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IPD65R660CFDBTMA1

Description: INFINEON - IPD65R660CFDBTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPD65R660CFDBTMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD

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IPD65R660CFDBTMA1

Description: INFINEON - IPD65R660CFDBTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPD65R950C6

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 700V 4.5A DPAK-2

auf Bestellung 1738 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.56 EUR
10+	2.09 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.13 EUR
2500+	1.07 EUR
5000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPD65R950C6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

446+	1.45 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.15 EUR
10000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 446 Stücke

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IPD65R950C6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 700V 4.5A DPAK-2

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IPD65R950C6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1423 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

446+	1.45 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 446 Stücke

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IPD65R950C6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPD65R950C6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

446+	1.45 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 446 Stücke

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IPD65R950C6ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD65R950C6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 6621 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

446+	1.45 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 446 Stücke

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IPD65R950C6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IPD65R950CFD

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 700V 3.9A DPAK-2

auf Bestellung 788 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPD65R950CFDATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Power dissipation: 36.7W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 3.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD65R950CFDATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V

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IPD65R950CFDATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_LEGACY

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IPD65R950CFDATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 3.9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD65R950CFDATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2076 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.52 EUR
10+	2.23 EUR
50+	1.68 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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IPD65R950CFDATMA2

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 3.9A; 36.7W; DPAK
Power dissipation: 36.7W
Gate charge: 14.1nC
Technology: CoolMOS™
Drain current: 3.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R950CFDATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD65R950CFDATMA2

Infineon Technologies

MOSFETs LOW POWER_LEGACY

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IPD65R950CFDBTMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Power dissipation: 36.7W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 3.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD

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IPD65R950CFDBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 700V 3.9A DPAK-2

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPD65R950CFDBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N03S4L-04

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2

auf Bestellung 2860 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.53 EUR
10+	2.18 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.99 EUR
2500+	0.84 EUR
5000+	0.77 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N03S4L-04
Produktcode: 117633

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N03S4L-04

Infineon technologies

auf Bestellung 2119 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1840 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

854+	0.75 EUR
1000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 854 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

151+	1.14 EUR
152+	1.09 EUR
154+	1.05 EUR
178+	0.87 EUR
250+	0.82 EUR
500+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 151 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 171 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.08 EUR
11+	1.95 EUR
100+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1866 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

854+	0.75 EUR
1000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 854 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N03S4L04ATMA1

Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm

auf Bestellung 2674 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	3.3 EUR
121+	1.93 EUR
182+	1.18 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 76 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2599 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

854+	0.75 EUR
1000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 854 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2533 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

854+	0.75 EUR
1000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 854 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2488 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

152+	1.13 EUR
154+	1.11 EUR
157+	1.06 EUR
200+	1.01 EUR
2000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 152 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2

auf Bestellung 9352 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.53 EUR
10+	2.23 EUR
100+	1.46 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.09 EUR
2500+	0.93 EUR
5000+	0.82 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N03S4L04ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 68W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

214+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 214 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N03S4L04ATMA1

Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm

auf Bestellung 2674 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.3 EUR
121+	1.93 EUR
182+	1.18 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPD70N04S3-07

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 40V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

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Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPD70N04S3-07

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPD70N04S3-07

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

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IPD70N04S307ATMA1

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk

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IPD70N10S3-12

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	4.3 EUR
50+	4.08 EUR
100+	3.86 EUR
250+	3.65 EUR
500+	3.5 EUR
1000+	3.37 EUR
2500+	3.21 EUR

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IPD70N10S3-12

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

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Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.21 EUR
10+	3.47 EUR
100+	2.45 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	2.14 EUR
2500+	1.93 EUR

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IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1769 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	4.12 EUR
61+	2.63 EUR
100+	2.14 EUR
250+	1.73 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.5 EUR

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IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

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215+	3.01 EUR
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IPD70N10S312ATMA1

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Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1769 Stücke:

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42+	4.12 EUR
61+	2.73 EUR
100+	2.27 EUR
250+	1.87 EUR
500+	1.82 EUR
1000+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 42 Stücke

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IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

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2500+	1.74 EUR

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IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

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IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 27921 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.89 EUR
10+	3.84 EUR
100+	2.67 EUR
500+	2.27 EUR

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IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

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IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4205 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

215+	3.01 EUR
500+	2.67 EUR
1000+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 215 Stücke

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IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 14620 Stücke:

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42+	4.11 EUR
61+	2.8 EUR
100+	2.67 EUR
500+	2.23 EUR
1000+	1.81 EUR
2000+	1.44 EUR
2500+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 42 Stücke

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IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1345 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

215+	3.01 EUR
500+	2.67 EUR
1000+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 215 Stücke

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IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 425 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

228+	0.75 EUR
250+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 228 Stücke

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IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70N10S312ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70N10S312ATMA2

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

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IPD70N10S3L-12

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

auf Bestellung 6585 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.59 EUR
10+	3.67 EUR
100+	2.53 EUR
500+	2.05 EUR
1000+	1.92 EUR
2500+	1.89 EUR
10000+	1.88 EUR

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IPD70N10S3L12ATMA1

Description: INFINEON - IPD70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0115 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1062 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.4 EUR
500+	2 EUR
1000+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 6925 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

286+	2.26 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 286 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD70N10S3L12ATMA1

Description: INFINEON - IPD70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0115 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1062 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	5.05 EUR
70+	3.34 EUR
100+	2.4 EUR
500+	2 EUR
1000+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 6221 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

286+	2.26 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 286 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2302 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

93+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 93 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

286+	2.26 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 286 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2302 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

85+	2.05 EUR
86+	1.94 EUR
87+	1.83 EUR
100+	1.74 EUR
250+	1.64 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 85 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA2

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

286+	2.26 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 286 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70N12S3-11

Rochester Electronics, LLC

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 400 Stücke

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IPD70N12S311ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1730 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

339+	1.9 EUR
500+	1.8 EUR
1000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 339 Stücke

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IPD70N12S311ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 9990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

66+	2.64 EUR
70+	2.44 EUR
100+	1.84 EUR
200+	1.71 EUR
500+	1.56 EUR
2000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 66 Stücke

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IPD70N12S311ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70N12S311ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2579 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	1.95 EUR
100+	1.84 EUR
250+	1.73 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.56 EUR
2500+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 88 Stücke

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IPD70N12S311ATMA1

Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 6906 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	4.9 EUR
69+	3.37 EUR
100+	2.33 EUR
500+	1.89 EUR
1000+	1.76 EUR
5000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 52 Stücke

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IPD70N12S311ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1609 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

339+	1.9 EUR
500+	1.8 EUR
1000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 339 Stücke

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IPD70N12S311ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

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IPD70N12S311ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 6363 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

339+	1.9 EUR
500+	1.8 EUR
1000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 339 Stücke

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IPD70N12S311ATMA1

Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 8906 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.51 EUR
250+	1.89 EUR
1000+	1.76 EUR
5000+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPD70N12S311ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 3531 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.13 EUR
10+	3.32 EUR
100+	2.28 EUR
500+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IPD70N12S311ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 540 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

339+	1.9 EUR
500+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 339 Stücke

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IPD70N12S311ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(120V,300V)

auf Bestellung 14440 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.43 EUR
10+	3.19 EUR
100+	2.32 EUR
500+	1.98 EUR
1000+	1.87 EUR
2500+	1.75 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N12S311ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1140 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

339+	1.9 EUR
500+	1.8 EUR
1000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 339 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N12S311ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(120V 300V)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N12S311ATMA2

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(120V 300V)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N12S311ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N12S3L12ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CHANNEL 100+

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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