Produkte > IRL
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| IRL2505PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 104, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5000 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 5 В, Rds = 8 мОм @ 54 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2505PBF | Infineon | N-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2505PBF Produktcode: 191359
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Lieblingsprodukt
| JSMicro | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В Drain-Strom Idd, A: 68 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,5 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1204/17,9 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT | auf Bestellung: 100 St.
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| IRL2505PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL2505PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 104 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2505PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2505PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2505PBF | International Rectifier | TO-220,HEXFET Power MOSFET,Vdss = 55V,Id = 104A,Rds(on) = 0.008 Ohm,-55...+175 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2505PBF | VBSEMI | N-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Транзистори | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2505PBF Produktcode: 27992
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 104 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5000/130 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT ZCODE: 8541290010 | erwartet: 10 St.
auf Bestellung: 74 St.
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| IRL2505PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2505S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2505S | IR | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2505S | VBSEMI | (TO-263) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2505SPBF Produktcode: 18630
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 104 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5000/130 | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRL2505SPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2505SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2505SPBF | Infineon Technologies | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 86.7nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2505STR | International Rectifier | IRL2505STR IRL2505SPBF (TO-263) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2505STRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2505STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 74A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2505STRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL2505STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 104 A, 0.008 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL2505STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL2505STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 104A 8mOhm 86.7nC Log Lvl | auf Bestellung 2953 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRL2505STRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL2505STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 104 A, 0.008 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL2505STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL2505STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2505STRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2505STRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2703 | International Rectifier | N-MOSFET 30V 24A IRL2703 TIRL2703 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRL2703HR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2703PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL2703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 24 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 45 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Verlustleistung: 45 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2703PBF | International Rectifier | Транзистори | auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL2703PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 24A 400mOhm 10nC LogLvAB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2703PBF Produktcode: 114363
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRL2703PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 24A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2703PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2703S | IR | 07+ TO-263 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2703S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2703SPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 10nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2703SPBF | IR | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRL2703SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2703STRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2703STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2703STRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2703STRRPBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2910L | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2910L | auf Bestellung 503 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRL2910NS | IR | auf Bestellung 2470 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRL2910PBF Produktcode: 99525
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 55 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,026 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3700/140 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT | auf Bestellung: 47 St.
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| IRL2910PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 48A 93.3nC 26mOhm LogLvAB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2910PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 35 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2910PBF | International Rectifier | HEXFET TO-220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2910PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL2910PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2910PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2910S | IR | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2910SHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | auf Bestellung 7147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2910SHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | auf Bestellung 7147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5001 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2910SPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2910SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2910SPBF Produktcode: 118889
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В Drain-Strom Idd, A: 55 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,025 Ом Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD | auf Bestellung: 5 St.
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| IRL2910STRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2910STRL | Infineon | Transistor N-MOSFET; 100V; 16V; 40mOhm; 55A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRL2910S; IRL2910STRL; IRL2910STRR; IRL2910S-GURT; IRL2910S; IRL2910STRL TIRL2910s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRL2910STRL | Infineon | Transistor N-MOSFET; 100V; 16V; 40mOhm; 55A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRL2910S; IRL2910STRL; IRL2910STRR; IRL2910S-GURT; IRL2910S; IRL2910STRL TIRL2910s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRL2910STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 55A 26mOhm 93.3nC LogLvl | auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRL2910STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 771 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL2910STRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm | auf Bestellung 313 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL2910STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2910STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V | auf Bestellung 3205 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRL2910STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 10400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL2910STRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm | auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL2910STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 771 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL2910STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V | auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRL2910STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; 3.8W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Drain current: 55A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2910STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 10400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL2910STRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL2910STRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2910STRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL2910STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET PLANAR >= 100V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2910STRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2910STRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL2910SZ | IR | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3102 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 61A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3102 | IR | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3102L | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 61A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: TO-262-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3102PBF | IR | auf Bestellung 8750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRL3102PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 38.7nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3102PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 61A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3102S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3102S | IR | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3102SPBF | International Rectifier | (TO-263) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3102SPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 38.7nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3102SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3102STRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3102STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3102STRLPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 38.7nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3102STRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3102STRRPBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRL3103 Produktcode: 189656
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Lieblingsprodukt
| JSMicro | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В Drain-Strom Idd, A: 64 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 12 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 12 mOhm Montage: THT | auf Bestellung: 54 St.
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| IRL3103 Produktcode: 7965
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 61 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,013 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2500/58 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRL3103 | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 64A TO-220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |