Produkte > BSC
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| BSC016N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC016N06NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 139W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm | auf Bestellung 22439 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC016N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4073 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC016N06NSATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC016N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4968 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC016N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC016N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC016N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 85000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC016N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 35403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC016N06NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS | auf Bestellung 28894 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC016N06NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 139W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm | auf Bestellung 22439 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC016N06NSSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V | auf Bestellung 4647 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC016N06NSSCATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC016N06NSSCATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC016N06NSSCATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 7813 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC016N06NSSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC016N06NSSCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC016N06NSSCATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 7813 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC016N06NSSCATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC016N06NSSCATMA2 | Infineon Technologies | IFX FET 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC016N06NSSCATMA2 | Infineon Technologies | Description: BSC016N06NSSCATMA2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC016N06NSTATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC016N06NSTATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 167W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm | auf Bestellung 5039 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC016N06NSTATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC016N06NSTATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 8500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC016N06NSTATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 8500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC016N06NSTATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC016N06NSTATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | auf Bestellung 1807 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC016N06NSTATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 FL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 FL On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC016N06NSTATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 6770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC016N06NSTATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 167W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm | auf Bestellung 5039 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC016N06NSTATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V | auf Bestellung 13615 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC016N06NSTATMA1 Produktcode: 170205
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC016N06NSTATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC017N04NS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 2160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC017N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC017N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC017N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC017N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC018N04LS G Produktcode: 214672
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC018N04LS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 9890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC018N04LSG | Infineon technologies | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC018N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC018N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V | auf Bestellung 17582 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC018N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC018N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 1276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC018N04LSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC018N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm | auf Bestellung 4912 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC018N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC018N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 1276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC018N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC018N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 3745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC018N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC018N04LSGXT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC018NE2LS | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC018NE2LS | Infineon | N-MOSFET 25V 29A 1.8mΩ BSC018NE2LSI, BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LS Infineon TBSC018ne2ls Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSC018NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V | auf Bestellung 5135 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC018NE2LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 1800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 153A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 5032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC018NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC018NE2LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 1800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 153A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 5032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC018NE2LSI | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS | auf Bestellung 48286 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC018NE2LSIATMA1 Produktcode: 109878
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| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC018NE2LSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4049 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC018NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC018NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 9250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC018NE2LSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC018NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 7700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC018NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC018NE2LSIXT | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC019N02KS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2 | auf Bestellung 15351 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC019N02KSG | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 30A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC019N02KSG | Infineon | N-MOSFET 20V 100A BSC019N02KSGAUMA1 BSC019N02KSG Infineon TBSC019n02ksg Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSC019N02KSGAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC019N02KSGAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC019N04LS | Infineon | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC019N04LS | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 40V | auf Bestellung 2455 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC019N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC019N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC019N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V | auf Bestellung 4115 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC019N04LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC019N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R | auf Bestellung 212 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC019N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC019N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 40V | auf Bestellung 4767 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC019N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC019N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R | auf Bestellung 212 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC019N04LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC019N04LSTATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC019N04LSTATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC019N04LSTATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 161A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA | auf Bestellung 4989 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC019N04LSTATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 161A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC019N04NS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 11671 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC019N04NSG | Infineon Technologies | Description: BSC019N04 - 12V-300V N-CHANNEL P | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC019N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V | auf Bestellung 3702 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC019N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC019N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC019N04NSGATMA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP BSC019N04NSGATMA1 TBSC019n04ns Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSC019N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC019N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC019N06NS | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP Tape | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC019N06NS | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC019N06NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm | auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 86 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |