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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TP65H100G4PSRenesas Electronics CorporationDescription: Hi Volt FETs
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.15 EUR
50+6.44 EUR
100+5.89 EUR
500+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150BG4JSGTransphormGaN FETs GAN FET 650V 13A QFN5x6
auf Bestellung 3996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.27 EUR
10+5.76 EUR
100+4.25 EUR
500+3.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150BG4JSG-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H150BG4JSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 4.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 4.9nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+10.9 EUR
35+6.74 EUR
100+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150BG4JSG-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 6V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
auf Bestellung 4573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.89 EUR
10+6.57 EUR
100+4.69 EUR
500+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150BG4JSG-TRRenesas ElectronicsGaN FETs GAN FET 650V 13A QFN5x6
auf Bestellung 3882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.72 EUR
10+6.45 EUR
100+4.61 EUR
500+4.08 EUR
2000+3.81 EUR
4000+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150BG4JSG-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 6V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150BG4JSG-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H150BG4JSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 4.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 4.9nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150G4LSGRenesas ElectronicsGaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
auf Bestellung 1928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.12 EUR
10+8.02 EUR
100+5.9 EUR
500+5.24 EUR
1000+4.65 EUR
1500+4.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150G4LSGRenesas Electronics CorporationDescription: GAN FET N-CH 650V PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
auf Bestellung 2356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.29 EUR
10+8.33 EUR
100+6.83 EUR
500+5.82 EUR
1000+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150G4LSGTransphormGaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
auf Bestellung 2062 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.59 EUR
10+8.32 EUR
25+8.07 EUR
100+6.78 EUR
250+6.58 EUR
500+5.9 EUR
1000+5.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150G4LSGRenesas Electronics CorporationDescription: GAN FET N-CH 650V PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150G4LSG-TRTransphormMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150G4LSG-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650 V 13 A GAN FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.21 EUR
10+7.49 EUR
100+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150G4LSG-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650 V 13 A GAN FET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150G4LSGBE-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650V, 150MOHM GAN FET IN 8X8 PQF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150G4LSGBE-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650V, 150MOHM GAN FET IN 8X8 PQF
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.56 EUR
10+4.96 EUR
100+3.49 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150G4LSGBE-TRRenesas ElectronicsGaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150G4LSGE-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650V, 150MOHM GAN FET IN 8X8 PQF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150G4LSGE-TRRenesas ElectronicsGaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150G4LSGE-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650V, 150MOHM GAN FET IN 8X8 PQF
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.66 EUR
10+5.03 EUR
100+3.53 EUR
500+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150G4PSRenesas ElectronicsGaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150G4PSRenesasTrans MOSFET N-CH GaN 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.72 EUR
41+4.15 EUR
100+3.62 EUR
500+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150G4PSRENESASDescription: RENESAS - TP65H150G4PS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 8 nC, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.54 EUR
27+8.84 EUR
100+7.28 EUR
500+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150G4PSRenesas Electronics CorporationDescription: GAN FET N-CH 650V TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
auf Bestellung 1037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.31 EUR
50+5.38 EUR
100+4.9 EUR
500+4.07 EUR
1000+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150G4PSTransphormGaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
auf Bestellung 1145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.21 EUR
10+14.3 EUR
50+8.52 EUR
100+7.83 EUR
250+7.81 EUR
500+7.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150G4PSRenesasTrans MOSFET N-CH GaN 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.72 EUR
41+4 EUR
100+3.43 EUR
500+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H150LSGTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4JSGBTransphormMOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN56
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 122-126 Tag (e)
1+6.26 EUR
10+5.24 EUR
25+4.94 EUR
100+4.25 EUR
250+4.02 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4JSGB-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
auf Bestellung 3889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.48 EUR
10+5.58 EUR
100+3.94 EUR
500+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4JSGB-TRTransphormGaN FETs GAN FET 650V 9.2A QFN5x6
auf Bestellung 6909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.03 EUR
10+4.88 EUR
100+3.56 EUR
500+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4JSGB-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H300G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.312 ohm, 3.5 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.96 EUR
500+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4JSGB-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4JSGB-TRRenesas ElectronicsGaN FETs GAN FET 650V 9.2A QFN5x6
auf Bestellung 6869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.32 EUR
10+5.49 EUR
100+3.88 EUR
500+3.31 EUR
2000+3.19 EUR
