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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFX130N65X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 130A 650V X3 PLU
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX130N65X3LittelfuseLittelfuse MOSFET 130A 650V X3 PLUS247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX140N25TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 140A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX140N25TIXYSMOSFETs 140A 250V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX140N25TТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX140N30PIXYSMOSFETs 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.27 EUR
10+33.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX140N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 140A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.23 EUR
30+32.96 EUR
120+29.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX140N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 140A; 1040W; PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 24mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain current: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS247™
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX140N60X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 140A 600V X3 PLU
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX140N60X3LittelfuseMOSFETs PLUS247 600V 140A N-CH X3CLASS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX14N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX150N15
auf Bestellung 1123 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX150N15IXYSMOSFETs 150 Amps 150V 0.0125 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX150N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX150N30P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 150A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX150N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX150N30P3TO-247 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX150N30P3IXYSMOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.97 EUR
10+33.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX15N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX160N30TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX160N30TIXYSMOSFETs 160A 300V
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.08 EUR
10+24.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX160N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.96 EUR
30+22.61 EUR
120+20.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX160N30TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX170N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 170A PLUS247-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX170N20PIXYSMOSFETs Polar HiperFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX170N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 Tube
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX170N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 Tube
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX170N20PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX170N20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX170N20TIXYSMOSFETs 170A 200V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX170N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX180N07IXYSMOSFET 70V 180A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX180N07PLUS247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX180N07IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 180A PLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX180N085IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 180A PLUS247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX180N085IXYSMOSFETs 180 Amps 85V 0.007 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX180N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX180N10LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX180N10IXYSMOSFETs 100V 180A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX180N10
Produktcode: 124793
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 180A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX180N15PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 180A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX180N15PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 150V 180A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX180N15PТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX180N15PIXYSMOSFETs 180 Amps 150V 0.011 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX180N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 180A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+24.25 EUR
30+19.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX180N25TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.88 EUR
30+21.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX180N25TIXYSMOSFETs 180A 250V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.07 EUR
10+28.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX180N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 180A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX200N10PIXYSMOSFETs 200 Amps 100V 0.0075 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX200N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX200N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX20N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX20N120IXYSMOSFET 20 Amps 1200 V 0.75W Rds
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX20N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX20N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX20N120PIXYSMOSFETs 26 Amps 1200V 1 Rds
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.36 EUR
10+42.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX20N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+60.34 EUR
30+39.39 EUR
60+36.9 EUR
120+35.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX20N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX210N17TIXYSDescription: MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 25 V
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IXFX210N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFX210N30X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFX210N30X3 - MOSFET, N-CH, 300V, 210A, PLUS247
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 210
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043
SVHC: To Be Advised
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IXFX210N30X3MOSFETs PLUS247 300V 210A N-CH X3CLASS Транзистори
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IXFX210N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 210A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200 pF @ 25 V
auf Bestellung 1427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.37 EUR
30+38.32 EUR
120+37.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX210N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX210N30X3IXYSMOSFETs PLUS247 300V 210A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+66.75 EUR
10+52.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX21N100FIXYSRF MOSFET Transistors IXFX21N100F F-Class HiPerRF Capable MOSFET IXFX21N100F IXYS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX21N100QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX21N100QIXYSMOSFETs 21 Amps 1000V 0.5 Rds
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFX21N100Q
Produktcode: 219644
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX21N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX21N100QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IXFX220N15PIXYSMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX220N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 220A PLUS247-3
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX220N17T2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 170V 220A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25.32 EUR
10+22.92 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IXFX220N17T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.93 EUR
10+23.75 EUR
30+23.1 EUR
60+21.8 EUR
120+20.5 EUR
270+20.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX220N17T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX220N17T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 170V; 220A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 170V
Drain current: 220A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.66 EUR
6+15.72 EUR
10+14.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX230N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1670W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.26 EUR
30+30.73 EUR
120+29.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX230N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 230A
Power dissipation: 1.67kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 358nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+29.27 EUR
5+27.51 EUR
10+24.73 EUR
30+24.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX230N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 230A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+34.51 EUR
10+32.93 EUR
25+27.96 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX230N20TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 230A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+49.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX230N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 230A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+33.38 EUR
10+32.56 EUR
25+28.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX230N20TIXYSMOSFETs 230A 200V
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.23 EUR
10+34.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX230N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 230A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX230N20T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFX230N20T. - MOSFET, N-CH, 200V, 230A, PLUS247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.67kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GigaMOS Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+68.95 EUR
5+58.31 EUR
10+48.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX240N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 240A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX240N15T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX240N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 240A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX240N15T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 240A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 460nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX240N25X3IXYSMOSFETs PLUS247 250V 240A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.6 EUR
30+46.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX240N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 240A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+63.49 EUR
30+41.67 EUR
120+40.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX240N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 240A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX240N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 240A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX240N25X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFX240N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 240 A, 0.005 ohm, PLUS247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+76.97 EUR
5+65.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX24N100IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX24N100IXYSMOSFETs 24 Amps 1000V 0.39 Rds
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IXFX24N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
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