Produkte > StP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP80N240K6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STP80N240K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.197 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K6 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.197ohm | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80N240K6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80N340K6 | STMicroelectronics | Description: DISCRETE Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80N340K6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80N340K6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80N340K6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STP80N340K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.285 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80N340K6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80N340K6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80N450K6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80N450K6 | STMicroelectronics | Description: N-CHANNEL 800 V, 400 MOHM TYP., Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V | auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80N450K6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80N450K6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET | auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80N450K6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STP80N450K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80N55-06 | ST | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| STP80N55L-06 | ST | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| STP80N55L-08 | ST | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| STP80N600K6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80N600K6 | STMicroelectronics | Description: N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP., Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80N600K6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80N600K6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET | auf Bestellung 698 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80N600K6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STP80N600K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.515 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 86W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.515ohm | auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80N600K6 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 15A; 86W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Power dissipation: 86W Case: TO220-3 On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 10.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 15A Gate-source voltage: ±30V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80N6F6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 110A STripFET VI DeepGATE | auf Bestellung 927 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80N6F6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1197 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80N6F6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1197 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80N6F6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO220 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7480 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80N70 | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STP80N70F4 | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STP80N70F4 Produktcode: 140338
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| STP80N70F4 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 68V 85A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 68 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80N70F4 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 68 V, 8.2 mOhm typ., 85 A STripFET DeepGATE Power MOSFET in TO-220 package | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80N70F6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 68V 96A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 68 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80N70F6 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 68V 0.0063Ohm 96A STripFET VI | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80N70G6 | STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80N900K6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STP80N900K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80N900K6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80N900K6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80N900K6 | STMicroelectronics | Description: Linear IC's Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80N900K6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NE03L | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STP80NE03L-06 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80NE03L-06 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±22V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80NE03L-06 | ST | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| STP80NE03L-06 Produktcode: 188620
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STP80NE03L06 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STP80NE06 | ST | 07+; | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80NE06-10 | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STP80NE06-10 | STMicroelectronics | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80NE06-10 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80NF03 | auf Bestellung 474 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STP80NF03L | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 30 Volt 80 Amp | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80NF03L | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STP80NF03L | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80NF03L-04 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80NF03L-04 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 768 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF03L-04 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 5923 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF03L-04 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2023 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF03L-04 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 30V; 80A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ II | auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF03L-04 Produktcode: 165445
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| STP80NF03L-04 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF03L-04 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2025 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF03L-04 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 30 Volt 80 Amp | auf Bestellung 3122 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF03L-04 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF03L-04 | ST | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube STP80NF03L-04 STMicroelectronics TSTP80NF03L-04 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF055-06 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STP80NF055L | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STP80NF06 Produktcode: 62111
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| ST | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 80 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3850/115 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
|
| ||||||||||||||
| STP80NF06 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 60 Volt 80 Amp | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80NF06 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80NF06 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80NF06 | STM | (MFET,N-CH,150W,55V,98A,TO-220AB) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80NF10 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 100 Volt 80 Amp | auf Bestellung 1693 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 799 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1331 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10 | STM | TO220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80NF10 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10 Produktcode: 33804
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 80 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4300/140 Montage: THT ZCODE: 8541290010 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| STP80NF10 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80NF10 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm | auf Bestellung 8919 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10 | ST | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C; STP80NF10 TSTP80NF10 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 453 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10(sihg20n5 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STP80NF10(sihg20n50) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STP80NF10FP Produktcode: 113719
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| STP80NF10FP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 2576 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10FP | ST | N-MOSFET 38A 100V 300W 0.015Ω STP80NF10FP TSTP80NF10fp Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10FP | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF10FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 45W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10FP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 203900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10FP | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 27A; 45W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 27A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10FP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80NF10FP | STMicroelectronics | MOSFETs N Ch 100V 0.012 Ohm 30A | auf Bestellung 2711 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10FP | STM | TO-220FP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80NF10FP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 38A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | auf Bestellung 743 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10FP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10FP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 203898 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF12 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 120V; 60A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ II | auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| STP80NF12 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP80NF12 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 120 Volt 80 Amp | auf Bestellung 1843 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
