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IPD70P04P4L08ATMA2

Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 7800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 6489 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	4.77 EUR
82+	2.86 EUR
117+	1.83 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 53 Stücke

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IPD70P04P4L08ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P4L08ATMA2

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 16478 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.87 EUR
10+	1.82 EUR
100+	1.4 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.13 EUR
2500+	1 EUR
5000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4CE

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD70R1K4CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.48 EUR
5000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4CEAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 1366 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.95 EUR
10+	1.21 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.56 EUR
2500+	0.49 EUR
5000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.13 EUR
10000+	0.44 EUR
15000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4CEAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

auf Bestellung 14900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.32 EUR
15+	1.46 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IPD70R1K4CEAUMA1

Description: INFINEON - IPD70R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2299 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

104+	2.4 EUR
161+	1.44 EUR
238+	0.9 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 104 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.48 EUR
5000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4CEAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.61 EUR
5000+	0.56 EUR
7500+	0.54 EUR
12500+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4CEAUMA1

Description: INFINEON - IPD70R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2299 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

104+	2.4 EUR
161+	1.44 EUR
238+	0.9 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 104 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4P7S

MOSFETs CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD70R1K4P7SAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.46 EUR
5000+	0.43 EUR
7500+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4P7SAUMA1

Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3875 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

86+	2.93 EUR
120+	1.94 EUR
193+	1.11 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 86 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4P7SAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4P7SAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4P7SAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 18283 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	1.07 EUR
10+	0.8 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.43 EUR
2500+	0.35 EUR
5000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4P7SAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 1005 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

621+	0.29 EUR
661+	0.26 EUR
668+	0.25 EUR
685+	0.24 EUR
1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 621 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4P7SAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4P7SAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V

auf Bestellung 11200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.88 EUR
18+	1.17 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4P7SAUMA1

Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3875 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.93 EUR
120+	1.94 EUR
193+	1.11 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4P7SAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.33 EUR
5000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4P7SAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 1005 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

579+	0.3 EUR
615+	0.27 EUR
621+	0.26 EUR
661+	0.24 EUR
668+	0.23 EUR
685+	0.21 EUR
1000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 579 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4P7SAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1565+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 1565 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R2K0CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1126+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 1126 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R2K0CEAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R2K0CEAUMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD70R2K0CEAUMA1 - IPD70R2K0 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1940 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1056+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 1056 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R2K0CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1126+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 1126 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R2K0CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 9010 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1126+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 1126 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R2K0CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1126+	0.58 EUR
10000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 1126 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R2K0CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1126+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 1126 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R2K0CEAUMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 2095 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R360P7S
Produktcode: 184520

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPD70R360P7S

MOSFETs CONSUMER

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IPD70R360P7S

auf Bestellung 200000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R360P7SAUMA1

MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R360P7SAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7317 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

90+	1.94 EUR
141+	1.23 EUR
194+	0.87 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.62 EUR
2500+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 90 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R360P7SAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R360P7SAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 324 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

192+	0.9 EUR
224+	0.75 EUR
231+	0.7 EUR
267+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 192 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R360P7SAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD70R360P7SAUMA1

Transistor N-Channel MOSFET; 700V; 10V; 360mOhm; 12,5A; 59,5W; -40°C ~ 150°C; IPD70R360P7S TIPD70r360p7s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

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IPD70R360P7SAUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	6.56 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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IPD70R360P7SAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 324 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

224+	0.79 EUR
231+	0.74 EUR
267+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 224 Stücke

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IPD70R360P7SAUMA1

Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPD70R360P7SAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70R360P7SAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70R360P7SAUMA1

Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IPD70R600CE

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

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IPD70R600CEAUMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD70R600CEAUMA1 - IPD70R600 - 700V, 0.6OHM, N-CHANEL POWER
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 632 Stücke

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IPD70R600CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 10.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 42500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

622+	1.05 EUR
1000+	0.95 EUR
10000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 622 Stücke

