36N50D-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS36N50D-E3Vishay / SiliconixMOSFET 500V Vds 30V Vgs Super-247
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS36N50D-E3VISHAYDescription: VISHAY - SIHS36N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.105 ohm, TO-274AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 36
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-274AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: D
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS36N50D-GE3Vishay SiliconixDescription: D SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 100 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.01 EUR
30+8.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS36N50D-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
auf Bestellung 2947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.18 EUR
10+10.7 EUR
100+8.65 EUR
480+7.69 EUR
960+6.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS36N50D-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHS36N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.13 ohm, Super-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: Super-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1081 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.79 EUR
19+12.32 EUR
26+8.35 EUR
50+7.95 EUR
100+6.69 EUR
250+6.56 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHS90N65E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 591 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11826 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHS90N65E-E3Vishay / SiliconixMOSFET 650V Vds 30V Vgs Super-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS90N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 591 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11826 pF @ 100 V
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.07 EUR
30+22.69 EUR
120+20.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS90N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SPR247 650V 87A N-CH MOSFET
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.97 EUR
10+26.81 EUR
100+26.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS90N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHS90N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 87 A, 0.025 ohm, Super-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: Super-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+32.28 EUR
9+27.31 EUR
10+22.73 EUR
50+22.62 EUR
100+22.51 EUR
250+22.41 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS90N65E-GE3-XVishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU2N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU2N80AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO251 800V 2.9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.53 EUR
100+1.59 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.23 EUR
3000+0.89 EUR
6000+0.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU2N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 2.9A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU2N80E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 800V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU2N80E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU2N80E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 5A; 62.5W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 62.5W
Gate charge: 19.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.75Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU3N50D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU3N50D-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU3N50D-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU3N50D-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHU3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 3
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 104
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: D
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU3N50D-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU3N50D-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU3N50DA-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU3N50DA-GE3VishayD Series Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU3N50DA-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
auf Bestellung 2767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.92 EUR
10+1.8 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
3000+0.73 EUR
6000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU4N80AEVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU4N80AEVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.07 EUR
229+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU4N80AE-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHU4N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 1.44 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.44ohm
auf Bestellung 2878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.12 EUR
77+3.03 EUR
112+1.92 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU4N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU4N80AE-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 1.27Ω
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU4N80AE-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Nch 800V Vds 30V Vgs TO-251
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU4N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.5 EUR
10+2.88 EUR
50+2.18 EUR
100+1.95 EUR
500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU4N80E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 800V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH