Produkte > DMP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMP6050SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6050SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 5208 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6050SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163 pF @ 30 V | auf Bestellung 725000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6050SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP6050SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.043 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 963 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6050SPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6050SPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: IC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6050SSD | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6050SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6050SSD-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -3.9A; Idm: -32A; 1.2W; SO8 Mounting: SMD Pulsed drain current: -32A Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Drain current: -3.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: SO8 On-state resistance: 55mΩ | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6050SSD-13 | Diodes | MOSFET 2P-CH 60V 4.8A SO-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6050SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6050SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6050SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs | auf Bestellung 4397 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6050SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6050SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 135000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6050SSD-13 | Diodes INC. | 2P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 4,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1293 @ 30, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 55 мОм @ 5 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6050SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6050SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6050SSD-13 Produktcode: 143724
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| DMP6050SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6050SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6050SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8SO Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 22326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6051SFVW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6051SFVW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8 T&R 2K | auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6051SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8 T&R 3K | auf Bestellung 2765 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6051SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI3333-8 T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6051SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6051SSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6051SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6051SSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6101A | Sensata-Crydom | Description: DC INPUT MODULE 24V Current - Input: 34 mA Turn Off Time: 5ms Turn On Time: 5ms Type: DC Input Module Current - Output: 18mA Voltage - Input: 24VDC Style: SIP Voltage - Output: 5VDC Color: Black Features: Epoxy Coated | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP610DL | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP610DL-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP610DL-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP610DL-13 Produktcode: 219804
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| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| DMP610DL-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP610DL-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -130mA Pulsed drain current: -1.2A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 560pC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP610DL-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V | auf Bestellung 10838 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP610DL-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±30V Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Case: SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -1.2A Drain current: -0.13A Gate charge: 560pC | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP610DL-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP610DL-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP610DL-7 | Diodes | MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP610DL-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 1122 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP610DL-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V | auf Bestellung 10293 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP610DL-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP610DLQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.186A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP610DLQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP610DLQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 186mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 520mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP610DLQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R 3K | auf Bestellung 5453 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP610DLQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 186mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 520mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP610DLQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 186mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 520mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP610DLQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.186A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6110SFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 4.2A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.97W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6110SFDF-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 3.5A 6-Pin UDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6110SFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 9481 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6110SFDF-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.4A; Idm: -20A; 1.3W Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 17.2nC Polarisation: unipolar Drain current: -3.4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.3W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6110SFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 4.2A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.97W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6110SFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 4.2A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.97W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 727606 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6110SFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 59675 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6110SFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 4.2A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.97W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 726000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6110SFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP6110SFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.11 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.97W Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1039 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6110SFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP6110SFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.11 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.97W Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6110SFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 3.5A 6-Pin UDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6110SFDFQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 3.5A 6-Pin UDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6110SFDFQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 3.5A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6110SFDFQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6110SFDFQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 3.5A 6-Pin UDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6110SFDFQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 3.5A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6110SFDFQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | auf Bestellung 5404 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6110SFDFQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 3.5A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2529 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6110SSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP6110SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.105 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.105ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6110SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6110SSD-13 | Diodes | MOSFET 2P-CH 60V 3.3A SO-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6110SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6110SSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP6110SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.105 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.8A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.105ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6110SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6110SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs | auf Bestellung 5180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6110SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 2363 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6110SSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 7.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6110SSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 5310 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6110SSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 7.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6110SSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 3.3A Automotive 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6110SSS | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6110SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 78 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6110SSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP6110SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6110SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V | auf Bestellung 5662 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6110SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 78 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6110SSS-13 | Diodes | MOSFET P-CH 60V 8SOIC Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6110SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V P-Ch 60Vds 20Vgs FET 1030pF 19.4nC | auf Bestellung 17349 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6110SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 8SOIC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6110SSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP6110SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6110SSS-13 Produktcode: 206035
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| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| DMP6110SSS-13 | Diodes INC. | P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Ciss, пФ @ Uds, В = 1030 @ 30, Qg, нКл = 19,4 @ 10 В, Rds = 110 мОм @ 4,5 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 25000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6110SSSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP6110SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6110SSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 2783 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6110SSSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP6110SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6110SSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET PCH 60V 8SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 50350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6110SSSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6110SSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET PCH 60V 8SO Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6110SVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-23-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |