Produkte > FDP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDP047N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP047N08 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 268W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V | auf Bestellung 3381 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP047N08-F10 | Fairchild Semiconductor | Description: 164A, 75V, N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 432 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP047N08-F10 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP047N08-F10 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP047N08-F10 | ON Semiconductor | FDP047N08-F10 | auf Bestellung 432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP047N08-F102 | onsemi | MOSFETs PT3 75V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP047N08-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 268W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V | auf Bestellung 3169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP047N08-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP047N08-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 9472 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP047N08-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP047N08-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs PT3 75V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP047N08V_F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP047N08V_F149 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP047N08_F149 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP047N10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench | auf Bestellung 4533 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP047N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP047N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP047N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP047N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP047N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP047N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP050AN06A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PowerTrench | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP050AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 4555 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP050AN06A0 | onsemi | MOSFETs N-Channel PowerTrench | auf Bestellung 646 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP050AN06A0 | ONN | auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDP050AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP050AN06A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP050AN06A0_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PowerTrench | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP053N08B | onsemi | FET 60V 5.0 MOHM TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP053N08B-F102 | onsemi | MOSFETs Smart Power Module | auf Bestellung 229 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP053N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP053N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 49396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP053N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP053N08B-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP053N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP053N08B-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs Smart Power Module | auf Bestellung 629 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP053N08B-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP053N08B-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5960 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 146W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP054N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 222 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP054N10 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP054N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 120 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 263 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3.5 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP054N10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-Chan PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP054N10 | ONN | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDP054N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP054N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13280 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 640 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP054N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP060AN08 | auf Bestellung 5589 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDP060AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3 Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 8943 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP060AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP060AN08A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 75V 80a .6Ohms/VGS=1V | auf Bestellung 3356 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP060AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP060AN08A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 75 V, 80 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 255W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm | auf Bestellung 1541 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP060AN08A0 | onsemi | MOSFETs 75V 80a .6Ohms/VGS=1V | auf Bestellung 2836 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP060AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 47200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP060AN08A0_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP070AN06A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP070AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 767 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 767 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP070AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP070AN06A0 | ON Semiconductor | auf Bestellung 770 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDP070AN06A0 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PwrTrench | auf Bestellung 852 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP070AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | auf Bestellung 575 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP075N15A | onsemi | FET 150V 7.5 MOHM TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP075N15A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP075N15A-F032 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ONS/FAI | MOSFET 150V NChan PwrTrench Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 692 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V | auf Bestellung 895 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | onsemi | MOSFETs 150V NChan PwrTrench | auf Bestellung 5373 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP075N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.0075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP075N15A_F102 | onsemi / Fairchild | MOSFET 150V NChan PwrTrench | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP075N15A_F102 Produktcode: 154614
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDP083N15A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP083N15A | onsemi | onsemi FET 150V 8.3 MOHM TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP083N15A-F102 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3 Mounting: THT Power dissipation: 294W Polarisation: unipolar Drain current: 83A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 150V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220-3 On-state resistance: 8.3mΩ | auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP083N15A-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 6850 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 117A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 294W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6850µohm | auf Bestellung 1127 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP083N15A-F102 | onsemi | MOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET | auf Bestellung 10684 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP083N15A-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V | auf Bestellung 1309 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP083N15A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP083N15A_F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP083N15A_F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP083N15A_F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP083N15A_F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP085N10A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP085N10A-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDP085N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.00735 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00735ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1023 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP085N10A-F102 | onsemi | MOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET | auf Bestellung 3073 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP085N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP085N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP085N10A-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP090N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP090N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8225 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 11789 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP090N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP090N10 | FAIRCHILD | TO-220 09+ | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP090N10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V 75A N-Chan PowerTrench | auf Bestellung 7984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP090N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP100N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 467 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| FDP100N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDP100N10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench | auf Bestellung 227 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
