Produkte > TPH

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TPH1R306PL1LQ(MToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306PLL1Q(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306PLLQ(M1Toshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R403NLToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R403NL,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
auf Bestellung 7017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+2.12 EUR
100+1.89 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.43 EUR
2500+1.33 EUR
5000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R403NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R403NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 150A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R403NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
auf Bestellung 3204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.4 EUR
10+2.82 EUR
50+2.14 EUR
100+1.92 EUR
500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R403NL1,LQ(MToshibaMOSFETs Silicon N-Channel
auf Bestellung 4368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.99 EUR
101+1.7 EUR
111+1.52 EUR
121+1.36 EUR
142+1.14 EUR
250+1 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R403NL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 1200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 4198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.4 EUR
69+3.42 EUR
120+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R403NL1,LQ(MToshibaMOSFETs Silicon N-Channel
auf Bestellung 4368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.99 EUR
101+1.67 EUR
111+1.46 EUR
121+1.29 EUR
142+1.06 EUR
250+0.9 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R403NL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 1200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 4198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.42 EUR
120+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R403NL1LQ(MToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R403NLL1Q(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R403NLL1Q(M-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R405PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.13 EUR
10+2.64 EUR
100+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.31 EUR
2000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R405PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 232A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R405PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R405PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R405PLL1Q(MToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R712MDToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R712MD,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V
auf Bestellung 28063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.46 EUR
10+2.86 EUR
100+1.94 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.43 EUR
2000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R712MD,L1QToshibaMOSFETs P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+2.81 EUR
100+1.93 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.4 EUR
2500+1.36 EUR
5000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R712MD,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.2 EUR
10000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R712MD,L1QToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R712MD,L1Q(MToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.64 EUR
111+1.55 EUR
250+1.45 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R712MD,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1700 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.09 EUR
61+3.81 EUR
250+2.57 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R712MD,L1Q(MToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 1697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.5 EUR
100+2.21 EUR
200+1.96 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R712MD,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1700 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.09 EUR
61+3.81 EUR
250+2.57 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R712MDL1Q(MToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH200812ABB Installation Products HIGH TEMP T PIECE NC20-NC08-NC12
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH200816ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 20-08-16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH200820ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 20-08-20
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2010FNH,L1QToshibaMOSFETs UMOSVIII 250V 205m (VGS=10V) SOP-ADV
auf Bestellung 4976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.16 EUR
10+2.68 EUR
100+1.82 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.29 EUR
2500+1.27 EUR
5000+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
auf Bestellung 8823 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.08 EUR
10+2.62 EUR
100+1.77 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.3 EUR
2000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2010FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
auf Bestellung 3989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.78 EUR
124+1.74 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2010FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
auf Bestellung 3989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.65 EUR
84+2.78 EUR
124+1.74 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH201216ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 20-12-16
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH201616ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 20-16-16
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH201620ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 20-16-20
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+4.38 EUR
25+4.14 EUR
100+3.86 EUR
250+3.37 EUR
500+3.27 EUR
1000+2.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH202020ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 20-20-20
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2501-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: SOT-23-5
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2501-TR3PEAKHigh-speed broadband amplifier 1 120MHz 180 V/us 2.5V ~ 5.5V 6.5mA SOT-23-5 GenS TPH2501-TR SOT23-5 3PEAK WOTPH2501 3PE
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2501-TR
Produktcode: 206744
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2501-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: SOT-23-5
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
auf Bestellung 2299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
18+1.2 EUR
25+1.08 EUR
100+0.95 EUR
250+0.89 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2502-SR3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-SOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2502-SR3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-SOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
auf Bestellung 7791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
15+1.42 EUR
25+1.29 EUR
100+1.13 EUR
250+1.06 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2502-VR3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
auf Bestellung 2527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
15+1.42 EUR
25+1.29 EUR
100+1.13 EUR
250+1.06 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2502-VR3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2502-VR-S3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.73 EUR
11+2 EUR
25+1.81 EUR
100+1.61 EUR
250+1.51 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2502-VR-S3PEAKDescription: IC OPAMP 2 CIRCUIT 8-MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2503-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-6
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
-3db Bandwidth: 250 MHz
Current - Output / Channel: 290 mA
Number of Circuits: 1
Supplier Device Package: SOT-23-6
Voltage - Input Offset: 2 mV
Current - Input Bias: 3 pA
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Slew Rate: 200V/µs
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.53 EUR
10+2.25 EUR
25+1.92 EUR
100+1.52 EUR
250+1.34 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2503-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-6
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
-3db Bandwidth: 250 MHz
Current - Output / Channel: 290 mA
Number of Circuits: 1
Supplier Device Package: SOT-23-6
Voltage - Input Offset: 2 mV
Current - Input Bias: 3 pA
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Slew Rate: 200V/µs
