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MOSFETs N-Ch 30V 9.3A DSO-8 OptiMOS 3M

auf Bestellung 1353 Stücke:

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2+	2.73 EUR
10+	1.71 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.89 EUR
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2500+	0.73 EUR
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO150N03MDGXUMA1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active

auf Bestellung 11591 Stücke:

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9+	2.59 EUR
13+	1.63 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.84 EUR
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BSO150N03MDGXUMA1

Description: INFINEON - BSO150N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3171 Stücke:

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100+	2.55 EUR
145+	1.61 EUR
192+	1.12 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.77 EUR

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BSO150N03MDGXUMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin DSO T/R

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BSO150N03S

09+ SOP8

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BSO150N03S .

auf Bestellung 2060 Stücke:

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BSO150N3

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BSO200N03

MOSFET N-Ch 30V 7A DSO-8

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BSO200N03

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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BSO200N03

auf Bestellung 8639 Stücke:

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BSO200N03

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W

Produkt ist nicht verfügbar

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BSO200N03S

SOP-8

auf Bestellung 2238 Stücke:

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BSO200N03S

Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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BSO200N03S

Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)

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BSO200N03S .

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSO200N3S

auf Bestellung 20098 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSO200P03S

MOSFET P-Ch -30V -9.1A SO-8

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BSO200P03S

09+ SOP8

auf Bestellung 2175 Stücke:

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BSO200P03S H

MOSFETs P-Ch -30V -9.1A DSO-8 OptiMOS P

auf Bestellung 3388 Stücke:

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2+	2.68 EUR
10+	1.82 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	0.99 EUR
2500+	0.98 EUR
5000+	0.9 EUR

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BSO200P03S H
Produktcode: 182879

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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BSO200P03SHXUMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-Pin DSO T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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BSO200P03SHXUMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-Pin DSO T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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BSO200P03SHXUMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-Pin DSO T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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BSO200P03SHXUMA1
Produktcode: 149476

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO200P03SHXUMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO200P03SHXUMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-Pin DSO T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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BSO200P03SHXUMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

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BSO200P03SNTMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO201SP

09+ SOP8

auf Bestellung 14340 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO201SP

MOSFET P-Ch -20V -14.9A DSO-8

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BSO201SP .

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSO201SP H

MOSFETs P-Ch -20V -14.9A DSO-8 OptiMOS P

auf Bestellung 3645 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.19 EUR
10+	2.68 EUR
100+	1.86 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.31 EUR
2500+	1.25 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO201SPH

Description: BSO201 - 20V-250V P-CHANNEL POWE

auf Bestellung 1414 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

424+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 424 Stücke

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BSO201SPHXUMA1

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

62+	2.82 EUR
68+	2.53 EUR
100+	2.02 EUR
200+	1.86 EUR
1000+	1.62 EUR
2000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 62 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO201SPHXUMA1

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R

auf Bestellung 2116 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

75+	2.34 EUR
78+	2.23 EUR
100+	1.81 EUR
250+	1.7 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 75 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO201SPHXUMA1

Description: INFINEON - BSO201SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm

auf Bestellung 2588 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	5 EUR
79+	2.98 EUR
113+	1.89 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO201SPHXUMA1

Description: MOSFET P-CH 20V 12A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.13 EUR
5000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO201SPHXUMA1

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.24 EUR
5000+	1.14 EUR
10000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO201SPHXUMA1

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO201SPHXUMA1

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.24 EUR
5000+	1.17 EUR
10000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO201SPHXUMA1

MOSFETs P-Ch -20V -14.9A DSO-8 OptiMOS P

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO201SPHXUMA1

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO201SPHXUMA1

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R

auf Bestellung 2116 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	2.69 EUR
75+	2.26 EUR
78+	2.09 EUR
100+	1.68 EUR
250+	1.55 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 65 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO201SPHXUMA1

Description: MOSFET P-CH 20V 12A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V

auf Bestellung 9652 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.92 EUR
10+	2.51 EUR
100+	1.7 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO201SPNTMA1

Description: MOSFET P-CH 20V 14.9A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5962 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO201SPNTMA1

Description: MOSFET P-CH 20V 14.9A 8DSO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5962 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO203P

