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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMPH4029LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.7A; Idm: -88A; 2.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -88A
Drain current: -6.7A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 2.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.7A; Idm: -88A; 2.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -88A
Drain current: -6.7A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 2.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 1653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.3 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.51 EUR
6000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
21+1.04 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFGQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.7A; Idm: -88A; 2.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -88A
Drain current: -6.7A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 2.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 92000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.3 EUR
4000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.67 EUR
195+1.19 EUR
262+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFGQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.7A; Idm: -88A; 2.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -88A
Drain current: -6.7A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 2.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFGQ-7DiodesMOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.67 EUR
195+1.19 EUR
262+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
16+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 92000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.34 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6023SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6023SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6023SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6023SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1089 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.27 EUR
121+1.92 EUR
183+1.18 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6023SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 6238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.51 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.69 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6023SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6023SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6023SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1089 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.27 EUR
121+1.92 EUR
183+1.18 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6023SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.68 EUR
13+1.69 EUR
100+1.12 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6023SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 2334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.09 EUR
10+2.07 EUR
100+1.5 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
2500+0.94 EUR
5000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6023SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 477500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1 EUR
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6023SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6023SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 270000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6023SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 477833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
10+2.28 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFG-13Diodes ZetexDMPH6050SFG-13
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.49 EUR
6000+0.45 EUR
9000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFG-13Diodes ZetexDMPH6050SFG-13
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI3333-8 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.49 EUR
6000+0.45 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFG-7Diodes ZetexDMPH6050SFG-7
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI3333-8 T&R 2K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFG-7Diodes ZetexDMPH6050SFG-7
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.93 EUR
18+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 2671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.32 EUR
100+0.9 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.69 EUR
3000+0.57 EUR
6000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
294+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 294 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.64 EUR
10+1.18 EUR
100+0.81 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.51 EUR
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.56 EUR
14+1.61 EUR
25+1.34 EUR
50+1.19 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.041 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+2.07 EUR
168+1.39 EUR
246+0.87 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.49 EUR
4000+0.43 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.62 EUR
291+0.58 EUR
294+0.56 EUR
337+0.46 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.041 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+2.07 EUR
168+1.39 EUR
246+0.87 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.49 EUR
4000+0.44 EUR
6000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6A; Idm: -40A; 3.8W; TO252
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: TO252
On-state resistance: 70mΩ
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.55 EUR
66+1.3 EUR
76+1.12 EUR
115+0.75 EUR
135+0.63 EUR
250+0.52 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
auf Bestellung 61182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.82 EUR
10+1.17 EUR
100+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.18 EUR
168+1.38 EUR
254+0.84 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SK3-13DiodesDMPH6050SK3-13 MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.99 EUR
17+1.25 EUR
100+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.18 EUR
168+1.38 EUR
254+0.84 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
391+0.45 EUR
397+0.44 EUR
404+0.42 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 391 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
379+0.46 EUR
385+0.44 EUR
391+0.42 EUR
397+0.39 EUR
404+0.37 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 379 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60
auf Bestellung 8279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
19+1.14 EUR
100+0.82 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 26A POWERDI5060-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.08 EUR
11+1.93 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SPD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.03 EUR
123+1.75 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SPD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 21942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.86 EUR
100+1.25 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
2500+0.77 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 26A POWERDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SPD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.09 EUR
77+3.03 EUR
123+1.75 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SPD-13DiodesDMPH6050SPD-13 MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 26A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.33 EUR
10+2.11 EUR
100+1.38 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 26A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SPDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 4283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.19 EUR
10+2.03 EUR
100+1.36 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.99 EUR
2500+0.87 EUR
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SPDWQ-13Diodes Zetex175 Degree C 60V Dual P-Channel Enhancement Mode Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SPDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 26A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 5.2A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.62 EUR
16+1.39 EUR
100+0.96 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 2108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+1.39 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
2500+0.57 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.68 EUR
139+1.68 EUR
208+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH6050SSD-13Diodes INC.Транзистор польовий 2P, Udss, В = 60, Id = 5,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1525, Qg, нКл = 14,5, Rds = 48 мОм, Ugs(th) = 3, Р, Вт = 1,5, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Очікується: 100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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