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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPDD60R170CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.95 EUR
10+4.99 EUR
25+4.71 EUR
100+4.05 EUR
250+3.81 EUR
500+3.58 EUR
1000+3.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R170CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 19A HDSOP-10
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1016 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPDD60R180CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPDD60R180CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R190G7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R190G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 10-Pin HDSOP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R190G7XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 76W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 18nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R190G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDD60R190G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.164 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R190G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R190G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDD60R190G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.164 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDD60R190G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.01 EUR
10+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDH4N03LAinfineon07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDH4N03LA-Ginfineon07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDH4N03LAGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.23 EUR
12+1.82 EUR
100+1.62 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDH4N03LAGinfineonto-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDH4N03LAGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDH5N03LAinfineon07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDH5N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDH5N03LAGinfineon07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDH6N03LAINFINEON06/07+
auf Bestellung 3152 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDH6N03LAGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDH6N03LAGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
16+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDH9N03LAGinfineon07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R007CM8Infineon Technologies HIGH POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R007CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPDQ60R007CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 288A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.249kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 3.24mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 370 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16385 pF @ 400 V
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.5 EUR
10+35.18 EUR
100+33.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R007CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R007CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 288 A, 7000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 288A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 1.249kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+42.03 EUR
50+39.2 EUR
100+36.35 EUR
250+35.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R007CM8XTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 2072 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.95 EUR
10+33.26 EUR
100+31.19 EUR
500+30.56 EUR
750+29.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R007CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPDQ60R007CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 288A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.249kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 3.24mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 370 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16385 pF @ 400 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
750+27.13 EUR
Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R007CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R007CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 288 A, 7000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 288A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 1.249kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+51.22 EUR
10+42.03 EUR
50+39.2 EUR
100+36.35 EUR
250+35.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R007CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 288A 22-Pin HDSOP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R007CM8XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Transistors - Unclassified
Description: IPDQ60R007CM8XTMA1
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
750+28.2 EUR
Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R010S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11987 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.73 EUR
10+35.89 EUR
25+33.69 EUR
100+31.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R010S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11987 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
750+29.05 EUR
Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R010S7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.48 EUR
10+28.08 EUR
100+25.03 EUR
500+24.53 EUR
750+23.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R010S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 9000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 694W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1035 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+32.11 EUR
50+30.57 EUR
100+29 EUR
250+28.43 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R010S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11987 pF @ 300 V
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.66 EUR
10+28.46 EUR
25+26.67 EUR
100+24.69 EUR
250+23.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R010S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.43 EUR
10+31.92 EUR
100+27.61 EUR
500+25.22 EUR
750+22.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R010S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 9000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1035 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+50.05 EUR
6+40.63 EUR
10+32.11 EUR
50+30.57 EUR
100+29 EUR
250+28.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R010S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11987 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R015CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.34 EUR
10+27.36 EUR
100+23.69 EUR
500+23.65 EUR
750+20.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R015CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R015CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 149 A, 0.012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 657W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+29.48 EUR
50+26.69 EUR
100+23.88 EUR
250+23.41 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R015CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 657W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R015CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R015CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 149 A, 0.012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 657W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+47.6 EUR
7+38.08 EUR
10+29.48 EUR
50+26.69 EUR
100+23.88 EUR
250+23.41 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R015CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 657W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R016CM8XTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.25 EUR
10+18.77 EUR
25+18.72 EUR
100+16.78 EUR
750+14.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R017S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.89mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R017S7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.1 EUR
10+20.29 EUR
100+17.55 EUR
250+17.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R017S7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+22.09 EUR
50+20.59 EUR
100+19.09 EUR
250+18.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R017S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.89mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.85 EUR
10+21.88 EUR
100+18.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R017S7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+34.49 EUR
9+27.99 EUR
10+22.09 EUR
