Produkte > R60
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| R6004JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004JNJGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6004JNJGTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Fast Recover | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6004JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.43 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V Verlustleistung: 60W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.43ohm | auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 98 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004JNJGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Part Status: Active Supplier Device Package: LPTS Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V | auf Bestellung 993 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6004JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6004JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.43 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V Verlustleistung: 60W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.43ohm | auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6004JNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6004JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.43 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.43ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004JNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V | auf Bestellung 851 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004JNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Fast Recover | auf Bestellung 1211 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004KNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6004KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.98 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 58W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm | auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 97 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004KNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET | auf Bestellung 920 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004KNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6004KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.98 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 58W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm | auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6004KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004KNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FM Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | auf Bestellung 287 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004KNX | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET | auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004KNX | ROHM - Japan | MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6004KNX Rohm Semiconductor TR6004knx Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| R6004KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6004KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6004KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220FM Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 4A N-CH MOSFET | auf Bestellung 992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004KNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6004KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.98 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 40W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm | auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6004KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6004PND3FRATL | ROHM | Description: ROHM - R6004PND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 65 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | auf Bestellung 1813 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6004PND3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004PND3FRATL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 1st Gen, for Auto | auf Bestellung 1865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004PND3FRATL | ROHM | Description: ROHM - R6004PND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 65 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | auf Bestellung 1813 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6004PND3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V | auf Bestellung 4543 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004RND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 4A TO-252, PRESTOMOS WITH I Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73Ohm @ 2A, 15V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 100 V | auf Bestellung 2135 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004RND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6004RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.73 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V Verlustleistung: 60W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.73ohm | auf Bestellung 2471 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6004RND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6004RND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 4A TO-252, PRESTOMOS WITH I Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73Ohm @ 2A, 15V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004RND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6004RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.73 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V Verlustleistung: 60W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.73ohm | auf Bestellung 2471 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6004RND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004RND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6004RND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO252 650V 12A N-CH MOSFET | auf Bestellung 2880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6005 | Brady Corporation | Description: R6005 HALOGEN FREE, 2.36" X 500' Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6006 | Brady Corporation | Description: R6000 HALO FREE RIB 1"DIA 1=984' Packaging: Bulk For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BRADYPRINTER PR Plus, BBP®72, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer Accessory Type: Resin Ribbon Specifications: Resin Ribbon, Black, 1.57" x 984' Part Status: Active | auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6006 | W.H. Brady | Printer Ribbon, Resin, Side Out, 39.88 mm W x 299.92 m L, For Use with 81 Label Printer | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6006-00 | HARWIN | Category: Plastic Pegs Description: PCB distance; polyamide; L: 6.3mm; UL94V-2 Spacer length: 6.3mm Type of spacer: PCB distance Plate mounting hole diameter: 3.8/3.8mm Material: polyamide Flammability rating: UL94V-2 | auf Bestellung 4780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6006-00 | Harwin | Standoffs & Spacers 6.3 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER | auf Bestellung 1570 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6006-00 | HARWIN | Description: HARWIN - R6006-00 - Leiterplattenbefestigung, doppelseitiger Einrasthalter, Nylon 6.6, 6.3mm x 4mm tariffCode: 39269097 Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6) productTraceability: No rohsCompliant: YES Leiterplattenbefestigung: Doppelseitiger Einrasthalter euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Höhe: 6.3mm usEccn: EAR99 Außenbreite: 4mm Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 294 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6006-00 | Harwin Inc. | Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 6.3MM Part Status: Active Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm) Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm) Mounting Panel Thickness: 0.063" (1.60mm) Mounting Hole Diameter: 0.157" (4.00mm) Holding Type: Snap Fit Between Board Height: 0.248" (6.30mm) Length - Overall: 0.547" (13.90mm) Material: Nylon Mounting Type: Snap Lock Packaging: Bulk | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60060-1COR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 1P 600V 60A Class R Fuseblock | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60060-1COR | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS Current Rating (Amps): 60 A Part Status: Obsolete Fuseholder Type: Block Fuse Size: 1.063" Dia x 5.5" L (27mm x 139.7mm) Termination Style: Box Lug Mounting Type: Chassis Mount Voltage: 600V Fuse Type: Cartridge For Use With/Related Products: Class R Fuses Packaging: Bulk Number of Circuits: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60060-1CR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 1P 600V 60A Class R Fuseblock | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60060-1CR | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60060-1PR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder RPLCD BY R60060-1CR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60060-1PR | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE HOLDER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60060-1SR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder F/BLOCK CLASS R 600V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60060-2COR | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS Number of Circuits: 2 Current Rating (Amps): 60 A Part Status: Obsolete Fuseholder Type: Block Fuse Size: 1.063" Dia x 5.5" L (27mm x 139.7mm) Termination Style: Box Lug Mounting Type: Chassis Mount Voltage: 600V Fuse Type: Cartridge For Use With/Related Products: Class R Fuses Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60060-2COR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 2P 600V 60A Class R Fuseblock | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60060-2CR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 2P 600V 60A Class R Fuseblock | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60060-2CR | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60060-3COR | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60060-3COR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 3P 600V 60A Class R Fuseblock | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60060-3CR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 3P 600V 60A Class R Fuseblock | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60060-3CR | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6006ANDTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6006ANDTL | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| R6006ANDTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 6A CPT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6006ANDTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs LO CURR HI EFF MOSFT HI BREAKDWN RESIST | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6006ANX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6006ANX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6006ANX | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V DRIVE NCH MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6006ANX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6006ANX | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| R6006ANXFU7 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| R6006JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6006JND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application. | auf Bestellung 739 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6006JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6006JND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6006JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 6 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 86 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6 euEccn: NLR Verlustleistung: 86 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72 Rds(on)-Prüfspannung: 15 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6006JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6006JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6006JND3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 86W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 86W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 936mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6006JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6006JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6006JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6006JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.936 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V Verlustleistung: 86W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.936ohm | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 82 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6006JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6006JNJGTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Recover | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6006JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6006JNJGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 6A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6006JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.936 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V Verlustleistung: 86W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.936ohm | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6006JNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6006JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 6 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 43 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6 euEccn: NLR Verlustleistung: 43 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72 Rds(on)-Prüfspannung: 15 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6006JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6006JNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Recover | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6006JNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V | auf Bestellung 752 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6006JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6006JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6006JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6006KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6006KND3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 70W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 70W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6006KND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6006KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Verlustleistung: 70 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6006KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2192 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6006KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6006KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252 Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active | auf Bestellung 2621 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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