Produkte > DMP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMP2004K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 84000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2004K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2004K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2004K-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Channel | auf Bestellung 65554 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2004K-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2004K-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 550mW Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 2910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2004K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 561000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2004K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 292 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 204 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2004K-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 550mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V | auf Bestellung 357000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2004K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 84000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2004K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2004K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2004K-7-F | 10+ROHS SOT-23 | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| DMP2004KQ-7 | Diodes Incorporated | Description: DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 550mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2004KQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2004KQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2004TK | Diodes Incorporated | Description: DIODE Packaging: Bulk Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 230mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.97 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 16 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2004TK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2004TK-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -310mA; Idm: -0.75A; 320mW Mounting: SMD Case: SOT523 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -0.75A Drain-source voltage: -20V Drain current: -310mA Gate charge: 970pC On-state resistance: 2.4mΩ Power dissipation: 0.32W Gate-source voltage: ±8V Kind of package: 7 inch reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2004TK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-523 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 183000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2004TK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2004TK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2004TK-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 430 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 430mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 230mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2004TK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2004TK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R | auf Bestellung 285000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2004TK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2004TK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-523 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-523 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 187712 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2004TK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Channel .15W | auf Bestellung 12426 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2004TK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R | auf Bestellung 180000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2004TK-7-79 | Diodes Incorporated | Description: DIODE Packaging: Bulk Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 230mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.97 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 16 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2004UFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2004UFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2004UFG-13 | Diodes Zetex | 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2004UFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333-8 T&R 2K | auf Bestellung 1726 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2004UFG-7 | Diodes Zetex | 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2004UFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2004VK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2004VK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 2340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2004VK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT563 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-563 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 400mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2004VK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2004VK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2004VK-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2004VK-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 530 mA, 530 mA tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 530mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 530mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2004VK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 2340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2004VK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs Dual P-Channel | auf Bestellung 12800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2004VK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT563 Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-563 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 400mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) | auf Bestellung 40289 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2004VK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2004VK-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2004VK-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 530 mA, 530 mA tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 530mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 530mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2004WK | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP2004WK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2004WK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 250mW -20Vdss | auf Bestellung 21949 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2004WK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 237000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2004WK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2004WK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2004WK-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -400mA; Idm: -1.4A; 250mW Mounting: SMD Case: SOT323 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -1.4A Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.4A On-state resistance: 2mΩ Power dissipation: 0.25W Gate-source voltage: ±8V Kind of package: 7 inch reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2004WK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2004WK-7 | DIODES | 09+ TO92 | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2004WK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V | auf Bestellung 68810 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2005UFG | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2005UFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1733 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2005UFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2005UFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2005UFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2005UFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | auf Bestellung 1204 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2005UFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 89 A, 3500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 48W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm | auf Bestellung 1943 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2005UFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2005UFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 89 A, 3500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 48W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm | auf Bestellung 1943 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2005UFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2006UFG | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2006UFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 17.5A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 84000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2006UFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2006UFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI | auf Bestellung 84000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2006UFG-13 | Diodes | MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2006UFG-7 | Diodes | MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI Транзистори | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2006UFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 17.5A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 306000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2006UFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64nC | auf Bestellung 5935 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2006UFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc) Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5404 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V | auf Bestellung 306000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2006UFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1757879 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2006UFGQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 17.5A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2006UFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V P-CH Enhance Mode | auf Bestellung 2969 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2006UFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1755000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2006UFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V P-CH MOSFET | auf Bestellung 1913 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2006UFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2006UFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2006UFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 17.5A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2007UFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN | auf Bestellung 408994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2007UFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 29nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2007UFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 408000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2007UFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2007UFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 29nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2007UFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2007UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1572 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2007UFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 66067 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2007UFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2007UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1572 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2008UFG-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2008UFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2008UFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2008UFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2008UFG-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2008UFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP2008UFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2008UFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V P-CH MOSFET | auf Bestellung 3132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP2008UFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V | auf Bestellung 47864 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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