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2503-TR-S3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 6.5mA
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: SOT-23-6
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2503-TR-S3PEAKDescription: IC OPAMP 1 CIRCUIT SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 6.5mA
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: SOT-23-6
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2504-SR3PEAKDescription: IC OPAMP GP 120MHZ 4 CIR 14-SOP
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
-3db Bandwidth: 90 MHz
Current - Output / Channel: 290 mA
Number of Circuits: 4
Supplier Device Package: 14-SOP
Voltage - Input Offset: 2 mV
Current - Input Bias: 3 pA
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Slew Rate: 200V/µs
Current - Supply: 6.5mA (x4 Channels)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2504-TR
Produktcode: 215710
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IC > IC Operationsverstärker
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2504-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 4 CIRCUIT 14-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x4 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
auf Bestellung 2645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.76 EUR
11+2.03 EUR
25+1.84 EUR
100+1.63 EUR
250+1.54 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2504-TR3PEAKDescription: IC OPAMP 4 CIRCUIT 14-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x4 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2861-DF4R-S3PEAKDescription: IC OPAMP 8GHZ 1 CIR 8-DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 19mA
Slew Rate: 2700V/µs
Gain Bandwidth Product: 8 GHz
Current - Input Bias: 23 µA
Voltage - Input Offset: 200 µV
Supplier Device Package: 8-DFN (2x2)
Grade: Automotive
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 120 mA
-3db Bandwidth: 2.3 GHz
Voltage - Supply Span (Min): 3.3 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.25 V
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2861-DF4R-S3PEAKDescription: IC OPAMP 8GHZ 1 CIR 8-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 19mA
Slew Rate: 2700V/µs
Gain Bandwidth Product: 8 GHz
Current - Input Bias: 23 µA
Voltage - Input Offset: 200 µV
Supplier Device Package: 8-DFN (2x2)
Grade: Automotive
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 120 mA
-3db Bandwidth: 2.3 GHz
Voltage - Supply Span (Min): 3.3 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.25 V
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 2589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.7 EUR
10+7.41 EUR
25+6.83 EUR
100+6.21 EUR
250+5.9 EUR
500+5.72 EUR
1000+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2900ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
auf Bestellung 4838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.47 EUR
10+4.21 EUR
100+2.93 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2900ENH,L1QToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 12836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.84 EUR
10+4.02 EUR
100+3.2 EUR
250+2.93 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.28 EUR
2500+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2900ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2900ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 2463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.9 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2900ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.32 EUR
40+5.91 EUR
100+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R003PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 10602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.01 EUR
11+1.92 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R003PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R003PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.79 EUR
6000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R003PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R003PL,LQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
auf Bestellung 5072 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.45 EUR
10+2.2 EUR
100+1.48 EUR
500+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R003PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 116W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.77 EUR
108+2.15 EUR
154+1.39 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R003PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 116W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.77 EUR
108+2.15 EUR
154+1.39 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R003PLLQ(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R104PL,LQToshibaMOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=116W F=1MHZ
auf Bestellung 31770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.19 EUR
10+2.01 EUR
100+1.34 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R104PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 20 V
auf Bestellung 7795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
10+2.3 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R104PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 20 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R104PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R104PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R104PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 116W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7 EUR
63+3.71 EUR
110+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R104PL,LQ(SToshibaTPH2R104PL,LQ(S
auf Bestellung 2795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+1.07 EUR
186+0.93 EUR
200+0.87 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R104PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R104PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 116W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.71 EUR
110+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R104PLLQ(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R306NHToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R306NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 130A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R306NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R306NH,L1Q
Produktcode: 149945
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R306NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
auf Bestellung 3104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.26 EUR
10+3.39 EUR
100+2.33 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R306NH,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET
auf Bestellung 5517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.18 EUR
10+3.36 EUR
100+2.31 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.74 EUR
2500+1.7 EUR
5000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R306NH,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; 78W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Power dissipation: 78W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R306NH1,LQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV PD=170W F=1MHZ
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.88 EUR
10+3.14 EUR
100+2.14 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.59 EUR
2500+1.51 EUR
5000+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.82 EUR
10+3.09 EUR
100+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R306NH1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 190A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R306NH1,LQ(MToshibaTPH2R306NH1,LQ(M
auf Bestellung 4047 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+4.28 EUR
84+2.06 EUR
100+1.83 EUR
200+1.46 EUR
1000+1.34 EUR
2000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R306NH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R306NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 2300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 4495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.86 EUR
250+3.08 EUR
1000+2.49 EUR
3000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R306NH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R306NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 2300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 4495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.29 EUR
61+3.86 EUR
250+3.08 EUR
1000+2.49 EUR
3000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R306NH1LQ(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R306NHL1QToshibaTrans MOSFET N 60V 130A SOP-8 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R306NHL1Q(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Nächste Seite >> ]