Produkte > FGH
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| FGH60N60UFDTU_F085 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH60N60UFDTU_F085 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH60N6S2 | onsemi | Description: IGBT 600V 75A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 18ns/70ns Switching Energy: 400µJ (on), 310µJ (off) Test Condition: 390V, 40A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 140 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A Power - Max: 625 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH60N6S2 | onsemi / Fairchild | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Sgl 600V N-Ch | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH60T65 Produktcode: 130492
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| FGH60T65SHD | onsemi | IGBTs FS3TIGBT TO247 60A 650V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH60T65SHD-F155 | onsemi | IGBTs FS3TIGBT TO247 60A 650V | auf Bestellung 849 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH60T65SHD-F155 | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 174W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 102nC Kind of package: tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH60T65SHD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH60T65SHD-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH60T65SHD-F155 - IGBT, 650 V, 60 A FIELD STOP TRENCH SVHC: Lead (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH60T65SHD-F155 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/87ns Switching Energy: 1.69mJ (on), 630µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 102 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 349 W | auf Bestellung 1728 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH60T65SHD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 583 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH60T65SHD-F155 | ONN | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| FGH60T65SQD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH60T65SQD-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH60T65SQD-F155 - IGBT, 120 A, 1.6 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - Verlustleistung: 333W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 120A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH60T65SQD-F155 Produktcode: 166613
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| FGH60T65SQD-F155 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/102ns Switching Energy: 227µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 79 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 333 W | auf Bestellung 315 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH60T65SQD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH60T65SQD-F155 | onsemi | IGBTs 650V 60A FS4 TRENCH | auf Bestellung 507 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH60T65SQD-F155 | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 79nC Kind of package: tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75N60SFTU | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors N-CH/75A 600V FS Planar | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75N60SFTU | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL IGBT Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/138ns Switching Energy: 2.7mJ (on), 1mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 250 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 452 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75N60UF | onsemi | onsemi FSPIGBT TO247 75A 600V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75N60UFTU | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 452000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75N60UFTU | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors N-CH / 600V 75A FS Planar | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75N60UFTU | onsemi | Description: IGBT FIELD STOP 600V 150A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/128ns Switching Energy: 3.05mJ (on), 1.35mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 250 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 452 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75N60UFTU | ON Semiconductor | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| FGH75N60UFTU | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 452000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SHD | onsemi | IGBTs FS3TIGBT TO247 75A 650V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SHD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 262 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH75T65SHD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH75T65SHD-F155 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43.4 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/80ns Switching Energy: 2.4mJ (on), 720µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 123 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 455 W | auf Bestellung 487 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH75T65SHD-F155 | ONN | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| FGH75T65SHD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 94740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH75T65SHD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH75T65SHD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SHD-F155 | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 227W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SHD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH75T65SHD-F155 | onsemi | IGBTs FS3TIGBT TO247 75A 650V | auf Bestellung 1188 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH75T65SHD-F155 | ONS/FAI | IGBT 650V 75A 455W TO-247-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SHD-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH75T65SHD-F155 - IGBT, 650 V, 75 A FIELD STOP TRENCH SVHC: Lead (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SHD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 14480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH75T65SHD-F155 Produktcode: 172511
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| FGH75T65SHD-F155-01 | ON Semiconductor | FGH75T65SHD-F155-01 | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH75T65SHD-F155-01 | ON Semiconductor | FGH75T65SHD-F155-01 | auf Bestellung 127 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH75T65SHDT | onsemi | IGBTs FS3TIGBT TO247 75A 650V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SHDT-F155 | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 227W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SHDT-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH75T65SHDT-F155 - IGBT, 150 A, 1.6 V, 455 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 455W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 150A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH75T65SHDT-F155 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/86ns Switching Energy: 3mJ (on), 750µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 123 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 455 W | auf Bestellung 2052 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH75T65SHDT-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SHDT-F155 | onsemi | IGBTs 650V FS3 Trench IGBT | auf Bestellung 615 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH75T65SHDT-F155-01 | ON Semiconductor | FGH75T65SHDT-F155-01 | auf Bestellung 717 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH75T65SHDTL4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SHDTL4 | onsemi | Description: IGBT FIELD STOP 650V 150A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-4 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 55ns/189ns Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.56mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 126 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 455 W | auf Bestellung 279 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH75T65SHDTL4 | onsemi | IGBTs FS3 TIGBT Excellent switching performan | auf Bestellung 502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH75T65SHDTL4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SHDTL4 | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 227W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SHDTL4 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH75T65SHDTL4 - IGBT, FS-Trench, 150 A, 1.6 V, 455 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - Verlustleistung: 455W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 150A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH75T65SHDTLN4 | onsemi | IGBT Transistors FS3 T TO247 75A 65 | auf Bestellung 309 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH75T65SHDTLN4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SHDTLN4 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH75T65SHDTLN4 - IGBT, 650V, 150A, 175DEG C, 455W, TO-247 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SHDTLN4 | TE Connectivity | TE Connectivity | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SHDTLN4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SHDTLN4 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 36 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-4 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 55ns/189ns Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.56mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 126 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 455 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SHDT_F155 Produktcode: 171976
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| Transistoren > MOSFET N-CH | auf Bestellung: 1 St.
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| FGH75T65SHD_F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SQD | onsemi | IGBTs FS4TIGBT TO247 75A 650V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SQD-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH75T65SQD-F155 - IGBT, N-Kanal, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 150A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH75T65SQD-F155 | ON Semiconductor | auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| FGH75T65SQD-F155 | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 188W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 128nC Kind of package: tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SQD-F155 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Switching Energy: 760µJ (on), 180µJ (off) Gate Charge: 128 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 375 W | auf Bestellung 2073 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH75T65SQD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SQD-F155 | onsemi | IGBTs 650V FS4 Trench IGBT | auf Bestellung 598 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH75T65SQD-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SQD-F155-01 | ON Semiconductor | FGH75T65SQD-F155-01 | auf Bestellung 30600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH75T65SQDNL4 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 200A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 134 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 152 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 375 W | auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH75T65SQDNL4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SQDNL4 | onsemi | IGBTs 650V/75 FAST IGBT | auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH75T65SQDNL4 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH75T65SQDNL4 - IGBT, 200 A, 1.43 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 200A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 1185 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH75T65SQDNL4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SQDNL4 | ON Semiconductor | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| FGH75T65SQDNL4 | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 188W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SQDNL4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH75T65SQDT | onsemi | IGBTs 650V 75A FS4 TRENCH IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SQDT-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH75T65SQDT-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH75T65SQDT-F155 - IGBT, FS-Trench, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 150A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH75T65SQDT-F155 | ONN | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| FGH75T65SQDT-F155 | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 188W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 128nC Kind of package: tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SQDT-F155 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SQDT-F155 | onsemi | IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT | auf Bestellung 496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH75T65SQDT-F155 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off) Test Condition: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 128 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 375 W | auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH75T65SQDTL4 | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 150A; 375W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 150A Power dissipation: 375W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 128nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SQDTL4 | onsemi | IGBTs 650V FS4 Trench IGBT | auf Bestellung 376 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH75T65SQDTL4 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-4 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 44ns/276ns Switching Energy: 307µJ (on), 266µJ (off) Test Condition: 400V, 18.8A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 128 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A | auf Bestellung 278 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH75T65SQDTL4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH75T65SQDTL4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 343 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH75T65SQDTL4 | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SQDTL4 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGH75T65SQDTL4 - IGBT, 650 V, 75 A FIELD STOP TRENCH SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65SQDT_F155 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off) Test Condition: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 128 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 375 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FGH75T65UPD | ON-Semiconductor | Trans IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 375W; 4,0~7,5V; 578nC; -55°C~175°C; Replacement: FGH75T65UPD-F085; FGH75T65UPD-F155; FGH75T65UPD TO247AB TFGH75T65upd Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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