50+20.59 EUR
100+19.09 EUR
250+18.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R017S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.17 EUR
9+26.89 EUR
11+21.23 EUR
50+19.79 EUR
100+18.36 EUR
250+17.99 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R017S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.89mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R017S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.89 EUR
11+21.23 EUR
50+19.79 EUR
100+18.36 EUR
250+17.99 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R017S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.24 EUR
10+19.52 EUR
100+16.89 EUR
250+16.36 EUR
750+16.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R017S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.89mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V
auf Bestellung 686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.94 EUR
10+21.05 EUR
100+18.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R020CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.12mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7395 pF @ 400 V
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.3 EUR
10+19.99 EUR
100+18.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R020CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R020CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 112 A, 0.016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 543W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.36 EUR
11+21.1 EUR
50+18.79 EUR
100+17.14 EUR
250+15.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R020CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.2 EUR
10+19.12 EUR
100+18.6 EUR
500+16.92 EUR
750+15.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R020CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.12mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7395 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R020CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R020CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 112 A, 0.016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 543W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.81 EUR
10+25.36 EUR
11+21.1 EUR
50+18.79 EUR
100+17.14 EUR
250+15.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R022S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.94 EUR
10+19.47 EUR
100+14.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R022S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R022S7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.25 EUR
10+15.12 EUR
100+12.96 EUR
500+11.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R022S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.29 EUR
10+18.22 EUR
25+16.95 EUR
100+15.55 EUR
250+14.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R022S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.09 EUR
10+18.58 EUR
25+18.08 EUR
50+17.06 EUR
100+16.06 EUR
250+15.57 EUR
500+14.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R022S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R024CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
auf Bestellung 651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.58 EUR
10+13.32 EUR
100+11.13 EUR
500+9.9 EUR
750+8.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R025CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5626 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R025CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R025CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.021 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+28.74 EUR
11+23.04 EUR
12+17.91 EUR
50+16.39 EUR
100+14.86 EUR
250+14.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R025CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R025CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.021 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.74 EUR
11+23.04 EUR
12+17.91 EUR
50+16.39 EUR
100+14.86 EUR
250+14.57 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R025CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5626 pF @ 400 V
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.54 EUR
10+18.59 EUR
100+14.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R025CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.48 EUR
10+17.09 EUR
100+14.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R035CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
750+10.94 EUR
Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R035CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R035CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 68 A, 0.028 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 367W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.81 EUR
15+15.76 EUR
17+12.94 EUR
50+11.89 EUR
100+11.38 EUR
250+10.86 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R035CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.68 EUR
10+19.46 EUR
25+17.66 EUR
100+16.21 EUR
250+15.24 EUR
500+14.16 EUR
750+12.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R035CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R035CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 68 A, 0.028 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 367W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.81 EUR
15+15.76 EUR
17+12.94 EUR
50+11.89 EUR
100+11.38 EUR
250+10.86 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R035CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.08 EUR
10+14.04 EUR
25+13.04 EUR
100+11.94 EUR
250+11.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R037CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R037CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 65 A, 0.037 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.11 EUR
21+11.21 EUR
100+8.91 EUR
500+8.09 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R037CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R037CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 65 A, 0.037 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.11 EUR
21+11.21 EUR
100+8.91 EUR
500+8.09 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R037CM8XTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.83 EUR
10+11.83 EUR
25+10.75 EUR
100+9.87 EUR
250+9.29 EUR
500+8.71 EUR
750+7.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R040S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.36 EUR
10+11.88 EUR
100+8.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R040S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R040S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.03 EUR
10+10.04 EUR
25+9.31 EUR
100+8.48 EUR
250+8.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R040S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.15 EUR
10+8.6 EUR
100+7.63 EUR
750+7.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R040S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R045CFD7Infineon Technologies HIGH POWER_NEW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 52A 22-Pin HDSOP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R045CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.038 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 297W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.24 EUR
18+13.21 EUR
21+10.44 EUR
50+9.96 EUR
100+8.84 EUR
250+8.68 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 52A 22-Pin HDSOP EP T/R
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+8.94 EUR
100+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.39 EUR
10+11.1 EUR
25+10.28 EUR
100+9.38 EUR
250+8.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 52A 22-Pin HDSOP EP T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.77 EUR
20+8.77 EUR
25+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R045CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.038 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 297W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.24 EUR
18+13.21 EUR
21+10.44 EUR
50+9.96 EUR
100+8.84 EUR
250+8.68 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.9 EUR
10+12.92 EUR
100+10.64 EUR
500+9.48 EUR
750+8.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
750+7.66 EUR
Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 52A 22-Pin HDSOP EP T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.77 EUR
20+8.97 EUR
25+7.16 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.09 EUR
10+9.76 EUR
100+7.91 EUR
500+6.12 EUR
750+5.95 EUR
2250+5.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.68 EUR
10+6.59 EUR
25+6.08 EUR
100+5.51 EUR
250+5.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
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