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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI3499DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3499DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+0.71 EUR
245+0.68 EUR
248+0.64 EUR
252+0.61 EUR
256+0.57 EUR
261+0.55 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3499DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3499DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.12 EUR
117+1.43 EUR
222+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3499DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V
auf Bestellung 7961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+1.34 EUR
100+1.08 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.8 EUR
3000+0.76 EUR
6000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3499DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
245+0.7 EUR
248+0.68 EUR
252+0.65 EUR
256+0.63 EUR
261+0.62 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3499DV-T1-GE3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3499DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.11 EUR
118+1.45 EUR
223+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3499DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 6070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.98 EUR
12+1.88 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3499DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 2294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3500-A-GMSilicon Labsqfn 20/i°/-57V to +3.3V DC/DC converter SI3500
Anzahl je Verpackung: 60 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3500-A-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC REG BUCK ADJ 400MA 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VQFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive, Isolation Capable
Frequency - Switching: 350kHz
Voltage - Input (Max): 57V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 20-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 12V
Voltage - Input (Min): 42V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3500-A-GMRSilicon Labsqfn 20/i°/-57V to +3.3V DC/DC converter SI3500
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3500-A-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC REG BUCK ADJ 400MA 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VQFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive, Isolation Capable
Frequency - Switching: 350kHz
Voltage - Input (Max): 57V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 20-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 12V
Voltage - Input (Min): 42V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3500B
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3522
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3522VSAK
auf Bestellung 749 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3528B
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3529DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.95A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3529DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.95A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3540Applied MotionMotor Drives PKG 3.5A 40VDC IND
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3540 (5000-046)Applied MotionArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3551M
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3552DVVISHAY2005 SOT23
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3552DV-T1Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI35
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3552DV-T1VISHAY2004 SOT23-6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3552DV-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI3552DV-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3552DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.15W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 6588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.34 EUR
15+1.48 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3552DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3552DV-T1-E3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2.5/-1.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-1.8A
Pulsed drain current: -7...8A
Power dissipation: 1.15W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 360/175mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6/3.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3552DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.15W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.56 EUR
6000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3552DV-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SI35
auf Bestellung 173834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3552DV-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI3552DV-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3552DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3552DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 4885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.23 EUR
159+1.05 EUR
161+1 EUR
162+0.95 EUR
208+0.71 EUR
250+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3552DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
auf Bestellung 16525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.65 EUR
10+1.33 EUR
100+0.92 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.56 EUR
6000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3552DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.4 EUR
14+1.52 EUR
100+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3552DV-T1-GE3
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3552DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 4885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.08 EUR
161+1.06 EUR
162+1.02 EUR
208+0.79 EUR
250+0.76 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3552DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3552DV-T2Vishay / SiliconixMOSFETs 30V N & P CH (D-S) TRENCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3552DY-T1-E3
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3553QSI95+ TSOP
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3554M
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3585CDV
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3585CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 2295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+0.92 EUR
257+0.64 EUR
295+0.55 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3585CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3585CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3585CDV-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 3.1/-1.7A
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.9/8W
Gate charge: 4.8/9nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 3.1/-1.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SC74; TSOP6
On-state resistance: 78/316mΩ
auf Bestellung 4087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.06 EUR
111+0.76 EUR
159+0.54 EUR
185+0.46 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3585CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 2295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+0.92 EUR
257+0.65 EUR
295+0.56 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3585CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3585CDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.95 EUR
206+1.13 EUR
319+0.68 EUR
500+0.6 EUR
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3585CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3585CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3585CDV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
auf Bestellung 24557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.57 EUR
10+0.71 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3585CDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.56 EUR
9000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3585CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3585CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 1284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.55 EUR
22+0.96 EUR
50+0.71 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3585CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 4087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
229+0.75 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 229 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3585CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3585CDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.95 EUR
206+1.13 EUR
319+0.68 EUR
500+0.6 EUR
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3585DVVISHAY
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3585DV-T1
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3585DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3585DV-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 24018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3585DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3585DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3585DV-T1-GE3
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3585DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3586DVVISHAY
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3586DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3586DV-T1-E3VishayN/P-MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm/220mOhm; 2,9A/2,1A; 830mW; -55°C ~ 150°C; SI3586DV-T1-E3 Vishay TSI3586dv
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3586DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3586DV-T1-GE3
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3586DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3586DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3588DV
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3588DV-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI3585CDV-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3588DV-T1
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3588DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 570mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW, 83mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3588DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 570mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW, 83mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3588DV-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI3585CDV-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3588DV-T1-E3
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3588DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW, 83mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 570mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3588DV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI3585CDV-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3588DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW, 83mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 570mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3588DV-T2Vishay / SiliconixMOSFET 20V, N/P-CH 132/334MOHM@1.8V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3588DV-T3Vishay / SiliconixMOSFET 20V, N/P-CH 132/334MOHM@1.8V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3588DV-T5Vishay / SiliconixMOSFET 20V N/P-CH 132/334MOHM@1.8V
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SI3590DV-T1
auf Bestellung 300 Stücke:
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SI3590DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
auf Bestellung 14340 Stücke:
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9+2.57 EUR
13+1.63 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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SI3590DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.61 EUR
6000+0.58 EUR
9000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3590DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.7A 6-Pin TSOP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3590DV-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
auf Bestellung 233027 Stücke:
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2+1.98 EUR
10+1.32 EUR
100+0.92 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI3590DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3590DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5471 Stücke:
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105+2.39 EUR
139+1.68 EUR
201+1.07 EUR
500+0.86 EUR
1500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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SI3590DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.7A 6-Pin TSOP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Si3590DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
13+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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Si3590DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
auf Bestellung 101648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.05 EUR
10+1.38 EUR
100+0.93 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.71 EUR
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Si3590DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3590DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3590DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.39 EUR
139+1.68 EUR
201+1.07 EUR
500+0.86 EUR
1500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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