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IPD70R600CEAUMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.49 EUR
10+	2.24 EUR
100+	1.74 EUR
500+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPD70R600CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 10.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

622+	1.05 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 622 Stücke

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IPD70R600CEAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD70R600P7S

auf Bestellung 255000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R600P7S

MOSFETs CONSUMER

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IPD70R600P7SAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R600P7SAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V

auf Bestellung 7375 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.4 EUR
14+	1.51 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

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IPD70R600P7SAUMA1

MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD70R600P7SAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1156+	0.56 EUR
10000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 1156 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R600P7SAUMA1

Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2175 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.65 EUR
184+	1.26 EUR
227+	0.95 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R600P7SAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.42 EUR
5000+	0.4 EUR
7500+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R600P7SAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 1090 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

517+	0.33 EUR
525+	0.32 EUR
534+	0.31 EUR
543+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 517 Stücke

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IPD70R600P7SAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 6425 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.77 EUR
10+	0.67 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.46 EUR
2500+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IPD70R600P7SAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.62 EUR
5000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70R600P7SAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.42 EUR
5000+	0.39 EUR
7500+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R600P7SAUMA1

Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2175 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

95+	2.65 EUR
184+	1.26 EUR
227+	0.95 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 95 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R600P7SAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

303+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 303 Stücke

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IPD70R600P7SAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 1090 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

501+	0.35 EUR
509+	0.33 EUR
517+	0.31 EUR
525+	0.3 EUR
534+	0.29 EUR
543+	0.26 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 501 Stücke

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IPD70R600P7SAUMA1
Produktcode: 143681

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IPD70R900P7S

MOSFETs CONSUMER

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IPD70R900P7S

auf Bestellung 147500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPD70R900P7SAUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 30.5W
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±16V

auf Bestellung 2446 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

70+	1.23 EUR
117+	0.74 EUR
164+	0.52 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 70 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R900P7SAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R900P7SAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V

auf Bestellung 2975 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.2 EUR
16+	1.37 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R900P7SAUMA1

Description: INFINEON - IPD70R900P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 783 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.52 EUR
174+	1.34 EUR
243+	0.88 EUR
500+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPD70R900P7SAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 19321 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.89 EUR
10+	1.15 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.54 EUR
2500+	0.45 EUR
5000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R900P7SAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R900P7SAUMA1

Description: INFINEON - IPD70R900P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 783 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.52 EUR
174+	1.34 EUR
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IPD70R900P7SAUMA1 (70S900P7)
Produktcode: 201266

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPD70R950CE

Infineon technologies

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IPD70R950CEAUMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD70R950CEAUMA1 - IPD70R950 - POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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IPD70R950CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD70R950CEAUMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

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IPD70R950CEAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V

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IPD70R950CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD70R950CEAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

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IPD75N04S4-06

Infineon Technologies

Description: IPD75N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT

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IPD75N04S4-06

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2

auf Bestellung 2947 Stücke:

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10+	1.61 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR
2500+	0.68 EUR
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IPD75N04S406

Rochester Electronics, LLC

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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IPD75N04S406ATMA1

Description: INFINEON - IPD75N04S406ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2383 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.18 EUR
125+	1.86 EUR
188+	1.14 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.75 EUR

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IPD75N04S406ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD75N04S406ATMA1

Description: INFINEON - IPD75N04S406ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2383 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

79+	3.18 EUR
125+	1.86 EUR
188+	1.14 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.75 EUR

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IPD75N04S406ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2757 Stücke:

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9+	2.53 EUR
14+	1.59 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.75 EUR

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IPD78CN10N G

auf Bestellung 42500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPD78CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 187 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 26 Stücke

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IPD78CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V

auf Bestellung 10918 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.28 EUR
15+	1.43 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD78CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.46 EUR
5000+	0.45 EUR
7500+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD78CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3510 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

98+	1.8 EUR
160+	1.07 EUR
228+	0.74 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.57 EUR
2500+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 98 Stücke

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