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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FQA65N20FairchildN-MOSFET 65A 200V 310W 0.032Ω FQA65N20 TFQA65n20
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+8.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA6N70Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 700V 6.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 4865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
166+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA6N70onsemiDescription: MOSFET N-CH 700V 6.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA6N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 3.15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
208+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA6N80_F109Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA6N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA6N90
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA6N90Consemi / FairchildMOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA6N90C-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 6A TO3PN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PN
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA6N90C-F109onsemi / FairchildMOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA6N90C-F109ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA6N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 198
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 198
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA6N90C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA6N90C_F109FAIRCHILD
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA6N90C_F109ONS/FAIMOSFET N-CH 900V 6A TO-3P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA6N90_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO3P
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N08onsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.5 EUR
30+4.13 EUR
120+3.38 EUR
510+2.84 EUR
1020+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.49 EUR
59+2.88 EUR
120+2.48 EUR
270+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N10FairchildN-MOSFET 100V 70A 214W FQA70N10 Fairchild TFQA70n10
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.81 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N10onsemiMOSFETs 100V N-Channel QFET
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.35 EUR
10+4.06 EUR
120+3.31 EUR
510+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N10
Produktcode: 116416
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N10ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.74 EUR
30+2.88 EUR
31+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.39 EUR
60+2.89 EUR
120+2.52 EUR
270+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA70N10 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+8.95 EUR
51+4.59 EUR
100+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel QFET
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N15
Produktcode: 103658
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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N15ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N15ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA70N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 70
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N15onsemiMOSFETs 150V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N15onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 70A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA755N10Fairchild
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA7N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.7A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA7N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 7.2A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
186+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA7N80onsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA7N80Fairchild
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA7N80CONSEMIDescription: ONSEMI - FQA7N80C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 25078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
330+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA7N80CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
auf Bestellung 24703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
188+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA7N80Consemi / FairchildMOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA7N80C-F109ON Semiconductor800V N-CHANNEL MOSFET FQA7N80C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA7N80C-F109onsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, QFET, 8
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 11985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
156+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA7N80C-F109onsemi / FairchildMOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA7N80LFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA7N80_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 7.2A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA7N90Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
162+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA7N90ONS/FAIMOSFET N-CH 900V 7.4A 1.55Om TO-3P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA7N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA7N90ON SemiconductorFQA7N90
auf Bestellung 643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.07 EUR
500+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA7N90onsemi / FairchildMOSFET 900V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA7N90MonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA7N90M_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA7N90_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA85N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO3P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N100Consemi / FairchildMOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
auf Bestellung 10914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.39 EUR
10+5.24 EUR
120+4.93 EUR
510+4.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N100CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N100ConsemiMOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
auf Bestellung 10819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.72 EUR
10+6.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N100ConsemiDescription: MOSFET N-CH 1000V 8A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.73 EUR
30+6.69 EUR
120+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N100CFairchildN-MOSFET 8A 1000V 225W 1.45Ω FQA8N100C TFQA8n100c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+13.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N100CONSEMIDescription: ONSEMI - FQA8N100C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.12 EUR
44+5.36 EUR
100+4.74 EUR
500+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N80Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
auf Bestellung 89476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
167+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N80
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N80ConsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 8.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N80C_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 8.4A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N90CON Semiconductor / FairchildMOSFET 900V N-Channel Q-FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N90CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V
auf Bestellung 2763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
145+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N90C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N90C-F109onsemi / FairchildMOSFET 900V N-Channel
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.38 EUR
10+6.62 EUR
25+6.26 EUR
100+5.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N90C-F109ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA8N90C-F109 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N90C-F109ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.1A; Idm: 32A; 240W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 240W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N90C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N90C-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 8A TO3PN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PN
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8 EUR
10+5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N90C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N90C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA90N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 90A TO3PN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PN
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.92 EUR
30+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA90N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.81 EUR
43+3.92 EUR
100+2.83 EUR
250+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA90N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 90A TO3PN
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA90N08
auf Bestellung 9900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA90N08onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel QFET
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.16 EUR
10+8.52 EUR
25+8.04 EUR
100+6.89 EUR
250+6.24 EUR
450+5.87 EUR
900+5.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA90N08ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA90N08 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA90N10V2onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 105A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 52.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA90N10V2Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 105A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 52.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
75+7.83 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA90N15ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 63.5A; Idm: 360A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 63.5A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA90N15FairchildN-MOSFET 150V 90A 375W FQA90N15 Fairchild TFQA90n15
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+13.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA90N15onsemiMOSFETs 150V N-Channel QFET
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FQA90N15ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA90N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90 A, 0.018 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 90
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FQA90N15onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 90A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
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FQA90N15ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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96+6.85 EUR
101+6.4 EUR
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FQA90N15-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+5.74 EUR
500+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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FQA90N15-F109ON Semiconductor
auf Bestellung 4950 Stücke:
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FQA90N15-F109ON Semiconductor / FairchildMOSFET 150V 90A N-Chan Power Trench
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FQA90N15-F109ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA90N15-F109 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQA90N15-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 90A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
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FQA90N15-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FQA90N15-F109ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 63.5A; Idm: 360A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 63.5A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FQA9N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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FQA9N90Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
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FQA9N90
auf Bestellung 5620 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQA9N90onsemiMOSFETs 900V N-Channel QFET
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FQA9N90-F109ON Semiconductor
auf Bestellung 4944 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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