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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF7341TRPBFXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.65 EUR
83+1.04 EUR
126+0.68 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs PLANAR FET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+1.99 EUR
137+1.21 EUR
259+0.62 EUR
262+0.58 EUR
264+0.56 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.54 EUR
12000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
259+0.67 EUR
262+0.65 EUR
264+0.63 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 259 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1InfineonIRF7341TRPBFXTMA1 N-MOSFET;польовий;55В;4,7А;SO8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342International RectifierHEXFETDUALP-CH/-55V/3,4A/0,105Ohm/SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342IRSO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342D2PBF
Produktcode: 28747
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342D2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342D2PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 105mOhm 26nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342D2PBFInternational RectifierMOSFET P-Channe/-55V/3,4A/0,105 Ohm/SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342D2PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7342D2PBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 3.4 A, 0.105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342D2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342D2TRPBFIRSOP8 07+08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342PBFInfineon TechnologiesMOSFETs DUAL -55V P-CH 20V VGS 55V BVDSS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342PBFInternational RectifierHEXFETDUALP-CH/-55V/3,4A/0,105Ohm/SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342PBF
Produktcode: 29394
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
1+1.09 EUR
10+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342PBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342QTRPBFIOR
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRUMWDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRInfineonTransistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342TR; IRF7342; IRF7342-GURT; IRF7342 smd; IRF7342TR; IRF7342TR TIRF7342
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TR
Produktcode: 181463
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRInfineonTransistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342TR; IRF7342; IRF7342-GURT; IRF7342 smd; IRF7342TR; IRF7342TR TIRF7342
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1855 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRUMWTransistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342; IRF7342TR; SP001571984; SP001566208; IRF7342TR UMW TIRF7342 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
648+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 648 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 700 Од. в
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.64 EUR
132+1.63 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.17 EUR
5000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 34784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.03 EUR
11+1.92 EUR
50+1.44 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.43 EUR
103+1.65 EUR
132+1.26 EUR
147+1.11 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 224000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.77 EUR
12000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 224000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.76 EUR
12000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.65 EUR
134+1.27 EUR
149+1.12 EUR
250+1.08 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFIRF7342TRPBF Микросхемы
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.52 EUR
88+2.64 EUR
132+1.63 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.17 EUR
5000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.79 EUR
12000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.45 EUR
102+1.63 EUR
131+1.23 EUR
145+1.06 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineonMOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO Транзистори
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.42 EUR
104+1.59 EUR
134+1.19 EUR
149+1.04 EUR
250+0.99 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+2.06 EUR
67+1.29 EUR
100+0.89 EUR
250+0.77 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
2000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 11500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
648+1 EUR
1000+0.9 EUR
10000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 648 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
auf Bestellung 36016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.03 EUR
10+1.44 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
2000+0.84 EUR
4000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF
Produktcode: 31772
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
auf Bestellung: 130 St.
  • 130 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.18 EUR
10+1.06 EUR
100+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7342TRPBF/IRIR08+;
auf Bestellung 9100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343IRF7343 Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343PBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 55, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4.7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3,4 А,... Транзистори Корпус: SOICN-8
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 65 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343PBFIRF7343PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V DUAL N / P CH 20V VGS 55V BVDSS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343PBF
Produktcode: 32395
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 4,7/3,4
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/24
Bemerkung: Zwei Transistoren N+P in einem Gehäuse
Montage: SMD
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
auf Bestellung: 90 St.
  • 90 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.25 EUR
10+1.13 EUR
100+1.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7343PBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 4.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343QTRPBFIOR
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRIR2004
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRHXY MOSFETTransistor N/P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm/115mOhm; 6A/5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7343; IRF7343TR; SP001571976; SP001565516; IRF7343TR HXY MOSFET TIRF7343 HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRInternational RectifierTransistor 2xN/P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm/170mOhm; 4,7A/3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF7343 smd TIRF7343
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRUMWDescription: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 3.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V, 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V, 90mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRUMWTransistor N/P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm/100mOhm; 4,7A/3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7343; IRF7343TR; SP001571976; SP001565516; IRF7343TR UMW TIRF7343 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 42392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
12+1.84 EUR
50+1.38 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFInternational RectifierMOSFET N/P-CH 55V SOIC-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 16171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.13 EUR
148+1.14 EUR
164+1.01 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.6 EUR
12000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBF
Produktcode: 180205
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOIC-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 4,7/3,4 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,043/0,095 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/690/24/26
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.82 EUR
10+0.74 EUR
100+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
887+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 887 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+2.05 EUR
67+1.29 EUR
88+0.98 EUR
100+0.87 EUR
250+0.74 EUR
500+0.64 EUR
2000+0.49 EUR
4000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 45533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.82 EUR
104+2.24 EUR
157+1.37 EUR
500+1.07 EUR
1000+1.01 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 252000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 252000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.67 EUR
12000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.74 EUR
12000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 55, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3,4 А,... Транзистори Корпус: SOICN-8
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 790 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 16171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.2 EUR
144+1.15 EUR
159+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.55 EUR
12000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7343TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF734LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 4.9A I2PAK
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
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IRF734PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220AB
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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IRF7350IRSO-8
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IRF7350 (IRF7350PBF)
Produktcode: 41121
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Transistoren > MOSFET N-CH
Bemerkung: N+P
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IRF7350HRInfineon / IRInfineon
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IRF7350PBFInfineon / IRMOSFET 100V DUAL N- & P- CH HEXFET
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IRF7350PBFInternational Rectifier(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,100V,2A,SO-8) Транзистори
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IRF7350PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/1.5A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A, 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
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IRF7350TRHRInfineon / IRInfineon
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IRF7350TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL N/PCh 100V 2.1A
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IRF7350TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/1.5A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A, 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRF7350TRPBFInternational Rectifier(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,100V,2A,SO-8) Транзистори
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IRF7350TRPBFIR
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