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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NVMFD5C466NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 27325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.9 EUR
10+3.17 EUR
100+2.18 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLT1GON Semiconductor
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.53 EUR
10+3.58 EUR
50+2.74 EUR
100+2.46 EUR
500+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.66 EUR
57+2.92 EUR
100+1.93 EUR
500+1.51 EUR
1500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFET1GonsemiDescription: DUAL NCHANNEL POWER MOSFET 40V,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
11+1.98 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
2000+0.88 EUR
5000+0.8 EUR
10000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFET1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.45 EUR
10+1.65 EUR
100+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.87 EUR
10+4.47 EUR
50+3.45 EUR
100+3.12 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C466NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 52 A, 52 A, 0.0074 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 52A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0074ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.84 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.26 EUR
10+4.06 EUR
100+2.92 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.24 EUR
83+2.01 EUR
84+1.92 EUR
100+1.83 EUR
250+1.75 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.24 EUR
83+2.06 EUR
84+2 EUR
100+1.94 EUR
250+1.89 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C466NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 52 A, 52 A, 0.0074 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 52A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0074ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.29 EUR
53+4.43 EUR
100+2.84 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.33 EUR
10+2.61 EUR
100+1.88 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NT1GonsemiMOSFETs 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 1307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+3.37 EUR
100+2.32 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.75 EUR
1500+1.54 EUR
3000+1.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.71 EUR
3000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.4 EUR
10+3.5 EUR
100+2.4 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NWFT1GonsemiMOSFETs 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 1488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.59 EUR
10+2.76 EUR
100+2.51 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.82 EUR
1500+1.78 EUR
3000+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLET1GonsemiDescription: T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLET1GonsemiDescription: T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.81 EUR
12+1.77 EUR
50+1.32 EUR
100+1.18 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLET1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.56 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
1500+0.68 EUR
4500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 1248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.89 EUR
100+1.57 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 36A; Idm: 110A; 14W; DFN8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 11.5mΩ
Case: DFN8
Power dissipation: 14W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 110A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.21 EUR
10+3.36 EUR
50+2.56 EUR
100+2.3 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLWFET1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 2947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+2.23 EUR
100+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLWFET1GonsemiDescription: T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.98 EUR
12+1.88 EUR
50+1.4 EUR
100+1.25 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLWFET1GonsemiDescription: T6 40V LL S08FL DS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLWFT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLWFT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 36A; Idm: 108A; 14W; DFN8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 11.7mΩ
Case: DFN8
Power dissipation: 14W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 108A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NT1GonsemiMOSFETs 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 2864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.4 EUR
10+3.5 EUR
100+2.4 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.74 EUR
1500+1.59 EUR
3000+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.58 EUR
10+2.95 EUR
100+2.02 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NWFT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 36A; Idm: 108A; 14W; DFN8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 11.7mΩ
Case: DFN8
Power dissipation: 14W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 108A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C470NWFT1GonsemiMOSFETs 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.25 EUR
10+2.84 EUR
100+1.98 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.56 EUR
1500+1.39 EUR
3000+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NLT1GonsemiMOSFETs 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.53 EUR
100+1.93 EUR
250+1.88 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.51 EUR
1500+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NLT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1155 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NLT1GON SemiconductorMOSFET 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 2233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 1033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.96 EUR
10+3.2 EUR
50+2.44 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 187445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.58 EUR
10+2.94 EUR
100+2.01 EUR
500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NLWFT1GonsemiMOSFETs 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.88 EUR
10+3.14 EUR
100+2.14 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.42 EUR
3000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NLWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.02 EUR
10+3.24 EUR
50+2.46 EUR
100+2.21 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 27A; Idm: 90A; 12W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27A
Power dissipation: 12W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C478NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.23 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.57 EUR
3000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C478NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.68 EUR
80+2.93 EUR
100+2.23 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 40500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
10+2.5 EUR
100+1.83 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 17 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 40500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.19 EUR
3000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C478NWFT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 27A; Idm: 90A; 12W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27A
Power dissipation: 12W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C650NLET1GonsemiDescription: T6 60V LL S08FL DS
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.81 EUR
3000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C650NLET1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
auf Bestellung 4517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.51 EUR
10+3.53 EUR
100+2.43 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C650NLET1GonsemiDescription: T6 60V LL S08FL DS
auf Bestellung 8840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.68 EUR
10+3.68 EUR
50+2.82 EUR
100+2.53 EUR
500+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C650NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C650NLT1GON Semiconductor
auf Bestellung 2633 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C650NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C650NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.12 EUR
10+6.75 EUR
100+4.84 EUR
500+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C650NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.52 EUR
10+7.02 EUR
100+5.05 EUR
500+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C650NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C650NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C650NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 111 A, 111 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 111A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.02 EUR
30+7.84 EUR
100+5.4 EUR
500+4.61 EUR
1000+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C650NLWFT1GonsemiMOSFET T6 60V LL S08FL DS
auf Bestellung 2710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C650NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C650NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C668NLT1GON Semiconductor
auf Bestellung 8950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C668NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15.5A 8DFN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3W (Ta), 57.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 424094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.19 EUR
10+5.39 EUR
100+3.81 EUR
500+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C668NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V Automotive 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.3 EUR
86+1.94 EUR
88+1.82 EUR
115+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C668NLT1GonsemiMOSFETs T6 60V S08FL DUAL
auf Bestellung 1870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.43 EUR
10+5.19 EUR
100+3.94 EUR
500+3.39 EUR
1000+3.37 EUR
1500+2.98 EUR
3000+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C668NLT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 68A; Idm: 454A; 29W; DFN8
Mounting: SMD
Case: DFN8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 454A
Power dissipation: 29W
Gate charge: 21.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C668NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15.5A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3W (Ta), 57.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 423000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C668NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V S08FL DUAL
auf Bestellung 4196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C668NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V S08FL DUAL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 1205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.3 EUR
137+1.21 EUR
138+1.17 EUR
144+1.07 EUR
250+1 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C668NLWFT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 68A; Idm: 454A; 29W; DFN8
Mounting: SMD
Case: DFN8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 454A
Power dissipation: 29W
Gate charge: 21.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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