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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
APT75GN120JDQ3MICROSEMIISOTOP/IGBT APT75GN120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GN120JDQ3GMicrosemi CorporationDescription: IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP
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APT75GN120JNQ3APT57A/1200V/IGBT/1U
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GN120LGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 75 A TO-264
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.43 EUR
10+29.37 EUR
25+28.3 EUR
100+24.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GN120LGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 200A 833W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35.34 EUR
10+32.01 EUR
25+30.5 EUR
50+29.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GN120LGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 200A 833W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GN120LGMicrochip TechnologyDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 200A TO264
Test Condition: 800V, 75A, 1Ohm, 15V
Switching Energy: 8620µJ (on), 11400µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/620ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Power - Max: 833 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Part Status: Active
Gate Charge: 425 nC
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.38 EUR
100+23.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GN120LGMICROSEMITO264/1200 V FIELD STOP TRENCH GATE LOW APT75GN120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GN60B2DQ3GMicrosemi CorporationDescription: IGBT 600V 155A 536W TO264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GN60BDQ2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GN60BDQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT TRENCH FS 600V 155A TO-247
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 536 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 155 A
Gate Charge: 485 nC
Test Condition: 400V, 75A, 1Ohm, 15V
Switching Energy: 2.5mJ (on), 2.14mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/385ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Input Type: Standard
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GN60BGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 75 A TO-247
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.46 EUR
25+11.9 EUR
100+10.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GN60BGMicrochip TechnologyDescription: IGBT TRENCH FS 600V 155A TO247
Power - Max: 536 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 155 A
Gate Charge: 485 nC
Test Condition: 400V, 75A, 1Ohm, 15V
Switching Energy: 2500µJ (on), 2140µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/385ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GN60BGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 155A 536mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GN60LDQ3GMicrochip TechnologyDescription: IGBT TRENCH FS 600V 155A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-264 (L)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/385ns
Switching Energy: 2500µJ (on), 2140µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 485 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 155 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 536 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GN60LDQ3GMicrosemiIGBT 600V 155A 536W TO264 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GN60LDQ3GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 155A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GN60LDQ3GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 155A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+29.25 EUR
25+23.12 EUR
50+21.88 EUR
100+20.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GN60LDQ3GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GN60LDQ3GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 155A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GN60SDQ2GMicrosemiTrans IGBT Chip N-CH 600V 155A 536000mW 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GN60SDQ2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-268
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GN60SDQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT TRENCH FS 600V 155A D3PAK
Power - Max: 536 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Packaging: Tube
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 155 A
Gate Charge: 485 nC
Test Condition: 400V, 75A, 1Ohm, 15V
Switching Energy: 2.5mJ (on), 2.14mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/385ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: D3Pak
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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APT75GP120B2
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT75GP120B2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 75 A TO-247 MAX
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APT75GP120B2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 1200V 100A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/163ns
Switching Energy: 1620µJ (on), 2500µJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 320 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 1042 W
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.99 EUR
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APT75GP120B2GAPTTO-247_max Транзистори
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APT75GP120B2G
Produktcode: 219401
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GP120B2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 1042W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GP120JMICROSEMIISTOP 4/128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT APT75GP120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT75GP120J
Produktcode: 101781
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Zolltarifnummer: 8541 29 00 10
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GP120JMicrochip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 1200V 128A 543W 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GP120JMicrochip TechnologyIGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 75 A SOT-227
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GP120JMicrosemiIGBT 1200V 128A 543W SOT227 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GP120JMicrochip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.04 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 543 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 128 A
IGBT Type: PT
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+78.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GP120JDF3
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GP120JDQ3Microchip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 1200V 128A 543W 4-Pin SOT-227 Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+142.26 EUR
3+120.62 EUR
10+107.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GP120JDQ3Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 75 A SOT-227
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+84.55 EUR
10+78.62 EUR
25+76.64 EUR
100+71.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GP120JDQ3Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.04 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1.25 mA
Power - Max: 543 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 128 A
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+84.61 EUR
100+68.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GP120JDQ3MicrosemiIGBT 1200V 128A 543W SOT227 Транзистори
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+185.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GP120JDQ3Microchip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 1200V 128A 543W 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GP120JDQ3
Produktcode: 38098
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 3,3 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 128 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 57 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 543 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 20/165
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GP120JDQ3MICROSEMIAPT75GP120JDQ3 APT75GP120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GP120JDQ3Microchip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 1200V 128A 543W 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GP120JSC30Microchip TechnologyDescription: IGBT PT MOS 7 COMBI 1200 V 75 A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GP120JSC30Microchip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 75 A SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GT120JRDQ3MicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GT120JRDQ3MICROSEMIISOTOP/Thunderbolt IGBT APT75GT120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GT120JRDQ3Microchip TechnologyIGBTs IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 75 A SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GT120JRDQ3
