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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BUK9E6R1-100E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17.46 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
182+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9E8R5-40E,127Rochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9E8R5-40E,127NexperiaMOSFET BUK9E8R5-40E/I2PAK/STANDARD MA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9E8R5-40E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9GTHP-55PJTR,51NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 55V 28SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9J0R9-40HXNexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 40V 220A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9J0R9-40HXNexperia USA Inc.Description: BUK9J0R9-40H/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Grade: Automotive
Vgs (Max): +16V, -10V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9J0R9-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9J0R9-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 220 A, 760 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 220
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SOT-1023
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 760
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.66
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K12-60E/1XNexperia USA Inc.Description: MOSFET 60V 35A LFPAK56D
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K12-60E/1XNexperiaBUK9K12-60E/1X
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+3.14 EUR
500+2.77 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K12-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K12-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K12-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 35A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 8642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.13 EUR
10+3.3 EUR
50+2.51 EUR
100+2.25 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K12-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K12-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 35A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.59 EUR
4500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K12-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K12-60EXNexperiaMOSFETs SOT1205 2NCH 60V 35A
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.57 EUR
10+2.93 EUR
100+2.01 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.45 EUR
1500+1.37 EUR
3000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K12-80LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K12-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 51 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K12-80LXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+3.08 EUR
100+2.14 EUR
500+1.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K12-80LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K12-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 51 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 51A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.59 EUR
45+5.18 EUR
100+2.95 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K12-80LXNexperia USA Inc.Description: BUK9K12-80L/SOT1205/LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4441pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 140µA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.25 EUR
10+2.73 EUR
100+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K12-80LXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin LFPAK-D
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K12-80LXNexperia USA Inc.Description: BUK9K12-80L/SOT1205/LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4441pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 140µA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-40HXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+1.96 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 46W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K13-40HX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0136 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0136ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.36 EUR
500+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-40HXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A; 46W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 169A
Power dissipation: 46W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K13-40HX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0136 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0136ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.38 EUR
62+3.78 EUR
100+2.36 EUR
500+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 46W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.28 EUR
12+1.75 EUR
100+1.2 EUR
500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-60EXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 33A; Idm: 190A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 28.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 64W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-60EXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4 EUR
10+2.53 EUR
100+1.71 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.96 EUR
3000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.97 EUR
10+2.53 EUR
50+1.92 EUR
100+1.71 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R
auf Bestellung 64500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
435+1.49 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.19 EUR
10000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 435 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-60RAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 64W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 10A, 10V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.09 EUR
160+1.06 EUR
163+1.02 EUR
166+0.99 EUR
250+0.95 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-60RAXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.13 EUR
10+3.33 EUR
100+2.28 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-60RAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K13-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.009ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.25 EUR
116+2 EUR
122+1.76 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-60RAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 13216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.16 EUR
10+2.84 EUR
100+2.03 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+1.11 EUR
158+1.06 EUR
160+1 EUR
163+0.94 EUR
166+0.89 EUR
250+0.84 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-60RAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K13-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.009ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.25 EUR
116+2 EUR
122+1.76 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K13-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K134-100EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K134-100EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.14 EUR
162+1.44 EUR
237+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K134-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K134-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 8.5A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 159mOhm @ 5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
15+1.45 EUR
50+1.08 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K134-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K134-100EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K134-100EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.14 EUR
162+1.44 EUR
237+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K134-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 8.5A LFPAK56D
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 159mOhm @ 5A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 32W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K134-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K134-100EXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.5A; Idm: 34A; 32W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±10V
Drain current: 8.5A
Gate charge: 7.4nC
On-state resistance: 154mΩ
Power dissipation: 32W
Pulsed drain current: 34A
Case: LFPAK56D; SOT1205
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K134-100EXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.56 EUR
10+1.57 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K17-60E/1XNexperia USA Inc.Description: MOSFET 60V 26A LFPAK56D
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2223pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K17-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 26A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2223pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 8149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
12+1.84 EUR
50+1.38 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K17-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 26A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K17-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K17-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.0124 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0124ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.4 EUR
200+1.9 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K17-60EXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 26A; Idm: 148A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 53W
Case: LFPAK56D; SOT1205
On-state resistance: 15.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K17-60EXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 1083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.52 EUR
10+2.15 EUR
100+1.43 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K17-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 26A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2223pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.83 EUR
4500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K17-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 26A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K17-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K17-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.0124 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0124ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.47 EUR
74+3.15 EUR
90+2.4 EUR
200+1.9 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K17-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 26A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K18-40E,115NexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 11781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.77 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.82 EUR
1500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K18-40E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1061pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 38W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.53 EUR
14+1.59 EUR
50+1.19 EUR
100+1.06 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K18-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.09 EUR
182+0.92 EUR
183+0.88 EUR
219+0.7 EUR
250+0.67 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K18-40E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K18-40E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.52 EUR
134+1.74 EUR
203+1.06 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K18-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K18-40E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1061pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 38W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K18-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K18-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
282+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 282 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K18-40E,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 24A; Idm: 124A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 124A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K20-80EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K20-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 23 A, 23 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.67 EUR
40+5.81 EUR
100+3.32 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K20-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K20-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K20-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.26 EUR
108+1.55 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
1500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K20-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3462pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
10+3.03 EUR
50+2.3 EUR
100+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K20-80EXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 16A; Idm: 92A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 68W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K20-80EXNexperiaMOSFETs BUK9K20-80E/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 3865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+2.81 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.5 EUR
1500+1.33 EUR
9000+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K20-80EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K20-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 23 A, 23 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K20-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K20-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+3.44 EUR
500+3.05 EUR
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K20-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3462pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 68W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K22-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 21A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K22-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 80V 21A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3115pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 64W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K22-80EXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 15A; Idm: 84A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 54.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K22-80EXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 2401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K22-80EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 5095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.04 EUR
43+5.43 EUR
100+3.08 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.38 EUR
5000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K22-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 80V 21A LFPAK56D
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3115pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 64W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 1174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.98 EUR
10+2.27 EUR
100+1.74 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K22-80EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K22-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 21 A, 21 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 5095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.08 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.38 EUR
5000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K25-40E/1XNexperia USA Inc.Description: MOSFET 40V 18.2A LFPAK56D
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K25-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K25-40EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.75 EUR
203+1.14 EUR
228+0.94 EUR
260+0.82 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K25-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 18.2A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
666+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
10000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 666 Stücke
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BUK9K25-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K25-40EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.75 EUR
203+1.14 EUR
228+0.94 EUR
260+0.82 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
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BUK9K25-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 2756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.93 EUR
18+1.2 EUR
50+0.89 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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BUK9K25-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 18.2A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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