MOSFET P-Ch -20V 8.2A DSO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO203P

Rochester Electronics, LLC

09+ SOP8

auf Bestellung 2240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO203P

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 421 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO203P H

MOSFET P-Ch -20V -8.2A DSO-8 OptiMOS P

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO203PH

Description: BSO203 - 20V-250V P-CHANNEL POWE

auf Bestellung 2450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

490+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 490 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO203PHXUMA1

Description: MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

371+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 371 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO203PHXUMA1

Description: MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO203PHXUMA1

Description: MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO203PNTMA1

Description: MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO203PNTMA1

Description: MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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BSO203SP

09+ SOP8

auf Bestellung 3050 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSO203SP

MOSFET P-Ch -20V 9A SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO203SP

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk

auf Bestellung 5216 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

834+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 834 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO203SP H

MOSFETs P-Ch -20V -8.9A DSO-8 OptiMOS P

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO203SPHXUMA1

Trans MOSFET P-CH 20V 7A Automotive 8-Pin DSO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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BSO203SPHXUMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSO203SPHXUMA1 - BSO203 - 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

526+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 526 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO203SPHXUMA1

Description: MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO203SPHXUMA1

Description: INFINEON - BSO203SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1671 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

119+	2.11 EUR
136+	1.71 EUR
164+	1.31 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 119 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO203SPHXUMA1

Description: MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO203SPHXUMA1

Trans MOSFET P-CH 20V 7A Automotive 8-Pin DSO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO203SPHXUMA1

MOSFETs P-Ch -20V -8.9A DSO-8 OptiMOS P

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO203SPHXUMA1

MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO203SPHXUMA1

auf Bestellung 1671 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

119+	2.11 EUR
136+	1.71 EUR
164+	1.31 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 119 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO203SPNT

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.35W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

546+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 546 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO203SPNTMA1

Description: MOSFET P-CH 20V 9A 8DSO

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO203SPNTMA1

Description: MOSFET P-CH 20V 9A 8DSO

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO204P

09+

auf Bestellung 5018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO204PNTMA1

Description: MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 60µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1513pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO207P

09+ SMD8

auf Bestellung 3480 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO207P H

MOSFET P-Ch -20V -5.7A DSO-8 OptiMOS P

auf Bestellung 2230 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO207PHXUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.6W
Technology: OptiMOS™ P

auf Bestellung 2211 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

218+	0.39 EUR
228+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 218 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO207PHXUMA1

Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO207PHXUMA1

MOSFET P-Ch -20V -5.7A DSO-8 OptiMOS P

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO207PNTMA1

Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8DSO
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 40µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1013pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO211P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8DSO
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

944+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 944 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO211P

09+ SOP8

auf Bestellung 5350 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO211P .

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO211P H

MOSFET SMALL SIGNAL N-CH

auf Bestellung 2431 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO211PH

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 532FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 532-BFBGA, FCBGA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: 532-FCBGA (23x23)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.6W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

903+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 903 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO211PHXUMA1

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8

auf Bestellung 27500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

616+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 616 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO211PHXUMA1

MOSFET SMALL SIGNAL N-CH

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO211PHXUMA1

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO211PHXUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.6W
Technology: OptiMOS™ P

auf Bestellung 2285 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

173+	0.49 EUR
190+	0.45 EUR
205+	0.42 EUR
225+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 173 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO211PNTMA1

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8DSO
Supplier Device Package: PG-DSO-8
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO211PNTMA1

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8DSO
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO215C

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO215C

03+

auf Bestellung 12774 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO220N

auf Bestellung 118 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO220N03MD G

MOSFETs N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M

auf Bestellung 19448 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.2 EUR
10+	1.37 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.62 EUR
2500+	0.57 EUR
5000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO220N03MDG

2N-MOSFET 30V 6A 22mΩ 1.4W BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDG INFINEON TBSO220n03mdg
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

40+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO220N03MDGXUMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.52 EUR
5000+	0.51 EUR
10000+	0.5 EUR
12500+	0.48 EUR
25000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSO220N03MDGXUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 7.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-DSO-8
On-state resistance: 22mΩ

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Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R

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