Produkte > DMP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMPH4023SPDWQ-13 | Diodes Zetex | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4025SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V PWRDI3333 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1918 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 40A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 123 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4025SFVWQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 60W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm | auf Bestellung 1125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4025SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | auf Bestellung 852 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4025SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1918 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4025SFVWQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -7.3A; Idm: -80A; 2.3W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -80A Drain current: -7.3A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 38.6nC On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 2.3W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI3333-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4025SFVWQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 60W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm | auf Bestellung 1125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4025SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | auf Bestellung 1971 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4025SFVWQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -7.3A; Idm: -80A; 2.3W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -80A Drain current: -7.3A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 38.6nC On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 2.3W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI3333-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4025SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V PWRDI3333 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1918 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 40A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4026SFVW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 52A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2064 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4026SFVW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4026SFVW-13 | Diodes Zetex | 40V +175 Degree C P-Channel Enhancement Mode Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4026SFVW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2064 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4026SFVW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4026SFVW-7 | Diodes Zetex | 40V +175 Degree C P-Channel Enhancement Mode Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4026SFVWQ-13 | Diodes Zetex | 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4026SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 52A (Tc) Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2064 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4026SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4026SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 52A (Tc) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2064 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4026SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4026SFVWQ-7 | Diodes Zetex | 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4029LFG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.7A; Idm: -88A; 2.8W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -88A Drain current: -6.7A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 34nC On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 2.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI3333-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4029LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | auf Bestellung 2940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4029LFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4029LFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4029LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4029LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4029LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4029LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4029LFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.7A; Idm: -88A; 2.8W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -88A Drain current: -6.7A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 34nC On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 2.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI3333-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4029LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4029LFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4029LFGQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.7A; Idm: -88A; 2.8W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -88A Drain current: -6.7A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 34nC On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 2.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI3333-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4029LFGQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4029LFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | auf Bestellung 1653 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4029LFGQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4029LFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4029LFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4029LFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 424 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4029LFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4029LFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 92000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4029LFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 92000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4029LFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 424 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4029LFGQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.7A; Idm: -88A; 2.8W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -88A Drain current: -6.7A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 34nC On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 2.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI3333-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4029LFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH4029LFGQ-7 | Diodes | MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH4029LFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 596 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH4029LFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH6023SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH6023SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH6023SK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH6023SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1089 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH6023SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH6023SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 6238 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH6023SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH6023SK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH6023SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1089 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH6023SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH6023SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R 2.5K | auf Bestellung 2334 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH6023SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 477833 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH6023SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 270000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH6023SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 477500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH6050SFG-13 | Diodes Zetex | DMPH6050SFG-13 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH6050SFG-13 | Diodes Zetex | DMPH6050SFG-13 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH6050SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI3333-8 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH6050SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333 Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH6050SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI3333-8 T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH6050SFG-7 | Diodes Zetex | DMPH6050SFG-7 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH6050SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH6050SFG-7 | Diodes Zetex | DMPH6050SFG-7 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH6050SFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V PWRDI3333 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH6050SFGQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH6050SFGQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH6050SFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V PWRDI3333 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4286 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH6050SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 2671 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH6050SFGQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH6050SFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH6050SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.041 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH6050SFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH6050SFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V PWRDI3333 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH6050SFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH6050SFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH6050SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.041 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH6050SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 6018 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH6050SFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH6050SFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH6050SFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V PWRDI3333 | auf Bestellung 1450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH6050SFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH6050SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: | auf Bestellung 61182 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH6050SK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.9W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4301 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH6050SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH6050SK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6A; Idm: -40A; 3.8W; TO252 Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 3.8W Gate charge: 25nC Polarisation: unipolar Drain current: -6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: TO252 On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD | auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH6050SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH6050SK3-13 | Diodes | DMPH6050SK3-13 MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH6050SK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4301 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH6050SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH6050SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH6050SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V | auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH6050SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH6050SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6214 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMPH6050SK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMPH6050SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMPH6050SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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