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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NVMFD5C466NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 27325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.9 EUR
10+3.17 EUR
100+2.18 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFET1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.12 EUR
10+1.98 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.96 EUR
1500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFET1GonsemiDescription: DUAL NCHANNEL POWER MOSFET 40V,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
11+1.98 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
2000+0.88 EUR
5000+0.8 EUR
10000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.26 EUR
10+4.06 EUR
100+2.92 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.09 EUR
10+3.96 EUR
100+2.76 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.27 EUR
83+2.08 EUR
84+2.01 EUR
100+1.96 EUR
250+1.92 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C466NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 52 A, 52 A, 0.0074 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 52A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0074ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.84 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+2 EUR
3000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C466NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 52 A, 52 A, 0.0074 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 52A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0074ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.29 EUR
53+4.43 EUR
100+2.84 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.27 EUR
83+2.03 EUR
84+1.94 EUR
100+1.86 EUR
250+1.77 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NT1GonsemiMOSFETs 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 1431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+2.81 EUR
100+2.01 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.63 EUR
1500+1.57 EUR
3000+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.33 EUR
10+2.61 EUR
100+1.88 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NWFT1GonsemiMOSFETs 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 1498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+3.01 EUR
100+2.18 EUR
500+1.77 EUR
1500+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.4 EUR
10+3.5 EUR
100+2.4 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.71 EUR
3000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLET1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.56 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
1500+0.68 EUR
4500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 1248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.89 EUR
100+1.57 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 36A; Idm: 110A; 14W; DFN8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 11.5mΩ
Case: DFN8
Power dissipation: 14W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 110A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.77 EUR
10+3.06 EUR
100+2.09 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLWFET1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 1477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.83 EUR
10+1.78 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.75 EUR
1500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLWFT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLWFT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NT1GonsemiMOSFETs 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 2864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.26 EUR
10+3.37 EUR
100+2.31 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 36A; Idm: 108A; 14W; DFN8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 11.7mΩ
Case: DFN8
Power dissipation: 14W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 108A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.58 EUR
10+2.95 EUR
100+2.02 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NWFT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 36A; Idm: 108A; 14W; DFN8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 11.7mΩ
Case: DFN8
Power dissipation: 14W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 108A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NWFT1GonsemiMOSFETs 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.25 EUR
10+2.84 EUR
100+1.98 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.56 EUR
1500+1.39 EUR
3000+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NLT1GON SemiconductorMOSFET 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 2233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 1294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.44 EUR
10+2.84 EUR
100+1.94 EUR
500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NLT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1155 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NLT1GonsemiMOSFETs 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.53 EUR
100+1.93 EUR
250+1.88 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.51 EUR
1500+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.42 EUR
3000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NLWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 187445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.58 EUR
10+2.94 EUR
100+2.01 EUR
500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NLWFT1GonsemiMOSFETs 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 1498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.06 EUR
10+2.56 EUR
100+1.96 EUR
250+1.88 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.46 EUR
1500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 27A; Idm: 90A; 12W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27A
Power dissipation: 12W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.32 EUR
3000+1.26 EUR
4500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C478NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.23 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.45 EUR
10+2.31 EUR
100+1.93 EUR
500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C478NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.68 EUR
80+2.93 EUR
100+2.23 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 17 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 40500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.19 EUR
3000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NWFT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 27A; Idm: 90A; 12W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27A
Power dissipation: 12W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 40500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
10+2.5 EUR
100+1.83 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C650NLET1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
auf Bestellung 4517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.51 EUR
10+3.53 EUR
100+2.43 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C650NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.12 EUR
10+6.75 EUR
100+4.84 EUR
500+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C650NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C650NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C650NLT1GON Semiconductor
auf Bestellung 2633 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C650NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C650NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C650NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 111 A, 111 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 111A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.02 EUR
30+7.84 EUR
100+5.4 EUR
500+4.61 EUR
1000+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C650NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.52 EUR
10+7.02 EUR
100+5.05 EUR
500+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C650NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C650NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C650NLWFT1GonsemiMOSFET T6 60V LL S08FL DS
auf Bestellung 2710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C668NLT1GonsemiMOSFETs T6 60V S08FL DUAL
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.7 EUR
10+4.96 EUR
25+4.82 EUR
100+3.61 EUR
250+3.58 EUR
500+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C668NLT1GON Semiconductor
auf Bestellung 8950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C668NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C668NLT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 68A; Idm: 454A; 29W; DFN8
Mounting: SMD
Case: DFN8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 454A
Power dissipation: 29W
Gate charge: 21.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C668NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V S08FL DUAL
auf Bestellung 4196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C668NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15.5A 8DFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3W (Ta), 57.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 424094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.19 EUR
10+5.39 EUR
100+3.81 EUR
500+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C668NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V Automotive 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.33 EUR
86+1.96 EUR
88+1.84 EUR
115+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C668NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15.5A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3W (Ta), 57.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 423000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 1205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.32 EUR
137+1.24 EUR
138+1.18 EUR
144+1.08 EUR
250+1.01 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V S08FL DUAL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C668NLWFT1GONN
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C668NLWFT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 68A; Idm: 454A; 29W; DFN8
Mounting: SMD
Case: DFN8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 454A
Power dissipation: 29W
Gate charge: 21.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C672NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C672NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C672NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C672NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 49 A, 49 A, 0.0119 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 49A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 45W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.05 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C672NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C672NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 49 A, 49 A, 0.0119 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 49A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0119ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 45W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.7 EUR
50+4.64 EUR
100+3.05 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C672NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.46 EUR
10+3.55 EUR
100+2.45 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.03 EUR
63+2.74 EUR
64+2.67 EUR
100+2.24 EUR
250+2.19 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.03 EUR
63+2.68 EUR
64+2.56 EUR
100+2.12 EUR
250+2.01 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C672NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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