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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIHR110T-E3
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHR120N60E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHR120N60E-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 1855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.2 EUR
10+8.82 EUR
100+7.1 EUR
500+6.31 EUR
1000+5.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHR120N60EF-T1GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1929 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHR120N60EF-T1GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.34 EUR
10+8.95 EUR
100+7.19 EUR
500+6.39 EUR
1000+5.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS20N50C-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 20A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS20N50C-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs Super-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS36N50D-E3VISHAYDescription: VISHAY - SIHS36N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.105 ohm, TO-274AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 36
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-274AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: D
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS36N50D-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS36N50D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS36N50D-E3Vishay / SiliconixMOSFET 500V Vds 30V Vgs Super-247
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS36N50D-GE3Vishay SiliconixDescription: D SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 100 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.01 EUR
30+8.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS36N50D-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
auf Bestellung 2947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.18 EUR
10+10.7 EUR
100+8.65 EUR
480+7.69 EUR
960+6.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS36N50D-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHS36N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.13 ohm, Super-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: Super-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1081 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.79 EUR
19+12.32 EUR
26+8.35 EUR
50+7.95 EUR
100+6.69 EUR
250+6.56 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHS90N65E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11826 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 591 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHS90N65E-E3Vishay / SiliconixMOSFET 650V Vds 30V Vgs Super-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS90N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 591 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11826 pF @ 100 V
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.07 EUR
30+22.69 EUR
120+20.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS90N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHS90N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 87 A, 0.025 ohm, Super-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: Super-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+32.28 EUR
9+27.31 EUR
10+22.73 EUR
50+22.62 EUR
100+22.51 EUR
250+22.41 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS90N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SPR247 650V 87A N-CH MOSFET
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.97 EUR
10+26.81 EUR
100+26.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHS90N65E-GE3-XVishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU2N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 2.9A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU2N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU2N80AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO251 800V 2.9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+2.24 EUR
100+1.46 EUR
500+1.15 EUR
1000+0.99 EUR
6000+0.9 EUR
9000+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU2N80E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 800V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU2N80E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU2N80E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 5A; 62.5W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 62.5W
Gate charge: 19.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.75Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU3N50D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU3N50D-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU3N50D-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHU3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 3
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 104
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: D
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU3N50D-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU3N50D-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO251
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU3N50D-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU3N50DA-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
auf Bestellung 2767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.92 EUR
10+1.8 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
3000+0.73 EUR
6000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU3N50DA-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU3N50DA-GE3VishayD Series Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU4N80AEVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.05 EUR
229+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU4N80AEVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU4N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+2.7 EUR
50+2.05 EUR
100+1.83 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU4N80AE-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 69W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU4N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU4N80AE-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Nch 800V Vds 30V Vgs TO-251
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU4N80AE-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHU4N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 1.44 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.44ohm
auf Bestellung 2878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.12 EUR
77+3.03 EUR
112+1.92 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU4N80E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 800V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU4N80E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU5N50D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU5N50D-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU5N50D-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHU5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.5 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 7980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.2 EUR
124+1.88 EUR
190+1.13 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.86 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU5N50D-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
auf Bestellung 7563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.14 EUR
10+1.98 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.99 EUR
3000+0.83 EUR
6000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU5N50D-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU5N50D-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU5N50D-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU5N80AEVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU5N80AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100 V
auf Bestellung 2899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.33 EUR
10+1.58 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.07 EUR
3000+0.98 EUR
6000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU5N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU5N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU6N62E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 620V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU6N62E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 620V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.83 EUR
100+1.92 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.38 EUR
3000+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU6N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
auf Bestellung 2638 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+3.09 EUR
100+2.12 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.58 EUR
3000+1.52 EUR
6000+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU6N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHU6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU6N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU6N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 5A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU6N80AE-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 800V IPAK (TO-251)
auf Bestellung 5281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.48 EUR
100+1.65 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.13 EUR
6000+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU6N80E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 5.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU6N80E-GE3VishaySIHU6N80E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK - Arrow.com
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.92 EUR
100+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU6N80E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 800V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU7N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU7N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU7N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.02 EUR
10+3.24 EUR
50+2.46 EUR
100+2.21 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU7N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHU7N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 78W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.18 EUR
66+3.55 EUR
100+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU7N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU7N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHUB-8Applied MotionMotor Drives CONTROLLER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW040N65E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.89 EUR
10+10.52 EUR
100+8.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW040N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.18 EUR
30+10.69 EUR
60+9.79 EUR
120+9.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW21N80AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO247 800V 17.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.66 EUR
10+7.66 EUR
100+5.81 EUR
480+5.01 EUR
960+4.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW21N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW22N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW22N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 650V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW23N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW23N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW30N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.72 EUR
10+9.32 EUR
100+7.14 EUR
480+7.12 EUR
960+6.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW30N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.99 EUR
10+9.48 EUR
100+7.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW33N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHW33N60E-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-247AD-3
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 278
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW33N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.57 EUR
10+10.95 EUR
100+8.85 EUR
480+7.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW33N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW47N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW47N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.12 EUR
10+12.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW47N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+15.93 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW47N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.48 EUR
30+12.16 EUR
60+11.17 EUR
120+10.33 EUR
510+9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW47N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW47N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4854 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.8 EUR
10+14.36 EUR
50+11.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW47N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW47N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SIHG
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.47 EUR
10+14.14 EUR
100+10.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHW47N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V 72mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHW47N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 47A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5682 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW61N65EF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AD
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.54 EUR
10+22.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW61N65EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 371 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7407 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW70N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SIHG
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.8 EUR
10+20.19 EUR
100+16.81 EUR
480+14.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW70N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW73N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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