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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BUK9K25-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 18.2A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
666+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 666 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K25-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 32W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K25-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K25-40EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.75 EUR
203+1.14 EUR
228+0.94 EUR
260+0.82 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K25-40RAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K25-40RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
141+1.54 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K25-40RAXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 2929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.12 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K25-40RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 18.2A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+0.69 EUR
250+0.68 EUR
253+0.65 EUR
256+0.63 EUR
258+0.62 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K25-40RAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K25-40RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.43 EUR
93+2.51 EUR
141+1.54 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K25-40RAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K25-40RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 18.2A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+0.81 EUR
248+0.67 EUR
250+0.64 EUR
253+0.61 EUR
256+0.58 EUR
258+0.55 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K25-40RAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.36 EUR
10+2.13 EUR
50+1.59 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K29-100E
Produktcode: 215729
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NexperiaTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-1205
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 30 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 25,1 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2727/54
Bemerkung: Dualer N-Kanal TrenchMOS Logikpegel-FET
Montage: SMD
auf Bestellung: 25 St.
  • 25 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+6.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K29-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3491pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.15 EUR
4500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K29-100E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K29-100E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.0227 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0227ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0227ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.3 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K29-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K29-100E,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 21A; Idm: 118A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 118A
Power dissipation: 68W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K29-100E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K29-100E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.0227 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0227ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0227ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.45 EUR
62+3.76 EUR
100+2.3 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K29-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3491pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.88 EUR
10+2.48 EUR
50+1.86 EUR
100+1.67 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K29-100E,115NexperiaMOSFETs BUK9K29-100E/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 1227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4 EUR
10+2.51 EUR
100+1.65 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.17 EUR
1500+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K29-100E/1XNexperia USA Inc.Description: MOSFET 100V 30A LFPAK56D
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3637pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K30-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 17A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K30-80EXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 12A; Idm: 68A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 53W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K30-80EXNexperiaMOSFETs BUK9K30-80E/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.96 EUR
10+2.4 EUR
100+1.82 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.12 EUR
1500+1.02 EUR
3000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K30-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K30-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K31-100LXNexperia USA Inc.Description: BUK9K31-100L/SOT1205/LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 50µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.7mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 43W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K31-100LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K31-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0317 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0317ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.77 EUR
58+4.03 EUR
100+2.51 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K31-100LXNexperia USA Inc.Description: BUK9K31-100L/SOT1205/LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 50µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.7mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 43W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.38 EUR
10+2.8 EUR
50+2.12 EUR
100+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K31-100LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K31-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0317 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K31-100LXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.57 EUR
100+1.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K32-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K32-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 26A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3168pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K32-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
528+0.32 EUR
537+0.31 EUR
545+0.3 EUR
554+0.27 EUR
563+0.26 EUR
573+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 528 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K32-100EXNexperiaMOSFETs SOT1205 100V 26A N-C H
auf Bestellung 2024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.18 EUR
100+1.46 EUR
500+1.15 EUR
1000+1 EUR
3000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K32-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
545+0.32 EUR
554+0.31 EUR
563+0.3 EUR
573+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 545 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K32-100EXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 19A; Idm: 106A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 106A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 91mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K32-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K32-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 26A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3168pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 2342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.47 EUR
10+2.21 EUR
50+1.67 EUR
100+1.49 EUR
500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K32-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-100LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K35-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.38 EUR
74+3.15 EUR
111+1.95 EUR
500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-100LXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.25 EUR
10+2.03 EUR
100+1.34 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-100LXNexperia USA Inc.Description: BUK9K35-100L/SOT1205/LFPAK56D
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 50µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 42W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-100LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K35-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
111+1.95 EUR
500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-100LXNexperia USA Inc.Description: BUK9K35-100L/SOT1205/LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 50µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 42W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.45 EUR
10+2.19 EUR
50+1.64 EUR
100+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60ENexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+1.01 EUR
186+0.89 EUR
188+0.86 EUR
210+0.74 EUR
250+0.7 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
3000+0.56 EUR
6000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.56 EUR
14+1.61 EUR
50+1.19 EUR
100+1.06 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.8 EUR
89+2.62 EUR
129+1.67 EUR
500+1.34 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60E,115NexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 1224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.92 EUR
10+1.8 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 315000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
852+0.76 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 852 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.93 EUR
188+0.9 EUR
210+0.8 EUR
250+0.76 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.63 EUR
6000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
129+1.67 EUR
500+1.34 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60RAXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 16A; Idm: 90A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60RAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 38W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60RAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K35-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0268ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0268ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.12 EUR
117+2 EUR
154+1.39 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+0.8 EUR
217+0.79 EUR
228+0.73 EUR
250+0.7 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60RAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.73 EUR
13+1.73 EUR
50+1.29 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+0.84 EUR
216+0.77 EUR
217+0.74 EUR
228+0.68 EUR
250+0.64 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60RAXNexperiaMOSFETs SOT1205 2NCH 60V 22A
auf Bestellung 17136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.87 EUR
24000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60RAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K35-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0268ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0268ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.32 EUR
137+1.57 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K45-100ENexperiaMosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 21A 53W Surface Mount LFPAK56D Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K45-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
333+0.51 EUR
347+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 333 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K45-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
12+1.81 EUR
50+1.34 EUR
100+1.2 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K45-100E,115NexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.12 EUR
100+1.38 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K45-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K45-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
347+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 347 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K45-100E,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 15A; Idm: 83A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 83A
Power dissipation: 53W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 124mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 1066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+1.54 EUR
62+1.38 EUR
65+1.31 EUR
100+1.26 EUR
250+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K45-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 53W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K45-100E115NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK9K45-100E - DUAL
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K49-80LXNexperia BUK9K49-80L/SOT1205/LFPAK56D
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K49-80LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K49-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 17 A, 0.0485 ohm
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0485ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.34 EUR
104+2.07 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K49-80LXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 30µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48.5mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 32W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.67 EUR
10+2.33 EUR
50+1.75 EUR
100+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K49-80LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K49-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 17 A, 0.0485 ohm
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0485ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.47 EUR
88+2.64 EUR
131+1.64 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K49-80LXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 30µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48.5mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 32W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K52-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.8 EUR
167+1.39 EUR
201+1.07 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60E,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 16A; Idm: 64A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 32W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
18+1.19 EUR
50+0.88 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60E,115NexperiaMOSFETs BUK9K52-60E/SOT1205/LFPAK56D
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K52-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.8 EUR
167+1.39 EUR
201+1.07 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
675+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 675 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 32W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.51 EUR
4500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
283+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 283 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60RAXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 11A; Idm: 64A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 32W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 124mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60RAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
15+1.45 EUR
50+1.08 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+0.73 EUR
249+0.67 EUR
250+0.64 EUR
252+0.61 EUR
262+0.56 EUR
265+0.54 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60RAXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.12 EUR
100+1.44 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60RAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K52-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
279+0.89 EUR
280+0.83 EUR
281+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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