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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BUK9K31-100LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K31-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0317 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K31-100LXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.57 EUR
100+1.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K31-100LXNexperia USA Inc.Description: BUK9K31-100L/SOT1205/LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 50µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.7mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 43W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.38 EUR
10+2.8 EUR
50+2.12 EUR
100+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K31-100LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K31-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0317 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0317ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.77 EUR
58+4.03 EUR
100+2.51 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K31-100LXNexperia USA Inc.Description: BUK9K31-100L/SOT1205/LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 50µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.7mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 43W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K32-100EXNexperiaMOSFETs SOT1205 100V 26A N-C H
auf Bestellung 2024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.18 EUR
100+1.46 EUR
500+1.15 EUR
1000+1 EUR
3000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K32-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 26A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3168pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K32-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K32-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
528+0.33 EUR
537+0.32 EUR
545+0.3 EUR
554+0.29 EUR
563+0.27 EUR
573+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 528 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K32-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
545+0.32 EUR
554+0.31 EUR
563+0.3 EUR
573+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 545 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K32-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 26A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3168pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
10+2.69 EUR
100+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K32-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K32-100EXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 19A; Idm: 106A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 106A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 91mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K32-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-100LXNexperia USA Inc.Description: BUK9K35-100L/SOT1205/LFPAK56D
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 50µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 42W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-100LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K35-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.38 EUR
74+3.15 EUR
111+1.95 EUR
500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-100LXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.25 EUR
10+2.03 EUR
100+1.34 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-100LXNexperia USA Inc.Description: BUK9K35-100L/SOT1205/LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 50µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 42W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.45 EUR
10+2.19 EUR
50+1.64 EUR
100+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-100LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K35-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
111+1.95 EUR
500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60ENexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
14+1.56 EUR
100+1.04 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+1.04 EUR
186+0.92 EUR
188+0.87 EUR
210+0.75 EUR
250+0.71 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.57 EUR
6000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
129+1.67 EUR
500+1.34 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1454 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 315000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
852+0.77 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 852 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.95 EUR
188+0.93 EUR
210+0.81 EUR
250+0.79 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.68 EUR
3000+0.64 EUR
6000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K35-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.8 EUR
89+2.62 EUR
129+1.67 EUR
500+1.34 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60E,115NexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 1224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.92 EUR
10+1.8 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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BUK9K35-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60RAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 38W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60RAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K35-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0268ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0268ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.32 EUR
137+1.57 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BUK9K35-60RAXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 16A; Idm: 90A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K35-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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BUK9K35-60RAXNexperiaMOSFETs SOT1205 2NCH 60V 22A
auf Bestellung 17136 Stücke:
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4+0.88 EUR
10+0.87 EUR
24000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BUK9K35-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+0.82 EUR
217+0.8 EUR
228+0.75 EUR
250+0.73 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
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BUK9K35-60RAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
100+1.21 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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BUK9K35-60RAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K35-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 22 A, 22 A, 0.0268 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0268ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0268ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.12 EUR
117+2 EUR
154+1.39 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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BUK9K35-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+0.87 EUR
216+0.79 EUR
217+0.75 EUR
228+0.69 EUR
250+0.65 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
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BUK9K45-100ENexperiaMosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 21A 53W Surface Mount LFPAK56D Транзистори
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BUK9K45-100E,115NexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 67 Stücke:
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1+3.42 EUR
10+2.12 EUR
100+1.38 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.93 EUR
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BUK9K45-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
333+0.52 EUR
347+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 333 Stücke
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BUK9K45-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.57 EUR
18+1.19 EUR
100+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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BUK9K45-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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BUK9K45-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
347+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 347 Stücke
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BUK9K45-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 53W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K45-100E,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 15A; Idm: 83A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 83A
Power dissipation: 53W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 124mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 1066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+1.54 EUR
62+1.38 EUR
65+1.31 EUR
100+1.26 EUR
250+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K45-100E115NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK9K45-100E - DUAL
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
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BUK9K49-80LXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 30µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48.5mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 32W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.67 EUR
10+2.33 EUR
50+1.75 EUR
100+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K49-80LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K49-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 17 A, 0.0485 ohm
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0485ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.34 EUR
104+2.07 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K49-80LXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 30µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48.5mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 32W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K49-80LXNexperia BUK9K49-80L/SOT1205/LFPAK56D
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K49-80LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K49-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 17 A, 0.0485 ohm
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0485ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.68 EUR
70+3.34 EUR
104+2.07 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K52-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.8 EUR
167+1.39 EUR
201+1.07 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60E,115NexperiaMOSFETs BUK9K52-60E/SOT1205/LFPAK56D
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.87 EUR
18+1.17 EUR
100+0.76 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60E,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 16A; Idm: 64A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 32W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K52-60E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.8 EUR
167+1.39 EUR
201+1.07 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
675+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 675 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 32W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.5 EUR
3000+0.45 EUR
4500+0.44 EUR
7500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+0.74 EUR
249+0.68 EUR
250+0.65 EUR
252+0.62 EUR
262+0.57 EUR
265+0.55 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60RAXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 11A; Idm: 64A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 32W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 124mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60RAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K52-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
279+0.89 EUR
280+0.83 EUR
281+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60RAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60RAXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.12 EUR
100+1.44 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60RAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K52-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
279+0.89 EUR
280+0.83 EUR
281+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60RAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
283+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 283 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K52-60RAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
11+1.96 EUR
100+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K5R1-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 10A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K5R1-30EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K5R1-30EXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+3.09 EUR
100+2.12 EUR
500+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K5R1-30EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K5R1-30EXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 40A; Idm: 329A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 329A
Power dissipation: 68W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K5R1-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 10A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.76 EUR
10+3.06 EUR
100+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K5R6-30EXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 2910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.55 EUR
10+2.92 EUR
100+2 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K5R6-30EXNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 40A; Idm: 305A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 305A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K5R6-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K5R6-30EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K5R6-30EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K5R6-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.49 EUR
10+2.88 EUR
100+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K61-100LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K61-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.0601 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.67 EUR
131+1.64 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K61-100LXNexperia USA Inc.Description: BUK9K61-100L/SOT1205/LFPAK56D
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 30µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60.1mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 32W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.95 EUR
12+1.86 EUR
50+1.39 EUR
100+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K61-100LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9K61-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.0601 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0601ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.59 EUR
87+2.67 EUR
131+1.64 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K61-100LXNexperia USA Inc.Description: BUK9K61-100L/SOT1205/LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 30µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60.1mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 32W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K61-100LXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 1168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+1.95 EUR
100+1.29 EUR
500+1 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K6R2-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K6R2-40E,115NexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+2.48 EUR
100+1.65 EUR
500+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K6R2-40E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3281pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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BUK9K6R2-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R
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BUK9K6R2-40E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3281pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
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