Produkte > IPD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPD90R1K2C3 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90R1K2C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 5.1A DPAK-2 CoolMOS C3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90R1K2C3ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90R1K2C3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90R1K2C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 5.1A DPAK-2 | auf Bestellung 8427 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90R1K2C3ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90R1K2C3ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90R1K2C3ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD90R1K2C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1642 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90R1K2C3ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD90R1K2C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1642 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90R1K2C3ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V | auf Bestellung 660 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90R1K2C3ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90R1K2C3ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_LEGACY | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90R1K2C3BTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD90R1K2C3BTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD950P06NMSAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V TO252-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 2380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD95R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD95R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 12672 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD95R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD95R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V | auf Bestellung 117500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD95R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD95R2K0P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD95R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD95R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD95R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD95R2K0P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD95R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V | auf Bestellung 119007 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD95R450P7 | Infineon Technologies | IPD95R450P7 | auf Bestellung 2492 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD95R450P7 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD95R450P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 20098 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD95R450P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V | auf Bestellung 5483 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD95R450P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7157 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD95R450P7ATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 950V 14A TO252 Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD95R450P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 3323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD95R450P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD95R450P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD95R450P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD95R450P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD95R450P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 20098 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD95R450P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD95R450P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD95R450P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD95R450PFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD95R450PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 13.3 A, 0.35 ohm, TO-252 (DPAK), Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V Dauer-Drainstrom Id: 13.3A hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1607 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD95R450PFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V | auf Bestellung 2252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD95R450PFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 13.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD95R450PFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD95R450PFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 958 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD95R450PFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 13.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD95R750P7 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD95R750P7 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 950V 9A DPAK Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD95R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 3049 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD95R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 11127 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD95R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD95R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 11127 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD95R750P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 73W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm | auf Bestellung 3168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD95R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD95R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1674 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD95R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD95R750P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 5.5A Power dissipation: 73W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Version: ESD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD95R750P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 73W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm | auf Bestellung 3168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD95R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD95R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPDD60R037CM8XTMA1 | Infineon Technologies | Description: IPDD60R037CM8XTMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 416W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPDD60R037CM8XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 481 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPDD60R037CM8XTMA1 | Infineon Technologies | Description: IPDD60R037CM8XTMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 416W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V | auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPDD60R045CFD7 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPDD60R045CFD7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPDD60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 379W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPDD60R045CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 61A HDSOP-10 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Power Dissipation (Max): 379W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V | auf Bestellung 1680 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPDD60R045CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 61A 10-Pin HDSOP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPDD60R045CFD7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPDD60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 379W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 379W Bauform - Transistor: HDSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPDD60R045CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 61A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 9290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPDD60R045CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPDD60R045CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 61A HDSOP-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 379W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPDD60R050G7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1710 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPDD60R050G7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPDD60R050G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.043 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 Gold productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1070 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPDD60R050G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 261 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPDD60R050G7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPDD60R050G7XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 10-Pin HDSOP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPDD60R050G7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPDD60R050G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.043 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 Gold productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPDD60R050G7XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 10-Pin HDSOP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPDD60R055CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 1437 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPDD60R055CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | SP003803300 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPDD60R055CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 52A HDSOP-10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V Power Dissipation (Max): 329W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2724 pF @ 400 V | auf Bestellung 1335 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPDD60R055CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 52A HDSOP-10 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2724 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA Power Dissipation (Max): 329W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPDD60R075CFD7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPDD60R075CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.06 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 266W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 266W Bauform - Transistor: HDSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 32 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPDD60R075CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 266W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2102 pF @ 400 V | auf Bestellung 2703 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPDD60R075CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 1458 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPDD60R075CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 266W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2102 pF @ 400 V | auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPDD60R075CFD7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPDD60R075CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.06 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 266W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPDD60R080G7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Power Dissipation (Max): 174W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPDD60R080G7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPDD60R080G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.069 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 174W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 Gold productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1689 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPDD60R080G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 1174 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPDD60R080G7XTMA1 | Infineon Technologies | IPDD60R080G7XTMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPDD60R080G7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPDD60R080G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.069 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 174W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 Gold productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1689 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPDD60R080G7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10 Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Power Dissipation (Max): 174W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 2376 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPDD60R080G7XTMA1 | Infineon Technologies | IPDD60R080G7XTMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |