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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FF600R17KF6C_B2Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.7KV 975A
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FF600R17ME4InfineonEconoDUAL™ 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop GBT4, Emitter Controlled Diode and NTC Силові IGBT-модулі
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FF600R17ME4Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 600 A dual IGBT module
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FF600R17ME4B11BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 950A 11-Pin AG-ECONOD-5 Tray
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 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FF600R17ME4B11BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 950A 11-Pin AG-ECONOD-5 Tray
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+541.82 EUR
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FF600R17ME4B11BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 48 nF @ 25 V
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FF600R17ME4B11BPSA1Infineon TechnologiesFF600R17ME4B11BPSA1
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FF600R17ME4B11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 600 A dual IGBT module
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FF600R17ME4B11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 950A AG-ECONOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 950 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 48 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FF600R17ME4BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 48 nF @ 25 V
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FF600R17ME4BOSA1Infineon TechnologiesDiode Module with Chopper-IGBT
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+451.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FF600R17ME4BOSA1
Produktcode: 222020
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FF600R17ME4BOSA1Infineon TechnologiesDiode Module with Chopper-IGBT
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+372.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FF600R17ME4BOSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF600R17ME4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 950 A, 1.95 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 950A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 950A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+621.57 EUR
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FF600R17ME4BOSA1Infineon TechnologiesDiode Module with Chopper-IGBT
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+415.21 EUR
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FF600R17ME4BOSA1Infineon TechnologiesDiode Module with Chopper-IGBT
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FF600R17ME4BOSA1Infineon TechnologiesDiode Module with Chopper-IGBT
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+516.58 EUR
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FF600R17ME4BOSA1Infineon TechnologiesDiode Module with Chopper-IGBT
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+415.21 EUR
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FF600R17ME4BOSA1Infineon TechnologiesDiode Module with Chopper-IGBT
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FF600R17ME4PInfineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 600 A dual IGBT module
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 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FF600R17ME4PB11BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 600A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 48 nF @ 25 V
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+474.24 EUR
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FF600R17ME4PB11BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 600A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 48 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FF600R17ME4PBOSA1Infineon TechnologiesEconoDUAL3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC / pre-applied Thermal Interface Material
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+389.3 EUR
25+372.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FF600R17ME4PBOSA1Infineon TechnologiesEconoDUAL3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC / pre-applied Thermal Interface Material
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 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FF600R17ME4PBOSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
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 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FF600R17ME4PBOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 600A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 48 nF @ 25 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+427.72 EUR
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FF600R17ME4PBOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
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FF600R17ME4PBOSA1Infineon TechnologiesEconoDUAL3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC / pre-applied Thermal Interface Material
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FF600R17ME4PBOSA1Infineon TechnologiesEconoDUAL3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC / pre-applied Thermal Interface Material
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 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FF600R17ME4PBOSA1
Produktcode: 222019
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF600R17ME4PBOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 600A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 48 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF600R17ME4P_B11Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 600 A dual IGBT module
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF600R17ME4_B11Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
Produkt ist nicht verfügbar
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FF600R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 600A 11-Pin AG-ECONOD Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF600R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 600A AG-ECONOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONOD
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+381.26 EUR
10+361.37 EUR
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FF600R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 600A 11-Pin AG-ECONOD Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF600R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 600 A dual IGBT module
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+483.01 EUR
10+386.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF600R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 600A 11-Pin AG-ECONOD Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+150.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF600R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 600A 11-Pin AG-ECONOD Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+150.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF600R17ME7B11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF600R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+447.2 EUR
5+406.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF600R25KF1EUPECMODULE
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF60UP30DN Transistor
Produktcode: 88358
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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FF6122
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FF630Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 630A 550VAC/400VDC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF630Bussmann / EatonSpecialty Fuses 630AMP 550VAC/400VDC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF650R12IP4InfineonСилові IGBT-модулі
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF650R17IE4Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.7KV 930A
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+934.21 EUR
12+857.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF650R17IE4B60BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 650 A dual IGBT module
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF650R17IE4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+675.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF650R17IE4BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 4150W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 4150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+741.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF650R17IE4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF650R17IE4BOSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF650R17IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 4.15kW
Verlustleistung: 4.15kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 930A
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 930A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+742.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF650R17IE4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+739.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF650R17IE4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+906.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF650R17IE4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1002.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF650R17IE4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF650R17IE4DB2BOSA1InfineonFF650R17IE4DB2BOSA1 FF650R17IE4D_B2 IGBT Module 2 Independent 1700 V 4150 W Chassis Mount Module Силові IGBT-модулі
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF650R17IE4DB2BOSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF650R17IE4DB2BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 650 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 4
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 4.15
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Zweifach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 650
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1143.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF650R17IE4DB2BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF650R17IE4DB2BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+920.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF650R17IE4DB2BOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules PP IHM I
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF650R17IE4DB2BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 4150W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 4150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+910.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF650R17IE4DB2BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+920.33 EUR
25+879.97 EUR
100+834.21 EUR
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FF650R17IE4DPB2BOSA1Infineon TechnologiesTrench Field Stop IGBT Module
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FF650R17IE4DPB2BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 650A
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 650 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+942.34 EUR
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FF650R17IE4DPB2BOSA1Infineon TechnologiesTrench Field Stop IGBT Module
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FF650R17IE4DP_B2Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 650 A dual IGBT module
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FF650R17IE4D_B2
Produktcode: 147892
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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FF650R17IE4D_B2Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT 1700V 650A
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FF650R17IE4PInfineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 650 A dual IGBT module
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FF650R17IE4PB60BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 650 A dual IGBT module
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FF650R17IE4PB60BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 930A 4150W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
NTC Thermistor: Yes
Current - Collector (Ic) (Max): 930 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 4150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FF650R17IE4PBOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 650A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 650 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54000 pF @ 25 V
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+946.5 EUR
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FF650R17IE4VInfineon TechnologiesIGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV
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FF650R17IE4VBOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 4150W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 4150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FF680N22,510X2Iskra KondensatorjiFF680N22,510X2 0,68 мкФ 300 В(AC) 10% Class X2 шаг 22.5 Конденсатори
Produkt ist nicht verfügbar
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FF6MR12KM1BOSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM
auf Bestellung 101 Stücke:
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FF6MR12KM1BOSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 250A 7-Pin Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+779.19 EUR
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FF6MR12KM1BOSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 250A AG-62MM
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.81mOhm @ 250A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA
Supplier Device Package: AG-62MM
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+822.39 EUR
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FF6MR12KM1BOSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF6MR12KM1BOSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 250 A, 1.2 kV, 0.00581 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: CoolSiC C
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00581ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00581ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1234.55 EUR
5+1123.44 EUR
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FF6MR12KM1BOSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 250A AG-62MM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.81mOhm @ 250A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA
Supplier Device Package: AG-62MM
Part Status: Obsolete
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FF6MR12KM1BOSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 250A 7-Pin Tray
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+779.19 EUR
25+745.01 EUR
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FF6MR12KM1HHPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF6MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 140 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+463.09 EUR
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FF6MR12KM1HHPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Module
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+457.67 EUR
10+328.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12KM1HHPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+344.11 EUR
10+320.76 EUR
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FF6MR12KM1HPHPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 175A 7-Pin Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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FF6MR12KM1HPHPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+479.83 EUR
8+343.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12KM1HPHPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 175A 7-Pin Tray
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+386.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12KM1HPHPSA1Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER 62MM
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12KM1HPHPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 175A 7-Pin Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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FF6MR12KM1HPHPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF6MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 175 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+409.41 EUR
5+372.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12KM1PHOSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 375-379 Tag (e)
1+971.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12KM1PHOSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 250A AG-62MM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.81mOhm @ 250A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA
Supplier Device Package: AG-62MM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12KM1PHOSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 250A 7-Pin Tray
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+794.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12KM1PHOSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - FF6MR12KM1PHOSA1 - FFXMR12KM1PH MOSFET N-CHANNEL SINGLE 25
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1023.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12KM1PHOSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 250A 7-Pin Tray
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+794.57 EUR
25+759.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1InfineonСилові діоди, тиристори, діод-тиристорні модулі
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+443.61 EUR
10+416.3 EUR
25+381.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+614.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+523.36 EUR
5+478.73 EUR
10+449.07 EUR
30+430.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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