Produktcode: 47971
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GT120JRDQ3Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 97A 480W ISOTOP
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Power - Max: 480 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 97 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GT120JU2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.34 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 416 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Bulk
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+64.78 EUR
100+53.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GT120JU2Microchip TechnologyIGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GT120JU3Microchip TechnologyIGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75GT120JU3Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75M50B2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: T-MAX™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75M50B2MicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS8
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75M50LMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 500V, TO-264
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.3 EUR
100+25.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75M50LMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 500V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.79 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75M50LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 75A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 (L)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.13 EUR
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APT77H60JAPT77A/600V/MOS/1U
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APT77N60BC6Microchip TechnologyMOSFETs MOSFET Superjunction 600 V 77 A TO-247
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APT77N60BC6Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 77A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.96mA
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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APT77N60JC3Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 77A ISOTOP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOTOP®
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+73.97 EUR
100+60.05 EUR
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APT77N60JC3MICROSEMISOT227/Super Junction MOSFET APT77N60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT77N60JC3Microchip TechnologyMOSFET Modules MOSFET SUPERJUNCTION 600 V 77 A SOT-227
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+74.77 EUR
250+64.63 EUR
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APT77N60SC6Microchip TechnologyMOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 77 A TO-268
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APT77N60SC6Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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APT77N60SC6Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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APT77N60SC6/TRMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.96mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
400+24.55 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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APT77N60SC6/TRMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.96mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.42 EUR
100+28.23 EUR
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APT7F100BMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 7A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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APT7F100BMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS8 1000 V 7 A TO-247
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.72 EUR
100+6.66 EUR
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APT7F100BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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APT7F120BMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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APT7F120BMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS 8 1200 V 7 A TO-247
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.76 EUR
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APT7F120BMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS8
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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APT7F120SMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS8 1200 V 7 A TO-268
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.52 EUR
100+9.95 EUR
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APT7F120SMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 7A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 335W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.72 EUR
100+11.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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APT7F120SMicrosemiТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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APT7F80KMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS8
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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APT7F80KMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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APT7M120BMicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS8
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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APT7M120BMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS 8 1200 V 7 A TO-247
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.38 EUR
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APT7M120BMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 335W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.34 EUR
100+7.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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APT7M120SMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D3Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 335W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT7M120SMicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS8
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT7M120SMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS 8 1200 V 7 A TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT8011JFLLMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 51A ISOTOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Supplier Device Package: ISOTOP®
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 25.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT8011JFLLMicrochip TechnologyMOSFET Modules FREDFET MOS7 800 V 11 Ohm SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT8011JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 800V 51A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT8011JLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 800V 51A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT8011JLLMICROSEMISOT227/POWER MOSFET - MOS7 APT8011
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT8011JLLMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 51A ISOTOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 25.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Supplier Device Package: ISOTOP®
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+176.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT8011JLLMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, MOSFET, 800V, 0.11_OHM, SOT-227
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT8014JFLLMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS7 800 V 14 Ohm SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT8014JLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 800V 42A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT8014JLLMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 42A ISOTOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7238 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOTOP®
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT8014JLLMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 800V, 0.14_OHM, SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT8014JLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 800V 42A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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