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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PSMN5R6-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+3.01 EUR
100+2.94 EUR
250+2.87 EUR
500+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-100PS,127NexperiaMOSFET PSMN5R6-100PS/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 4806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.3 EUR
10+4.76 EUR
50+4.58 EUR
100+4.14 EUR
250+4.11 EUR
500+3.88 EUR
1000+3.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-100PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R6-100PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.02 EUR
45+5.18 EUR
100+4.22 EUR
500+3.45 EUR
1000+3.05 EUR
2000+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-100XSRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-100XS,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 61.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8061 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-100YSFQNexperia USA Inc.Description: PSMN5R6-100YSF/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-100YSFXNexperiaMOSFET PSMN5R6-100YSF SOT1023/4 LEADS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-100YSFXNexperia USA Inc.Description: PSMN5R6-100YSF/SOT1023/4 LEADS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-100YSFXNexperiaNextPower 100 V, N-channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-60YL,115Nexperia USA Inc.Description: PSMN5R6-60YL - N-CHANNEL 60V, LO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-60YLXNXPMOSFET N-channel 60 V LFPAK-56 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-60YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R6-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 1870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.43 EUR
74+3.15 EUR
90+2.4 EUR
200+1.89 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-60YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
auf Bestellung 1695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.03 EUR
11+1.93 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 26090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
738+0.88 EUR
1000+0.81 EUR
10000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 738 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.19 EUR
3000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-60YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-60YLXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 60V 100A
auf Bestellung 71005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3 EUR
10+1.92 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-60YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R6-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
124+1.88 EUR
142+1.52 EUR
200+1.3 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.19 EUR
3000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R6-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R8-30LL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1316 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R8-30LL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1316 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R8-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R8-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
200+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R8-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 90A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1703 pF @ 20 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.89 EUR
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R8-40YS,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; Idm: 360A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 360A
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.8nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R8-40YS,115NexperiaMOSFETs PSMN5R8-40YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 20749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.27 EUR
10+2.07 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.93 EUR
24000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R8-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R8-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.59 EUR
70+3.34 EUR
79+2.74 EUR
200+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R8-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+2.32 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.86 EUR
10000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R8-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 90A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1703 pF @ 20 V
auf Bestellung 4421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.28 EUR
11+2.08 EUR
100+1.39 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R8-40YS,115 Transistor
Produktcode: 215646
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R9-30YL,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 78A LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R9-30YL,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 78A LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-25YLB,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 73A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-25YLB,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 73A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1099 pF @ 12 V
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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PSMN6R0-25YLB,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 73A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-25YLB,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 73A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN6R0-25YLB,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 73A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1099 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-25YLB,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 73A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
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4500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4500 Stücke
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PSMN6R0-25YLB,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 73A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-25YLB,115NexperiaMOSFETs PSMN6R0-25YLB/SOT669/LFPAK
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3+1.19 EUR
10+1.02 EUR
100+0.7 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
1500+0.48 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-25YLD115NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PSMN6R0-25YLD - POWER F
Packaging: Bulk
auf Bestellung 9000 Stücke:
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1429+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1429 Stücke
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PSMN6R0-25YLD115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R0-25YLD115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 39000 Stücke:
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1500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-25YLD115NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 43W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Bulk
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1429+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1429 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 61A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-25YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 25V 61A
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2+1.73 EUR
10+1.08 EUR
100+0.71 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.54 EUR
1500+0.35 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-25YLDXNXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 25V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 33585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
797+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
10000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 797 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 61A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 79A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 12 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YL,115NexperiaMOSFETs PSMN6R0-30YL/SOT669/LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 79A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 79A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 79A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
259+0.67 EUR
1500+0.56 EUR
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 259 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 79A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 79A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.43 EUR
3000+0.4 EUR
9000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 12 V
auf Bestellung 2072 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.15 EUR
16+1.37 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 79A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
489+1.33 EUR
543+1.19 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 489 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 79A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.43 EUR
3000+0.42 EUR
9000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLB,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 71A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLB,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R0-30YLB,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 71 A, 5500 µohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.48V
Verlustleistung: 58W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 8525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
104+2.25 EUR
147+1.46 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.01 EUR
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLB,115NexperiaMOSFETs PSMN6R0-30YLB/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 1477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.31 EUR
10+1.11 EUR
100+0.76 EUR
500+0.64 EUR
1500+0.56 EUR
3000+0.45 EUR
9000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLB,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 71A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
20+1.11 EUR
100+0.76 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLB,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 71A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLD/2XNexperiaMOSFETs SOT669 N CHAN 30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN6R0-30YLD/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.4 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 66A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 66A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.57 EUR
22+0.96 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 66A
auf Bestellung 5353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.44 EUR
10+0.89 EUR
100+0.58 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.45 EUR
1500+0.38 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-25MLD,115Nexperia USA Inc.Description: PSMN6R1-25MLD - N-CHANNEL 25V, L
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-25MLD115Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN6R1-25MLD - POW
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-25MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 60A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.24mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 12 V
auf Bestellung 1382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
20+1.08 EUR
100+0.7 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-25MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 60A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.24mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-25MLDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 25V 60A
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.06 EUR
100+0.7 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.43 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-30YLDXNexperiaMOSFET PSMN6R1-30YLD/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 7401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 817 pF @ 15 V
auf Bestellung 2348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
18+1.18 EUR
100+0.82 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-30YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R1-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 66 A, 5050 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5050µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.82 EUR
125+1.87 EUR
186+1.15 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 817 pF @ 15 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-30YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R1-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 66 A, 5050 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5050µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.82 EUR
125+1.87 EUR
186+1.15 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-40HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R1-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.006 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.006ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.006ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.69 EUR
112+1.92 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-40HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.97 EUR
10+2.69 EUR
100+1.92 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-40HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R1-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.006 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.006ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.006ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.52 EUR
87+2.69 EUR
112+1.92 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-40HLXNexperiaMOSFETs SOT205 2NCH 40V 40A
auf Bestellung 13542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.96 EUR
10+2.53 EUR
100+1.7 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-40HLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.74 EUR
500+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-40HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R3-120ESQNexperiaMOSFET 120V 6.7mOhm stndrd level MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R3-120ESQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11384 pF @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R3-120PSNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11384 pF @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R3-120PSNexperiaTrans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 2222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+8.22 EUR
100+7.7 EUR
500+7.13 EUR
1000+6.58 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R3-120PSNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11384 pF @ 60 V
auf Bestellung 2222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
57+9.65 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R3-120PSNexperiaMOSFET N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R4-30MLD,115Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R4-30MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 15 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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