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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF7342D2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342D2PBFInternational RectifierMOSFET P-Channe/-55V/3,4A/0,105 Ohm/SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342D2PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 105mOhm 26nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342D2PBF
Produktcode: 28747
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342D2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342D2TRPBFIRSOP8 07+08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342PBFInternational RectifierHEXFETDUALP-CH/-55V/3,4A/0,105Ohm/SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342PBFInfineon TechnologiesMOSFETs DUAL -55V P-CH 20V VGS 55V BVDSS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342PBF
Produktcode: 29394
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
1+1.09 EUR
10+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342PBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342QTRPBFIOR
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TR
Produktcode: 181463
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRInfineonTransistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342TR; IRF7342; IRF7342-GURT; IRF7342 smd; IRF7342TR; IRF7342TR TIRF7342
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRInfineonTransistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342TR; IRF7342; IRF7342-GURT; IRF7342 smd; IRF7342TR; IRF7342TR TIRF7342
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRUMWTransistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342; IRF7342TR; SP001571984; SP001566208; IRF7342TR UMW TIRF7342 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRUMWDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
auf Bestellung 38936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+2.26 EUR
100+1.54 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
2000+1.02 EUR
4000+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.26 EUR
121+1.38 EUR
144+1.12 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.54 EUR
123+1.39 EUR
146+1.15 EUR
250+1.11 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFIRF7342TRPBF Микросхемы
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 188000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.88 EUR
8000+0.86 EUR
12000+0.82 EUR
20000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.28 EUR
114+1.49 EUR
123+1.31 EUR
146+1.06 EUR
250+1.01 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.7 EUR
3000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.8 EUR
12000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineonMOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO Транзистори
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.45 EUR
116+2.01 EUR
150+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
5000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.02 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF
Produktcode: 31772
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
auf Bestellung: 150 St.
  • 150 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.18 EUR
10+1.06 EUR
100+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain current: -3.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -55V
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 2716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+2.18 EUR
63+1.37 EUR
100+0.96 EUR
250+0.86 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 700 Од. в
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.26 EUR
121+1.42 EUR
144+1.17 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.45 EUR
116+2.01 EUR
150+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
5000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 188000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.88 EUR
8000+0.83 EUR
12000+0.8 EUR
20000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 73602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
11+1.96 EUR
50+1.46 EUR
100+1.31 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF/IRIR08+;
auf Bestellung 9100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343IRF7343 Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7343PBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 4.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343PBF
Produktcode: 32395
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 4,7/3,4
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/24
Bemerkung: Zwei Transistoren N+P in einem Gehäuse
Montage: SMD
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
auf Bestellung: 102 St.
  • 102 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.25 EUR
10+1.13 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343PBFIRF7343PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V DUAL N / P CH 20V VGS 55V BVDSS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343PBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 55, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4.7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3,4 А,... Транзистори Корпус: SOICN-8
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 65 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343QTRPBFIOR
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRIR2004
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRUMWTransistor N/P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm/100mOhm; 4,7A/3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7343; IRF7343TR; SP001571976; SP001565516; IRF7343TR UMW TIRF7343 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRHXY MOSFETTransistor N/P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm/115mOhm; 6A/5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7343; IRF7343TR; SP001571976; SP001565516; IRF7343TR HXY MOSFET TIRF7343 HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRUMWDescription: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 3.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V, 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V, 90mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.63 EUR
12000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 264000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.64 EUR
12000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 53598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.71 EUR
12000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFInternational RectifierMOSFET N/P-CH 55V SOIC-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain current: 4.7/-3.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55/-55V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 5552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+2.06 EUR
64+1.34 EUR
100+0.88 EUR
250+0.76 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.58 EUR
4000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 264000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.64 EUR
12000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.63 EUR
12000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
887+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 887 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 48188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.84 EUR
102+2.27 EUR
147+1.46 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.01 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF
Produktcode: 180205
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOIC-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 4,7/3,4 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,043/0,095 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/690/24/26
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.82 EUR
10+0.74 EUR
100+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 55, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3,4 А,... Транзистори Корпус: SOICN-8
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 790 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 16171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.12 EUR
118+1.43 EUR
166+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.51 EUR
12000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 16171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.13 EUR
117+1.48 EUR
165+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.58 EUR
12000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 55278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.83 EUR
12+1.78 EUR
50+1.33 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF734LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 4.9A I2PAK
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF734PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220AB
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7350IRSO-8
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7350 (IRF7350PBF)
Produktcode: 41121
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Transistoren > MOSFET N-CH
Bemerkung: N+P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7350HRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7350PBFInfineon / IRMOSFET 100V DUAL N- & P- CH HEXFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7350PBFInternational Rectifier(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,100V,2A,SO-8) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7350PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/1.5A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A, 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7350TRHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7350TRPBFIR
auf Bestellung 128000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7350TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/1.5A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A, 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7350TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL N/PCh 100V 2.1A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7350TRPBFInternational Rectifier(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,100V,2A,SO-8) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351PBFInternational RectifierMOSFET 60V DUAL N-CH HEXFET 17.8mOhm 24nC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V DUAL N-CH HEXFET 17.8mOhm 24nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351PBF
Produktcode: 127438
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351PBF-HXYHXY MOSFETMOSFET 60V 15A 60W 15mOhm@10V 2.5V@250uA 2 N-Channel SOP-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOP
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IRF7351TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.6 EUR
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IRF7351TRInfineon2xN -MOSFET HEXFET 8A 60V 2W 0.18Ω IRF7351 TIRF7351
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7351TRPBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1330 @ 30, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 17,8 мОм @ 8 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 50 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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106+1.54 EUR
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1000+1.05 EUR
2000+1 EUR
4000+0.86 EUR
8000+0.64 EUR
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IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
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8000+0.73 EUR
12000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 24988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.21 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF7351TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.88 EUR
87+2.67 EUR
250+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 8A 17.8mOhm 24nC Dual
auf Bestellung 464 Stücke:
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1+4.84 EUR
10+3.09 EUR
100+2.12 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.04 EUR
4000+0.89 EUR
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IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3372 Stücke:
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74+2.38 EUR
100+2.24 EUR
250+2.11 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.89 EUR
2500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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