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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TK6A60D(PHIL,Q,M)ToshibaToshiba
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TK6A60D(Q)ToshibaMOSFET
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TK6A60D(Q)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK6A60D(QM)ToshibaMOSFET
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TK6A60D(S4SH6,Q,M)ToshibaToshiba
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TK6A60D(S4SY,A,Q)ToshibaToshiba
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TK6A60D(S4SY,Q,M)ToshibaToshiba
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TK6A60D(STA4,A,Q)ToshibaToshiba
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TK6A60D(STA4,Q,M)
Produktcode: 107094
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Transistoren > MOSFET N-CH
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TK6A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
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TK6A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch FET 600V 3.0s IDSS 10 uA 1.0 Ohm
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TK6A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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TK6A60D(STA4,X,M)ToshibaToshiba
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TK6A60D(STA4,X,S)ToshibaToshiba
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TK6A60D,S5HITAPQ(JToshibaToshiba
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TK6A60D,S5Q(JToshibaToshiba
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TK6A60DR(Q,M)ToshibaToshiba
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TK6A60DR(STA4,Q,M)ToshibaToshiba
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TK6A60DR(STA4,X,M)ToshibaToshiba
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TK6A60DR,S4X(SToshibaToshiba
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TK6A60DR,S4X(SToshibaTK6A60DR,S4X(S
auf Bestellung 10250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+2.58 EUR
500+2.3 EUR
1000+2.06 EUR
10000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
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TK6A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK6A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.74 EUR
10+2.32 EUR
100+2.12 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.43 EUR
5000+1.31 EUR
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TK6A60W,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
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TK6A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
auf Bestellung 1199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.22 EUR
72+3.22 EUR
100+2.63 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A60WS4VX(MToshibaMOSFET
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TK6A60WS4VX(M-XToshibaMOSFET
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TK6A65DToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A65D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS Транзистори
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TK6A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.15 EUR
10+2.56 EUR
100+2.34 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.09 EUR
50+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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TK6A65D(STA4,X,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A65D(STA4,X,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A65D(STA4,X,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A65D(STA4,X,M)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A65D(STA4,X,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.95 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.22 EUR
61+3.86 EUR
106+2.02 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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TK6A65D(STA4XM)ToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
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TK6A65DSTA4QM
Produktcode: 143200
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.33 EUR
50+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A65W,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A65W,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.8 A, 0.85 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A80EToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A80E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A80E,S4XToshibaMOSFETs PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.71 EUR
10+3.69 EUR
100+2.53 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.92 EUR
2500+1.83 EUR
5000+1.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A80E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A80E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A80E,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A80E,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 6A
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A80E,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 18A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+2.18 EUR
44+1.95 EUR
50+1.74 EUR
54+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A80E,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6A80ES4X(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P-5.08TraktronixDescription: 6 PIN 5.08MM QUICK SPEAKER CONN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P53D
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
10+2.38 EUR
100+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P53D(T6RSS-Q)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 6A 525V 100W 600pF 1.3 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60WToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQToshibaMOSFETs N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
auf Bestellung 4523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.94 EUR
10+3.19 EUR
100+2.18 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.63 EUR
2000+1.59 EUR
4000+1.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.3 EUR
10+3.43 EUR
100+2.36 EUR
500+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.78 EUR
108+1.61 EUR
132+1.27 EUR
200+1.17 EUR
500+1.14 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.68ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.38 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.62 EUR
51+4.62 EUR
100+2.38 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
10+2.09 EUR
100+1.63 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P65W,RQToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 7464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.55 EUR
10+2.92 EUR
100+1.98 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.49 EUR
2000+1.4 EUR
4000+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.8 A, 0.89 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.89ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.19 EUR
146+1.59 EUR
208+1.04 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.8 A, 0.89 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.89ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.19 EUR
146+1.59 EUR
208+1.04 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6Q60W,S1VQToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.18 EUR
10+2.92 EUR
75+2.64 EUR
525+2.24 EUR
1050+2.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
75+2.89 EUR
150+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6Q65W,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Magazine
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Magazine
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6Q65W,S1QToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R4E10PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R4E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 112 A, 5500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 152W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.32 EUR
53+4.43 EUR
100+2.33 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7A10PL,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+2.64 EUR
100+2.37 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.64 EUR
5000+1.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7A10PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3455 pF @ 50 V
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7A10PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7A10PL,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.68 EUR
132+1.3 EUR
148+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7A10PLS4X(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7P06PLToshibaТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7P06PLToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7P06PL,RQToshibaMOSFETs N-Ch 60V 1990pF 26nC 74A 66W
auf Bestellung 32454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.82 EUR
100+1.21 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.94 EUR
2500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7P06PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.9 EUR
5000+0.84 EUR
7500+0.81 EUR
12500+0.77 EUR
17500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7P06PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
auf Bestellung 21266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.27 EUR
11+2.08 EUR
100+1.39 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7P06PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6R7P06PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R7P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 6700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 66W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
auf Bestellung 2760 Stücke:
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66+3.8 EUR
99+2.37 EUR
116+1.86 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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TK6R7P06PL,RQ(S2Toshiba0
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176+0.98 EUR
206+0.82 EUR
217+0.76 EUR
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