4000+2.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4JSGB-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H300G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.312 ohm, 3.5 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.92 EUR
39+6.06 EUR
100+3.96 EUR
500+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4LSGTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.51 EUR
10+7.64 EUR
100+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4LSG-TRTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4LSG-TRRenesas ElectronicsGaN FETs 650V, 240mOhm
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.73 EUR
10+6.37 EUR
100+4.76 EUR
500+3.92 EUR
1000+3.89 EUR
3000+3.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4LSG-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H300G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 6.5 A, 0.312 ohm, 9.6 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 9.6nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.57 EUR
38+6.2 EUR
100+4.12 EUR
500+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4LSG-TRTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.38 EUR
10+6.05 EUR
100+4.3 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4LSG-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H300G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 6.5 A, 0.312 ohm, 9.6 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 9.6nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.12 EUR
500+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4LSGBTransphormMOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN88
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 122-126 Tag (e)
1+5.99 EUR
10+5.02 EUR
25+4.74 EUR
100+4.06 EUR
250+3.83 EUR
500+3.61 EUR
1000+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4LSGB-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.21 EUR
10+5.4 EUR
100+3.81 EUR
500+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4LSGB-TRRenesas ElectronicsGaN FETs GAN FET 650V 6.5A QFN8x8
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.04 EUR
10+5.32 EUR
100+3.75 EUR
500+3.17 EUR
3000+2.95 EUR
6000+2.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4LSGB-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H300G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 6.5 A, 0.312 ohm, 5 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.02 EUR
42+5.55 EUR
100+3.59 EUR
500+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4LSGB-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4LSGB-TRTransphormGaN FETs GAN FET 650V 6.5A QFN8x8
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.81 EUR
10+4.71 EUR
100+3.45 EUR
500+2.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4LSGB-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H300G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 6.5 A, 0.312 ohm, 5 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.59 EUR
500+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4LSGBE-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650V, 300MOHM GAN FET IN 8X8 PQF
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.15 EUR
10+3.33 EUR
100+2.28 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4LSGBE-TRRenesas ElectronicsGaN FETs 650V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4LSGBE-TRRenesas Electronics CorporationDescription: 650V, 300MOHM GAN FET IN 8X8 PQF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H480G4JSGRenesas ElectronicsGaN FETs GAN FET 650V 3.6 A PQFN56
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.07 EUR
10+5.3 EUR
100+3.94 EUR
500+3.28 EUR
1000+3.03 EUR
2500+2.84 EUR
5000+2.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H480G4JSGTransphormGaN FETs GAN FET 650V 3.6 A PQFN56
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.78 EUR
10+4.88 EUR
25+4.58 EUR
100+3.94 EUR
250+3.89 EUR
500+3.28 EUR
1000+2.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H480G4JSG-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H480G4JSG-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H480G4JSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 3.6 A, 0.56 ohm, 9 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 9nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
500+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H480G4JSG-TRRenesas ElectronicsGaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.19 EUR
4000+1.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H480G4JSG-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H480G4JSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 3.6 A, 0.56 ohm, 9 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 9nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.68 EUR
61+3.86 EUR
100+3.11 EUR
500+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H480G4JSG-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
auf Bestellung 1119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.92 EUR
10+2.5 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H480G4JSG-TRTransphormGaN FETs 650V, 480mOhm
auf Bestellung 3113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.38 EUR
10+4.9 EUR
25+4.88 EUR
100+3.52 EUR
500+3.12 EUR
1000+3.09 EUR
2000+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H480G4JSGB-TRTransphormGaN FETs GAN FET 650V 3.6A QFN5x6
auf Bestellung 3828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.01 EUR
10+4.14 EUR
100+3.01 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H480G4JSGB-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3A, 6V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H480G4JSGB-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H480G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 3.6 A, 0.56 ohm, 5 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
auf Bestellung 767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.25 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H480G4JSGB-TRRenesas ElectronicsGaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
auf Bestellung 3769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.17 EUR
4000+1.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H480G4JSGB-TRRENESASDescription: RENESAS - TP65H480G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 3.6 A, 0.56 ohm, 5 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
auf Bestellung 767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.38 EUR
90+2.59 EUR
100+2.25 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H480G4JSGB-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3A, 6V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 400 V
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